| 원산지: | 절강 |
| 브랜드 이름: | 인벤트칩 테크놀로지 |
| 모델 번호: | IV2Q12030D7Z |
| 인증: | AEC-Q101 인증 |
특징
2 세대 SiC MOSFET 기술 +18V 게이트 드라이브
높은 차단 전압과 낮은 온저항
낮은 용량으로 고속 스위칭
높은 작동 접합부 온도 성능
매우 빠르고 견고한 내재 다이오드
드라이버 회로 설계를 용이하게 하는 켈빈 게이트 입력
신청서
자동차 운전자
태양광 인버터
자동차 DC/DC 컨버터
자동차 압축기 인버터
스위치 모드 전원 공급 장치
개요:
표시도:
절대 최대 등급 (TC=25°C, 특별히 언급되지 않은 경우)
| 상징 | 매개변수 | 가치 | UNIT | 시험 조건 | 주의 |
| VDS | 드레인-소스 전압 | 1200 | V | VGS =0V, ID =100μA | |
| VGSmax (DC) | 최대 DC 전압 | -5 to 20 | V | 정적 (DC) | |
| VGSmax (파동) | 최대 스파이크 전압 | -10에서 23 | V | 듀티 사이클<1%, 펄스 폭<200ns | |
| VGSon | 권장 켜기 전압 | 18±0.5 | V | ||
| VGSoff | 권장 끄기 전압 | -3.5 to -2 | V | ||
| id | 드레인 전류 (연속) | 79 | A | VGS =18V, TC =25°C | 그림 23 |
| 58 | A | VGS =18V, TC =100°C | |||
| IDM | 드레인 전류 (펄스) | 198 | A | SOA에 의해 펄스 폭 제한 | 그림 26 |
| Ptot | 총 전력 손실 | 395 | W | TC =25°C | 그림 24 |
| TSTG | 보관 온도 범위 | -55에서 175까지 | °C | ||
| Tj | 운영 접합 온도 | -55에서 175까지 | °C | ||
| 티엘티엘 | 땜납 온도 | 260 | °C | 파동땜납은 케이스에서 1.6mm 떨어진 리드에서만 허용, 10초 동안 |
열 데이터
| 상징 | 매개변수 | 가치 | UNIT | 주의 |
| Rθ(J-C) | 접합부에서 케이스로의 열 저항 | 0.38 | °C/W | 그림 23 |
전기적 특성 (TC =25。C 특별히 지정되지 않은 경우)
| 상징 | 매개변수 | 가치 | UNIT | 시험 조건 | 주의 | ||
| 최소. | 전형적인. | 최대. | |||||
| IDSS | 게이트 전압이 없는 드레인 전류 | 5 | 100 | μA | VDS =1200V, VGS =0V | ||
| IGSS | 게이트 누설 전류 | ±100 | 부적절함 | VDS =0V, VGS = -5~20V | |||
| VTH | 게이트 임계 전압 | 1.8 | 2.8 | 4.5 | V | VGS=VDS , ID =12mA | 그림 8, 9 |
| 2.0 | VGS=VDS , ID =12mA @ TJ =175。C | ||||||
| RON | 정전류 드레인-소스 온 저항 | 30 | 39 | mΩ | VGS =18V, ID =30A @TJ =25。C | 그림 4, 5, 6, 7 | |
| 55 | mΩ | VGS =18V, ID =30A @TJ =175。C | |||||
| 36 | 47 | mΩ | VGS =15V, ID =30A @TJ =25。C | ||||
| 58 | mΩ | VGS =15V, ID =30A @TJ =175。C | |||||
| 입력 전용 용량 | 입력 용량 | 3000 | PF | VDS=800V, VGS =0V, f=1MHz, VAC=25mV | 그림 16 | ||
| 출력 전용 용량 | 출력 용량 | 140 | PF | ||||
| 게이트-드레인 역상 용량 | 역전환 용량 | 7.7 | PF | ||||
| 출력 용량 에너지 | 출력 용량 저장 에너지 | 57 | μJ | 그림 17 | |||
| 본부 | 총 게이트 전하량 | 135 | nC | VDS =800V, ID =40A, VGS =-3에서 18V | 그림. 18 | ||
| Qgs | 게이트-소스 전하량 | 36.8 | nC | ||||
| Qgd | 게이트-드레인 전하량 | 45.3 | nC | ||||
| Rg | 게이트 입력 저항 | 2.3 | Ω | f=1MHz | |||
| EON | 켜기 전원 전환 | 856.6 | μJ | VDS =800V, ID =40A, VGS =-3.5에서 18V, RG(외부) =3.3Ω, L=200μH TJ =25。C | 그림 19, 20 | ||
| EOFF | 그라운드 스위치 에너지 | 118.0 | μJ | ||||
| td(on) | 턴온 지연 시간 | 15.4 | NS | ||||
| tr | 상승 시간 | 24.6 | |||||
| td(off) | 차단 지연 시간 | 28.6 | |||||
| TF | 하강 시간 | 13.6 | |||||
역방향 다이오드 특성 (TC =25。C 특별히 지정되지 않은 경우)
| 상징 | 매개변수 | 가치 | UNIT | 시험 조건 | 주의 | ||
| 최소. | 전형적인. | 최대. | |||||
| VSD | 다이오드 순방향 전압 | 4.2 | V | ISD =30A, VGS =0V | 그림 10, 11, 12 | ||
| 4.0 | V | ISD =30A, VGS =0V, TJ =175。C | |||||
| trr | 역회복 시간 | 54.8 | NS | VGS=-3.5V/+18V, ISD =40A, VR =800V, RG(ext) =13Ω L=200μH di/dt=3000A/μs | |||
| Qrr | 역환수료 | 470.7 | nC | ||||
| IRRM | 최대 역회복 전류 | 20.3 | A | ||||
형식적인 성능 (곡선)
KO
EN
AR
HR
DA
NL
FR
DE
EL
HI
IT
JA
NO
PL
PT
RO
RU
ES
SV
TL
IW
ID
LT
SR
SK
UK
VI
SQ
HU
TH
TR
FA
AF
MS
HY
BN
LA
TA
TE
MY
