Wszystkie kategorie
ZAPYTAJ NAS
MOSFET SiC

Strona główna /  Produkty /  MOSFET SiC

Motoryzacyjny MOSFET SiC 1200 V, 160 mΩ Gen2
Motoryzacyjny MOSFET SiC 1200 V, 160 mΩ Gen2

Motoryzacyjny MOSFET SiC 1200 V, 160 mΩ Gen2 Polska

  • Wprowadzenie

Wprowadzenie

Miejsce pochodzenia: Zhejiang
Marka: Technologia Inventchip
Numer modelu: IV2Q12160T4Z
Certyfikacja: AEC-Q101


Minimalne Zamówienie: 450PCS
Cena:
Szczegóły Opakowanie:
Czas dostawy:
Warunki płatności:
Dostarczamy zdolność:


Zakładka Charakterystyka

  • Technologia SiC MOSFET drugiej generacji z napędem bramki +2V

  • Wysokie napięcie blokujące przy niskiej rezystancji włączenia

  • Szybkie przełączanie przy niskiej pojemności

  • Wysoka temperatura złącza roboczego

  • Bardzo szybka i solidna dioda z korpusem wewnętrznym

  • Wejście bramki Kelvina ułatwiające projektowanie obwodów sterownika


Zastosowania

  • Motoryzacyjne przetwornice DC/DC

  • Ładowarki pokładowe

  • Falowniki słoneczne

  • Kierowcy silników

  • Falowniki sprężarek samochodowych

  • Zasilacze impulsowe


Outline:

obraz


Schemat znakowania:

obraz

Bezwzględne maksymalne oceny(TC=25°C, chyba że określono inaczej)

symbol Parametr wartość Jednostka Test kondycji Note
VDS Napięcie dren-źródło 1200 V VGS = 0 V, ID = 100 µA
VGSmax (DC) Maksymalne napięcie prądu stałego -5 do 20 V Statyczny (prąd stały)
VGSmax (Kolec) Maksymalne napięcie szczytowe -10 do 23 V Cykl pracy <1% i szerokość impulsu <200ns
VGSon Zalecane napięcie włączenia 18 ± 0.5 V
VGS wył Zalecane napięcie wyłączenia -3.5 do -2 V
ID Prąd drenu (ciągły) 19 A VGS =18 V, TC =25°C Ryc.23
14 A VGS =18 V, TC =100°C
IDM Prąd drenu (impulsowy) 47 A Szerokość impulsu ograniczona przez SOA Ryc.26
PTOT Całkowite rozproszenie mocy 136 W Temperatura cieplna =25°C Ryc.24
Tstg Zakres temperatur przechowywania -55 do 175 ° C
TJ Temperatura złącza roboczego -55 do 175 ° C
TL Temperatura lutowania 260 ° C lutowanie na fali dozwolone tylko na przewodach, 1.6 mm od obudowy przez 10 s


Dane termiczne

symbol Parametr wartość Jednostka Note
Rθ(JC) Opór cieplny od złącza do obudowy 1.1 ° C / W Ryc.25


Charakterystyki elektryczne(TC =25。C, chyba że określono inaczej)

symbol Parametr wartość Jednostka Test kondycji Note
Min. Rodzaj. Max.
IDSS Prąd drenu napięcia bramki zerowej 5 100 µA VDS = 1200 V, VGS = 0 V
IGSS Prąd upływowy bramki ± 100 nA VDS = 0 V, VGS = -5 ~ 20 V
V KARTA Bramka napięcia progowego 1.8 2.8 4.5 V VGS = VDS , ID = 2 mA Ryc. 8, 9
2.1 VGS = VDS, ID = 2 mA @ TJ = 175°C
RON Statyczne dren-źródło włączone - rezystancja 160 208 VGS =18 V, ID =5 A przy TJ =25°C Ryc. 4, 5, 6, 7
285 VGS =18 V, ID =5 A przy TJ =175°C
Ciss Pojemność wejściowa 575 pF VDS=800V, VGS=0V, f=1MHz, VAC=25mV Ryc.16
Koss Pojemność wyjściowa 34 pF
Krzyś Odwrotna pojemność transferu 2.3 pF
Eos Koszt zmagazynowanej energii 14 µJ Ryc.17
Qg Całkowita opłata za bramę 29 nC VDS =800V, ID =10A, VGS =-3 do 18V Ryc.18
Qgs Opłata za bramę-źródło 6.6 nC
Qgd Opłata drenażowa 14.4 nC
Rg Rezystancja wejściowa bramki 10 Ω f=1 MHz
EON Włącz energię przełączania 115 µJ VDS =800V, ID =10A, VGS =-3.5 to 18V,    RG(ext) =3.3Ω, L=300μH TJ =25。C Ryc. 19, 20
EWYŁ Wyłączyć energię przełączania 22 µJ
td(wł.) Czas opóźnienia włączenia 2.5 ns
tr Czas wschodu 9.5
td(wył.) Czas opóźnienia wyłączenia 7.3
tf Czas upadku 11.0
EON Włącz energię przełączania 194 µJ VDS =800V, ID =10A, VGS =-3.5 to 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=300μH TJ =175。C Ryc.22
EWYŁ Wyłączyć energię przełączania 19 µJ


Charakterystyka diody odwrotnej(TC =25。C, chyba że określono inaczej)

symbol Parametr wartość Jednostka Test kondycji Note
Min. Rodzaj. Max.
VSD Napięcie przewodzenia diody 4.0 V ISD=5A, VGS=0V Ryc. 10, 11, 12
3.7 V ISD =5A, VGS =0V, TJ =175°C
tr Odwróć czas odzyskiwania 26 ns VGS =-3.5V/+18V, ISD =10A, VR =800V, RG(ext) =15Ω  L=300μH di/dt=3000A/μs
QRR Odwrotna opłata za odzyskanie 92 nC
IRRM Szczytowy prąd odzyskiwania zwrotnego 10.6 A


Typowa wydajność (krzywe)

obraz

obraz

obraz

obraz

obraz

obraz

obraz

obraz

obraz


POWIĄZANY PRODUKT