전자 부품인 MOSFET은 회로에서 전기 흐름을 제어하는 데 도움이 됩니다. MOSFET : MOS(금속 산화물 반도체) 전계 효과 트랜지스터 이는 많은 단어처럼 들릴 수 있지만 기본적으로 전기가 어떻게 통과하는지 제어하는 부분을 나타내는 우아한 용어입니다. 글쎄요, 더 높은 전압을 처리할 수 있는 p채널 MOSFET은 특정 유형의 MOSFET입니다. 너무 크지 않으면서도 다소 높은 전압을 사용하도록 설계되어 있어 매우 멋집니다!
고전압 p채널 인버터에서 문제가 생기는 이유를 MOSFET에 설명하기 전에, "하이사이드"(p형) 스위치가 실제로 어떻게 작동하는지에 대한 기본 사항을 살펴보겠습니다. 소스, 드레인, 게이트는 이러한 장치의 세 단자입니다. 올스웰 소스는 회로의 음극에 연결되는 부분입니다. n채널 모스펫 충돌은 부정적인 한쪽에 붙어 있으며, 위성을 그 미확립된 종속적 지면(노드 또는 '클랭크')과 버터크림인 더 높은 지면 사이로 안내하기 위해 필요합니다.
이제 게이트 단자에 전압을 가하면 정말 특별한 일이 일어납니다! 소스와 드레인 사이를 전자가 이동할 수 있는 속도를 변경하는 전기장을 생성합니다. 지금으로서는 이 전기장이 MOSFET을 통과하는 전기량을 제어하고, 더 중요한 것은 전류가 드레인에서 소스로 통과하는지 여부를 제어한다는 것만 알면 됩니다. 게이트에서 전압을 설정하여 각 시점에서 MOSFET을 통과하는 전류량을 결정할 수 있습니다.
에 p 채널 MOSFET 스위치 밝은 면으로, 여기 p채널 고전압 MOSFET에 대한 제가 가장 좋아하는 몇 가지가 있습니다. 가장 큰 장점 중 하나는 고전압을 매우 잘 처리할 수 있다는 것입니다. 이 Allswell은 또한 모터 제어, 전원 공급 장치 및 조명 시스템과 같은 많은 응용 분야에 특히 적합합니다. 예를 들어, 트랜지스터로 대형 모터를 제어하고 싶다고 가정해 보겠습니다. 고전압 p채널 MOSFET을 사용하면 안전하고 기능적인 방식으로 작업을 완료할 수 있습니다.
고전압 p채널 MOSFET의 또 다른 훌륭한 측면은 전류가 낮은 소형 장치입니다. 이러한 OLED의 Allswell 소형 및 효율적인 특성은 휴대전화, 태블릿 및 랩톱과 같은 휴대용 장치에 이상적입니다. 원하는 장치에 모든 기능을 통합하여 배터리를 오래 사용하지 않고도 전원을 관리하는 것을 생각해 보세요. p채널 MOSFET 게이트 드라이버 이것이 바로 이 MOSFET이 귀중한 이유입니다!
이 분야에서 중요한 발전은 실리콘 카바이드라는 새로운 소재의 발명이었지만, 일반적으로 SiC로 알려져 있습니다. 이 소재는 뛰어난 전기적 특성을 가지고 있으며 기존 소재보다 훨씬 뛰어납니다. SiC는 과거에 MOSFET이 아무런 문제 없이 더 높은 전압과 온도에서 작동할 수 있도록 했습니다. 이 고전압 n채널 MOSFET 즉, 더 내구성이 뛰어나고 다양한 응용 분야에서 더 효과적이라는 의미입니다.
고전압 p채널 MOSFET을 선택하는 것은 중요한 요구 사항이며, 사양은 매우 다릅니다. 또한 최대 허용 전압 값, 강제로 통과시킬 수 있는 전류량 및 전력 정격도 있습니다. 또한 다음을 수행합니다. 완전한 형태의 MOSFET 게이트 임계 전압과 온 저항은 회로 내 MOSFET의 성능에 영향을 줄 수 있으므로 고려해야 합니다.
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