Element elektroniczny MOSFET pomaga ułatwić kontrolę przepływu energii elektrycznej w obwodzie. MOSFET: MOS (półprzewodnik z tlenku metalu) Tranzystor polowy Może to brzmieć jak wiele słów, ale w zasadzie jest to eleganckie określenie części sterującej przepływem prądu. Cóż, tranzystory MOSFET z kanałem p, które mogą wytrzymać wyższe napięcie, są specyficznym typem mosfetów. Są przeznaczone do stosowania nieco wyższych napięć, ale nie są zbyt duże, co jest całkiem fajne!
Zanim zmiażdżymy MOSFET za to, co dzieje się nie tak z inwerterami z kanałem p wysokiego napięcia, porozmawiajmy o podstawach tego, jak faktycznie działa przełącznik „high-side” (typu p). Źródło, dren i bramka to trzy zaciski w tych urządzeniach. Źródło Allswell to część, która łączy się z ujemną stroną obwodu. The n-kanałowy mosfet zderzenie przyczepia się do ujemnej strony ujemnej i jest potrzebne, ponieważ prowadzi satelitę pomiędzy jego niezależnym węzłem naziemnym, czyli „brzękiem”, a jego wyższym podłożem, którym jest śmietanka.
Teraz, jeśli przyłożysz napięcie do zacisku bramki; dzieje się coś naprawdę wyjątkowego! Generuje pole elektryczne, które zmienia prędkość, z jaką elektrony mogą przemieszczać się między źródłem a drenem. Na razie wszystko, co musisz wiedzieć, to to, że to pole elektryczne kontroluje ilość energii elektrycznej przepływającej przez MOSFET, a co ważniejsze, czy prąd elektryczny przepływa od drenu do źródła. Ustawiając napięcie na bramce, możesz zdecydować, ile prądu przepływa przez MOSFET w każdym momencie.
Na Przełącznik mosfet kanału p Jasna strona, oto kilka moich ulubionych rzeczy na temat wysokonapięciowych tranzystorów MOSFET z kanałem p. Ogromną zaletą jest to, że bardzo dobrze radzą sobie z wysokimi napięciami. Allswell czyni je szczególnie dobrymi do wielu zastosowań, takich jak sterowanie silnikami, zasilacze i systemy oświetleniowe. Załóżmy na przykład, że chcesz sterować dużym silnikiem za pomocą tranzystora: użycie wysokonapięciowego MOSFET-u z kanałem p umożliwi wykonanie tego zadania w sposób zarówno bezpieczny, jak i funkcjonalny.
Jeszcze jeden wspaniały aspekt wysokonapięciowego MOSFET-u z kanałem typu P, a są to urządzenia o małych rozmiarach i niskim prądzie. Mały i wydajny charakter tych diod OLED firmy Allswell sprawia, że idealnie nadają się do urządzeń przenośnych, takich jak telefony, tablety i laptopy. Pomyśl tylko o włączeniu dowolnej funkcji do wybranego urządzenia, aby zarządzać energią, nie pozwalając, aby bateria działała zbyt długo. To sterownik bramki mosfet kanału p dlatego te MOSFET-y są tak cenne!
Ważnym osiągnięciem w tej dziedzinie było wynalezienie nowego materiału zwanego węglikiem krzemu, ale szerzej znanego jako SiC. Materiał ten ma doskonałe właściwości elektryczne i jest znacznie lepszy od materiałów konwencjonalnych. W przeszłości SiC umożliwiał nawet bezproblemową pracę tranzystorów MOSFET przy wyższych napięciach i temperaturach. Ten mosfet n-kanałowy wysokiego napięcia oznacza, że są trwalsze i skuteczniejsze w wielu zastosowaniach.
Wybór wysokonapięciowych tranzystorów MOSFET z kanałem typu P jest wymogiem krytycznym, a ich specyfikacje są zupełnie inne. Będą również miały maksymalną tolerowaną wartość napięcia, ilość prądu, który można przez nie przeforsować, oraz moc znamionową. Weź także pełna forma mosfetu Należy wziąć pod uwagę napięcie progowe bramki i rezystancję włączenia, ponieważ mogą one mieć wpływ na działanie tranzystora MOSFET w obwodzie.
Wsparcie techniczne Allswell Tech, które służy pomocą w razie jakichkolwiek pytań. Wysokonapięciowy mosfet z kanałem p. Produkty Allswell.
doświadczony zespół analityków, który dostarcza również najświeższe informacje, mosfet z kanałem p wysokiego napięcia w rozwoju łańcucha przemysłowego.
oferuj klientom usługi w zakresie produktów wysokiej jakości dla możliwie najniższego mosfetu z kanałem p wysokiego napięcia.
kontrola jakości całej procedury za pomocą laboratoriów mosfet z kanałem p wysokiego napięcia, kontrole akceptacji o wysokim standardzie.
EN
AR
HR
DA
NL
FR
DE
EL
HI
IT
JA
KO
NIE
PL
PT
RO
RU
ES
SV
TL
IW
ID
LT
SR
SK
UK
VI
SQ
HU
TH
TR
FA
AF
MS
HY
BN
LA
TA
TE
MY
