SiC MOSFETs နှင့် ဂိတ်ဒ라이ဗာအသစ်များဖြင့် အင်ပိုင်းပြောင်းလဲမှုအောင်မြင်ရေး

ငါတို့ဘဝမှာ အလုပ်များအတွက် အင်အားလိုအပ်ပါတယ်။ အင်အားက အိမ်များကို အလင်းပြောင်းပြီး ပူပြီး၊ ဆောက်ရွာဖုန်း သို့မဟုတ် android tablet တို့ကို ပြန်လည်ဖော်ပိုးပြီး၊ ယာဉ်များထဲတွင် ခရီးထွက်ခြင်းအတွက်လိုအပ်ပါတယ်။ ဒါက ကမ္ဘာကို စီမံခန့်ခွဲပေးပါတယ်။ ဒါပေမယ့် အင်အားကို အသုံးပြုနိုင်သော အရာတွေအဖြစ် ပြောင်းလဲဖို့လိုအပ်ပါတယ်။ ဒီအလုပ်ကို conversion လို့ခေါ်ပါတယ်။

အင်းဂျင်ရှိ အင်တားကို အခြားပုံစံသို့ ပြောင်းလဲနိုင်သည်၊ ဒါကြောင့် ငါတို့ဟာ အဲဒီအကြောင်းကို အင်္ဂါအင်းထွက်မှုဟုခေါ်ဆိုပါတယ်။ ဥပမာအားဖြင့် ဖုန်းများကို အားပေးသည့်အခါ၊ แบတဲရီတွင် ပိုင်ဆိုင်သော အင်တားကို လူကြီးမင်းအင်တားသို့ ပြောင်းလဲသည်။ ထိုလူကြီးမင်းအင်တားသည် ဖုန်းများကို လုပ်ဆောင်နိုင်စေသည်။ သောက်လင်းပင်လည်း ငါတို့ကိုယ်တိုင်ပြောင်းလဲနိုင်သော အင်တားသို့ ပြောင်းလဲနိုင်သည်။ သောက်လင်းပန်ယူမှုကို ငါတို့ကိုယ်တိုင်အကူအညီပေးသည်။ ဒါကြောင့် ငါတို့အိမ်များကို လေ့လာစေသည် သို့မဟုတ် လက်မှတ်များကို အားပေးနိုင်စေသည်။

အဲဒီလို ပြောင်းလဲမှုကို လွယ်ကူစေရန် ငါတို့ဟာ SiC MOSFETs ကို အသုံးပြုသည်။ SiC MOSFET သည် အခြားပစ္စည်းဖြင့် ပြုလုပ်ထားသော အထူးပစ္စည်းတစ်ခုဖြစ်သည်၊ အခြားသော သို့မဟုတ် silicon carbide ဖြင့်ပြုလုပ်ထားသည်။ ဒီမှာတော့ အီလက်ထရွန်နစ်မှာ အသုံးများသော အရာတွေကို အထူးသတ်မှတ်ထားပါတယ်။ အင်္ဂါအင်းထွက် mosfet ဖြင့် ဆောင်ရွက်ရန် လိုအပ်သည်။

ဝမ်းမြစ်စရာ အင်္ဂါအင်းထွက် ပြောင်းလဲမှု သဘောတရားများ

အသစ် အင်တိုင်းပြုလုပ်ရေးနည်းပညာများ၊ SiC MOSFETs မက်သားမဟုတ်ဘဲ။ ဒါပေမယ့် သိပ္ပံပညာရှင်များနှင့် အင်ဂျင်နီယာများက အင်တိုင်းကို ပြောင်းလဲနှင့် အသုံးပြုခြင်းကို အပိုင်းကြီးထွက်ပြီး အဆင်ပြေစေရန် အချိန်များစွာ ကြိုတင်လုပ်ဆောင်ပါသည်။ သူတို့အား အနည်းဆုံးဖြစ်စေ၊ လျင်မြန်စေ၊ သို့မဟုတ် အားကောင်းစေရန် လိုအပ်ပြီး၊ အင်တိုင်းပိုမိုကောင်းမွန်စေရန် အင်အားအသုံးပြုရန် လျော့နည်းစေရန်လိုအပ်ပါသည်။

SiC MOSFETs သည် ဒီနည်းပညာ၏ ပုံမှန်ဥပမာဖြစ်ပါသည်။ အင်ဂျင်နီယာများက silicon carbide က ရှိနေသော အင်တိုင်း core shaping နည်းပညာထက် ပိုကောင်းသည်ဟု တ်မြဲခဲ့ပါသည်။ ဒါဟာ type II၊ class D package ကို အသုံးပြုခြင်းဖြစ်ပြီး၊ အင်အားအများစုကို အလုပ်လုပ်ရန် ပြောင်းလဲနိုင်ပြီး ပြောင်းလဲရာတွင် အများစုကို 丧ောင်းရန်မလိုပါ။

