실리콘 카바이드로 조각된 이러한 고성능 SKU는 특정 유형의 전기 부품 SiC 제품을 위한 것입니다. 이 소재는 강할 뿐만 아니라 매우 탄력적이어서 무거운 하중을 견뎌내고 고온과 전기 전력을 분해되지 않고 견딜 수 있습니다. 이러한 특수한 특성은 전기를 제어하는 데 매우 중요합니다. sic 다이오드 Allswell에서 개발했기 때문에 수십 개의 응용 프로그램이 있습니다.
기본적으로 우리가 말할 수 있는 것은 – 이런 물건은 매우 낮은 전류(5-8mA)를 필요로 하므로 IoT 애플리케이션에 적합하고, 게다가 3.7V 배터리 셀에서 작동할 수 있다는 것입니다! 이들은 표준 실리콘 트랜지스터에 비해 많은 장점이 있습니다. SiC 트랜지스터는 SiC 장치와 유사한 전력 인셋 흐름에 적합합니다. 1200v 원식 MOSFET 올스웰의 제품은 더 높은 전압이나 더 더운 장소에서도 작동할 수 있으므로 어떤 경우에는 매우 유용합니다.
배터리 또는 전기 모터에서 SiC 장치는 차량의 엔진과 전력 수준을 감시하는 데 사용됩니다. 이들은 재생 에너지 시스템에 사용되며 전력 공급원(풍력, 태양광, 전기)과 전기 그리드 간의 전기 흐름을 제어하는 기능을 제공합니다. 우리는 전기를 적절하고 정확하게 소비해야 하는 세상에 살고 있으므로 다음을 선택하십시오. 원문 반도체 올스웰 출신.
SiC 디바이스는 반도체 산업에서 아직 젊지만 전자 애플리케이션에 대한 놀라운 기능은 수많은 산업을 발전시킬 것입니다. SiC는 전력 전자 장치를 보다 효율적인 미래로 밀어붙이고 있으며 기술이 발전함에 따라 sic sbd 효율성을 계속 개선할 것입니다. 더 높은 온도와 전압을 처리할 수 있다는 사실은 완전히 새로운 애플리케이션을 가능하게 할 수 있고 차세대 기술을 용이하게 할 수 있다는 것을 의미합니다.
몇 년 후, 물론 비용에 따라 SiC 장치는 기존 실리콘 기반 장치 설계에 대한 광범위한 응용 분야에서 대안이 될 수 있습니다. 이러한 전환은 에너지 절감이나 최종 사용자 비용 개선과 같은 실질적인 영향을 미칠 수 있으며 임금 성공도 증가할 수 있습니다. 기업은 미래의 발전을 촉진함으로써 이를 통해 이익을 얻을 수 있습니다. 이 분석은 다음을 시사합니다. 600v 원식 MOSFET 이 장치는 미래에 산업에 큰 변화를 가져올 것입니다.
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