1700V 1000mΩ 보조 전원 공급 장치용 SiC MOSFET

상징

매개변수

가치

UNIT

주의

Rθ(J-C)

접합부에서 케이스로의 열 저항

2.05

°C/W

그림. 25

상징

매개변수

가치

UNIT

시험 조건

주의

최소.

전형적인.

최대.

IDSS

게이트 전압이 없는 드레인 전류

1

10

μA

VDS=1700V, VGS=0V

IGSS

게이트 누설 전류

±100

부적절함

VDS=0V, VGS=-5~20V

VTH

게이트 임계 전압

1.8

3.0

4.5

V

VGS=VDS, ID=380uA

그림 8, 9

2.0

V

VGS=VDS, ID=380uA @ TJ=175°C

RON

정전류 드레인-소스 온 저항

700 1280

910

mΩ

VGS=18V, ID=1A @TJ=25°C @TJ=175°C

그림 4, 5, 6, 7

950 1450

1250

mΩ

VGS=15V, ID=1A @TJ=25°C @TJ=175°C

입력 전용 용량

입력 용량

285

PF

VDS=1000V, VGS=0V, f=1MHz, VAC=25mV

그림 16

출력 전용 용량

출력 용량

15.3

PF

게이트-드레인 역상 용량

역전환 용량

2.2

PF

출력 용량 에너지

출력 용량 저장 에너지

11

μJ

그림 17

본부

총 게이트 전하량

16.5

nC

VDS=1000V, ID=1A, VGS=-5 to 18V

그림. 18

Qgs

게이트-소스 전하량

2.7

nC

Qgd

게이트-드레인 전하량

12.5

nC

Rg

게이트 입력 저항

13

Ω

f=1MHz

EON

켜기 전원 전환

51.0

μJ

VDS=1000V, ID=2A, VGS=-3.5V ~ 18V, RG(ext)=10Ω, L=2330μH Tj=25°C

그림 19, 20

EOFF

그라운드 스위치 에너지

17.0

μJ

td(on)

턴온 지연 시간

4.8

NS

tr

상승 시간

13.2

td(off)

차단 지연 시간

12.0

TF

하강 시간

66.8

EON

켜기 전원 전환

90.3

μJ

VDS=1000V, ID=2A, VGS=-3.5V ~ 18V, RG(ext)=10Ω, L=2330μH Tj=175°C

그림 22

EOFF

그라운드 스위치 에너지

22.0

μJ

상징

매개변수

가치

UNIT

시험 조건

주의

최소.

전형적인.

최대.

VSD

다이오드 순방향 전압

4.0

V

ISD=1A, VGS=0V

그림 10, 11, 12

3.8

V

ISD=1A, VGS=0V, TJ=175°C

는

다이오드 정방향 전류 (연속)

11.8

A

VGS=-2V, TC=25°C

6.8

A

VGS=-2V, TC=100°C

trr

역회복 시간

20.6

NS

VGS=-3.5V/+18V, ISD=2A, VR=1000V, RG(ext)=10Ω L=2330μH di/dt=5000A/μs

Qrr

역환수료

54.2

nC

IRRM

최대 역회복 전류

8.2

A