원산지: | 절강 |
브랜드 이름: | 인벤트칩 테크놀로지 |
모델 번호: | IV1B12025HC1L |
인증: | AEC-Q101 |
특징
높은 차단 전압과 낮은 온저항
낮은 용량으로 고속 스위칭
높은 작동 접합부 온도 성능
매우 빠르고 견고한 내재 다이오드
신청서
태양열 응용 프로그램
UPS 시스템
자동차 운전자
고전압 DC/DC 컨버터
포장
절대 최대 등급 (TC=25°C 특수 지정 사항이 없는 경우)
상징 | 매개변수 | 가치 | UNIT | 시험 조건 | 주의 |
VDS | 드레인-소스 전압 | 1200 | V | VGS =0V, ID =200μA | |
VGSmax (DC) | 최대 DC 전압 | -5에서 22 | V | 정적 (DC) | |
VGSmax (파동) | 최대 스파이크 전압 | -10에서 25 | V | <1% 듀티 사이클, 그리고 펄스 폭 <200ns | |
VGSon | 권장 트랜지스터 온 전압 | 20±0.5 | V | ||
VGSoff | 권장 셧다운 전압 | -3.5 to -2 | V | ||
id | 드레인 전류 (연속) | 74 | A | VGS =20V, TC =25°C | |
50 | A | VGS =20V, TC =94°C | |||
IDM | 드레인 전류 (펄스) | 185 | A | SOA에 의해 펄스 폭 제한 | 그림 26 |
Ptot | 총 전력 손실 | 250 | W | TC =25°C | 그림 24 |
TSTG | 보관 온도 범위 | -40에서 150 | °C | ||
Tj | 전환 조건하의 최대 가상 접합부 온도 | -40에서 150 | °C | 작동 | |
-55에서 175까지 | °C | 수명이 감소된 상태로 간헐적 작동 |
열 데이터
상징 | 매개변수 | 가치 | UNIT | 주의 |
Rθ(J-C) | 접합부에서 케이스로의 열 저항 | 0.5 | °C/W | 그림 25 |
전기적 특성 (TC=25°C 특수 지정 사항이 없는 경우)
상징 | 파라미터 | 가치 | UNIT | 시험 조건 | 주의 | ||
최소. | 전형적인. | 최대. | |||||
IDSS | 게이트 전압이 없는 드레인 전류 | 10 | 200 | μA | VDS =1200V, VGS =0V | ||
IGSS | 게이트 누설 전류 | 2 | ±200 | 부적절함 | VDS =0V, VGS = -5~20V | ||
VTH | 게이트 임계 전압 | 3.2 | V | VGS=VDS , ID =12mA | 도 9 | ||
2.3 | VGS=VDS , ID =12mA @ TC =150。C | ||||||
RON | 정전류 드레인-소스 온 저항 | 25 | 33 | mΩ | VGS =20V, ID =40A @TJ =25。C | 그림 4-7 | |
36 | mΩ | VGS =20V, ID =40A @TJ =150。C | |||||
입력 전용 용량 | 입력 용량 | 5.5 | NF | VDS=800V, VGS =0V, f=100kHz , VAC =25mV | 그림 16 | ||
출력 전용 용량 | 출력 용량 | 285 | PF | ||||
게이트-드레인 역상 용량 | 역전환 용량 | 20 | PF | ||||
출력 용량 에너지 | 출력 용량 저장 에너지 | 105 | μJ | 그림 17 | |||
본부 | 총 게이트 전하량 | 240 | nC | VDS =800V, ID =40A, VGS =-5 to 20V | 그림 18 | ||
Qgs | 게이트-소스 전하량 | 50 | nC | ||||
Qgd | 게이트-드레인 전하량 | 96 | nC | ||||
Rg | 게이트 입력 저항 | 1.4 | Ω | f=100kHz | |||
EON | 켜기 전원 전환 | 795 | μJ | VDS =600V, ID =50A, VGS=-5 to 20V, RG(ext)on/ RG(ext)off =2.5Ω/1.43Ω, L=120μH | 그림.19-22 | ||
EOFF | 그라운드 스위치 에너지 | 135 | μJ | ||||
td(on) | 턴온 지연 시간 | 15 | NS | ||||
tr | 상승 시간 | 4.1 | |||||
td(off) | 차단 지연 시간 | 24 | |||||
TF | 하강 시간 | 17 | |||||
LsCE | 방랑 인덕턴스 | 8.8 | nH |
역방향 다이오드 특성 (TC=25°C 특수 지정 사항이 없는 경우)
상징 | 매개변수 | 가치 | UNIT | 시험 조건 | 주의 | ||
최소. | 전형적인. | 최대. | |||||
VSD | 다이오드 순방향 전압 | 4.9 | V | ISD =40A, VGS =0V | 그림.10-12 | ||
4.5 | V | ISD =40A, VGS =0V, TJ =150°C | |||||
trr | 역회복 시간 | 18 | NS | VGS =-5V/+20V, ISD =50A, VR =600V, di/dt=14.29A/ns, RG(ext) =2.5Ω, L=120μH | |||
Qrr | 역환수료 | 1068 | nC | ||||
IRRM | 최대 역회복 전류 | 96.3 | A |
NTC 열전저 특성
상징 | 매개변수 | 가치 | UNIT | 시험 조건 | 주의 | ||
최소. | 전형적인. | 최대. | |||||
RNTC | 등급 저항 | 5 | kΩ | TNTC = 25℃ | 그림 27 | ||
ΔR/R | 25℃에서의 저항 허용오차 | -5 | 5 | % | |||
β25/50 | 베타 값 | 3380 | k | ±1% | |||
Pmax | 전력 소산 | 5 | mW |
형식적인 성능 (곡선)
패키지 크기 (mm)
노트
추가 정보는 IVCT의 영업 사무소로 문의하십시오.
저작권©2022 InventChip Technology Co., Ltd. 모든 권리 보유.
이 문서에 포함된 정보는 사전 통보 없이 변경될 수 있습니다.
관련 링크
http://www.inventchip.com.cn