IV1B12013HA1L – 1200V 13mohm SiC 모듈 태양광

특징

신청서

포장

마킹 다이어그램

절대 최대 등급 (TC=25°C 특수 지정 사항이 없는 경우)

열 데이터

상징	매개변수	가치	UNIT	주의
Rθ(J-H)	접합부에서 히트싱크까지의 열 저항	0.596	°C/W	그림 25

전기적 특성 (TC=25°C 특수 지정 사항이 없는 경우)

상징	매개변수	가치			UNIT	시험 조건	주의
		최소.	전형적인.	최대.
IDSS	게이트 전압이 없는 드레인 전류		10	200	μA	VDS =1200V, VGS =0V
IGSS	게이트 누설 전류			±200	부적절함	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	게이트 임계 전압	1.8	3.2	5	V	VGS=VDS , ID =24mA	도 9
			2.3			VGS=VDS , ID =24mA @ TC =150。C
RON	정전류 드레인-소스 온 저항		12.5	16.3	mΩ	VGS =20V, ID =80A @TJ =25。C	그림 4-7
			18		mΩ	VGS =20V, ID =80A @TJ =150。C
입력 전용 용량	입력 용량		11		NF	VDS=800V, VGS =0V, f=100kHz , VAC =25mV	그림 16
출력 전용 용량	출력 용량		507		PF
게이트-드레인 역상 용량	역전환 용량		31		PF
출력 용량 에너지	출력 용량 저장 에너지		203		μJ		그림 17
본부	총 게이트 전하량		480		nC	VDS =800V, ID =80A, VGS =-5에서 20V	그림 18
Qgs	게이트-소스 전하량		100		nC
Qgd	게이트-드레인 전하량		192		nC
Rg	게이트 입력 저항		1.0		Ω	f=100kHz
EON	켜기 전원 전환		783		μJ	VDS =600V, ID =60A, VGS=-5 to 20V, RG(ext)on/ RG(ext)off =2.5Ω/1.43Ω, L=120μH	그림.19-22
EOFF	그라운드 스위치 에너지		182		μJ
td(on)	턴온 지연 시간		30		NS
tr	상승 시간		5.9
td(off)	차단 지연 시간		37
TF	하강 시간		21
LsCE	방랑 인덕턴스		7.6		nH

역방향 다이오드 특성 (TC=25°C 특수 지정 사항이 없는 경우)

상징	매개변수	가치			UNIT	시험 조건	주의
상징	매개변수	최소.	전형적인.	최대.	UNIT	시험 조건	주의
VSD	다이오드 순방향 전압		4.9		V	ISD =80A, VGS =0V	그림.10-12
VSD	다이오드 순방향 전압		4.5		V	ISD =80A, VGS =0V, TJ =150°C	그림.10-12
trr	역회복 시간		17.4		NS	VGS =-5V/+20V, ISD =60A, VR =600V, di/dt=13.28A/ns, RG(ext) =2.5Ω, L=120μH
Qrr	역환수료		1095		nC
IRRM	최대 역회복 전류		114		A

NTC 열전저 특성