అనువర్తనాలు

సోలర్ ఎనెర్జీ అందికిన మొత్తం పునరుత్పత్తియైన ఎనెర్జీ సోర్స్లలో మాట్లాడేది. సోలర్ ఫోటోవోల్టైక్ (PV) సెల్లు లేదా ప్యానల్‌లు సోలర్ ఎనెర్జీని విద్యుత్‌గా మార్చడానికి ఉపయోగించే డివైస్లు. ఈ కొత్త శతాబ్దం నుండి సోలర్ ప్యానల్‌ల గొప్ప రూపీకరణ మరియు పెద్ద స్కేల్ ఉత్పత్తి ప్రారంభమైంది. 2018లో ప్రపంచవ్యాప్తంగా సోలర్ PV ధారా 494.3GW కు సాధించింది, 2019 నుండి 2030 వరకు 1TW లో పెరుగుతుంది (సోర్స్: GlobalData Power Database). ఈ ప్రారంభిక సమయంలో చైనా, ఇండియా మరియు ఇతర ఏసియా-పసిఫిక్ దేశాల నుండి మొత్తం ధారా కూడా తీసుకుంది. ఇన్స్టాలేషన్ ధారా పెరుగుదల మరియు తక్నాలజీ మార్పుతో సోలర్ PV అమలు చేయడానికి సరాసరి పాయింటు ఖర్చు గణాంకాన్ని గణించినప్పుడు దేశాల మధ్య విస్తరించింది. తగిన ఉత్పత్తి ఖర్చు మరియు ప్రభుత్వ ప్రణాళికలు సోలర్ PV సరాసరి సిస్టమ్ ధరను తగ్గించాయి. 2010లో ప్రపంచవ్యాప్తంగా సోలర్ PV ప్లాంట్ల సరాసరి పాయింటు ఖర్చు $4,162/కిలోవాట్ (KW) కు ఉంది, 2018లో $1,240/kW కు తగ్గించింది, మరియు ప్రపంచవ్యాప్తంగా అనేక దేశాల ఖర్చు గణాంకాల ఆధారంగా 2030లో $997 కు తగ్గించడం అంచనా చేయబడింది. క్రింద ఇచ్చిన చిత్రం 2010 నుండి 2018 వరకు ప్రపంచవ్యాప్తంగా సోలర్ PV మరియు మూడో సోలర్ PV దేశాల సరాసరి సిస్టమ్ ధర ముఠాలను చూపిస్తుంది.

సోలర్ PV మార్కెట్, ప్రపంచవ్యాప్తంగా, గురుతర దేశాల మరియు ప్రపంచవ్యాప్త సగటు ఖర్చు ($/KW), 2010–2018 (సోష్: GlobalData)

పోటీగా ఉండడానికి, PV మరియు బలమానం నిర్మాతలు నవీకరణ లొరికి నిజాయితీ వెళ్తున్నారు. బలం రూపాంతరణ దృశ్యత మరియు ఇన్వర్టర్ బరువు / అగురు మరియు మెటీరియల్ ఖర్చు అన్ని డిజైన్‌కు కోసం గణించవలసి ఉంటాయి. సోలర్ రూపాంతరణ బలం మరియు వోల్టేజ్ స్థాయిలు అనువర్తనాల పై ఆధారపడి మార్చబడతాయి. ఘరానికి అనువర్తనాలు గాని సాధారణంగా 10kW కి కింద ఉంటాయి, మరియు వాణిజ్యం సాధారణంగా 10kW మరియు 70kW మధ్య ఉంటుంది. ఐటి-స్కేల్ పవర్ ప్లాంట్లు 70kW కి పైగా ఉంటాయి. ప్రస్తుతం గాని ప్రభుత్వ పవర్ ప్లాంట్లు 1000V గాని గరిష్ఠ బస్ వోల్టేజ్ ఉపయోగిస్తున్నాయి, కానీ తాజాగా రచించబడిన పెద్ద సోలర్ ఫార్మ్లు 1000V నుండి 1500V వరకు సోలర్ PV వోల్టేజ్ పెంచడానికి ప్రారంభించాయి. ఎక్కువ వోల్టేజ్ సెమికండక్టర్ మరియు కాపర్ నష్టాలను తగ్గించగలదు మరియు బలమానం సిస్టమ్ దృశ్యతను మరింత మెరుగా చేయవచ్చు. 1500V బస్ వోల్టేజ్ కోసం, 3-స్థాయి బూస్ట్ మరియు ఇన్వర్టర్ టాపోలజీలు 1200V స్విచింగ్ డివైస్ కలిగి ఉన్నాయి.

SiC డయోడ్లు PV బూస్ట్ కన్వర్టర్ డిజైన్‌లో గొప్పగా ఉపయోగించబడ్డాయి, మరియు SiC MOSFETs అనేది ఎక్కువ పనితీరువ ఇన్వర్టర్ అభివృద్ధిలో ఉపయోగించబడ్డాయి. దిగువ రెండు టాపోలజీ ఉదాహరణలు PV ఇన్వర్టర్ డిజైన్‌లో ఉపయోగించబడ్డాయి.

TO-247 SiC MOSFET సామాధానంతో 60kW ఇన్వర్టర్

TO-247 SiC MOSFET మరియు IV1E SiC మాడ్యూల్ సామాధానం IVCT వాడి 20kW ఇంటర్లీవ్డ్ బూస్ట్ కన్వర్టర్ అభివృద్ధి చేశారు కారణంగా SiC డయోడ్ మరియు MOSFET పనితీరువను చూపించడానికి. కన్వర్టర్‌లో నాలుగు 80mOhm 1200V IV1Q12080T4 MOSFTEs మరియు నాలుగు 10A 1200V IV1D12010T3 డయోడ్లు ఉంటాయి. 65kHz లో, 600V ఇన్‌పుట్ మరియు 800V ఆవర్టాన్ని తీసుకురావడం ద్వారా కన్వర్టర్ 99.4% సారాంశం చేస్తుంది. MOSFETs ని SiC MOSFET డ్రైవర్ IVCR1401 ద్వారా డ్రైవ్ చేస్తాయి. దిగువ ఉపాంత వాయిదాలు Vds లో మొహరాలు మరియు పడుతున్న పాల్గొన్ని చూపిస్తాయి.