Gate Drivers တွင် ပိုကောင်းလာမှုများ

Gate Drivers အင်တိုင်းပြောင်းလဲနိုင်သောနည်းပညာ၏ အခြေခံအစိတ်အပိုင်းတစ်ခုမှာ gate drivers လို့ခေါ်သော အစိတ်အပိုင်းဖြစ်ပါသည်။ 1200v mosfet ကာတ် ဒရိုင်းများအားဖြင့် ထိန်းသိမ်းထားသည်။ သူတို့သည် စက်ပိုင်းချင်းစီမှ လျှော့ချမှုနှင့် ပြန်လည်လုပ်ဆောင်မှုကို ထိန်းသိမ်းသည် သို့မဟုတ် (လမ်းညွှန်) လျှော့ချမှုကို စီမံသည်။ ကာတ် ဒရိုင်းများမရှိပါက မိုက်စီဖက်များ၏ လျှော့ချမှုကို ထိန်းသိမ်းခြင်းမဖြစ်နိုင်ပါ။

SiC MOSFETs သည် ယခုအထိ ဒီဇိုင်းမှုများတွင် ပြင်ဆင်ထားသော ကာတ် ဒရိုင်းများနှင့် အကောင်းဆုံးလုပ်ဆောင်နိုင်ခြင်းမရှိခဲ့ပါ။ ဒီဇိုင်းများသည် ကာတ် ဒရိုင်းများအား မိုက်စီဖက်များကို ပိုမိုကောင်းမွန်စွာ ထိန်းသိမ်းနိုင်စေသည်။ အဲဒီလိုလုပ်ဆောင်ခြင်းက အလွန်ပိုမိုအမြန်ပြောင်းလဲနိုင်သည်။

READ MORE New SiC MOSFETs Improve Performance

ပိုကောင်းသည် နောက်ဆုံး SiC MOSFETs ကို ထုတ်လုပ်ထားသည်။ အမျိုးသမီးအင်ဂျင်နီယာများသည် အလှည့်များနှင့် အားပိုင်းများကို လှိုင်းကြောင်းထက်ပိုမိုလုပ်ဆောင်နိုင်စေရန် တည်ဆောက်ထားသည်။ အဲဒီအသစ်များက တာဝန်တစ်ခုဖြစ်သည်။ 1200v sic mosfet Allswell မှဆိုင်ရာအကြောင်းတွင် သူတို့ဟာ လိုအပ်သည့်နေရာသို့ အင်အားကိုထုတ်ယူခြင်းတွင် ပိုမိုကျော်ကျော်လွန်စွာ ကျွမ်းကျင်သည်၊ အပြင်ဆင်ခြင်းအဖြစ် အိုင်းဂျီရှိုင်းအဖြစ်မဟုတ်ဘဲ သူတို့ဟာ ကျွမ်းကျင်မှုကို အောက်ပါအတိုင်း ရှိသည်။ အကြောင်းအရာများ = အင်အားကို လွယ်ကူစွာ ဖြည့်စွက်နိုင်သည်၊ ထို့ကြောင့် အရာဝတ္ထုအားလုံးကို ပိုမိုလွယ်ကူစွာ လုပ်ဆောင်နိုင်သည်။

怴 SiC MOSFETs များက ပိုမိုမြင့်မားသောအမြန်များတွင် ပိတ်ပြီးဖွင့်နိုင်သည်။ ထို့ကြောင့် သူတို့ဟာ ပိုမိုကျော်ကျော်လွန်စွာ လုပ်ဆောင်နိုင်ပြီး လုပ်ဆောင်ခြင်းအတွင်း အင်အားကို ပိုမိုလျော့နည်းစေသည်။ သူတို့ဟာ ပိုမိုမြင့်မားသောအမြန်များတွင် လုပ်ဆောင်နိုင်သည့်အခါ ပိုမိုကျော်ကျော်လွန်စွာ လုပ်ဆောင်နိုင်သည်။ ထိုသည်က အရာဝတ္ထုများအတွက် အရေးကြီးဖြစ်သည်။

အင်အားအသုံးပြုမှုကို ပိုကောင်းစေရန်

အခုသည် ဒီအသစ်များနှင့် ပညာရေးများကို အင်အားကို သိမ်းဆည်းနိုင်ပါသည်။ ပိုမိုကျော်ကျော်လွန်စွာ အင်အားကို အကောင်းဆုံးဖြင့် လုပ်ဆောင်နိုင်သည့်အခါ ကျွန်ုပ်တို့သည် အင်အားကို လျော့နည်းစေရန် မလိုပါ။ ထိုအခါ အားလုံးက အကောင်းဆုံးဖြစ်သည်။

အားလုံးကို သတ်မှတ်ထားသည့် စွမ်းအင်ကို ပို၍ နိုင်ငံတော်ရဲ့ ပတ်ဝန်းကျင်ကို ကာကွယ်ရန်၊ လည်းကြောင်း ကူးသွားသော ဘီလီယံများကို လျှော့ချရန်အတွက် အရေးကြီးဖြစ်ပါသည်။ EVs နှင့် သတင်းအချက်အလက်များကို အသုံးပြုသည့်အခါ EROEI (Energy Returned On Energy Invested) ကို လျှော့ချရန်အတွက် အလွန်အခြေအနေများကို လိုအပ်သည်။

SiC MOSFETs နှင့် သစ်တွင်း gate drivers များကို အသုံးပြုသည့်အခါ စွမ်းအင်ဆိုင်ရာ ပုံစံများကို ပို၍ ကြီးမားသော စွမ်းအင်ကို ပြောင်းလဲနိုင်စေရန်အတွက် အရေးကြီးဖြစ်ပါသည်။ အမှန်တော်၊ ကျွန်ုပ်တို့၏ နေ့စဉ်ဘဝတွင် စွမ်းအင်ကို ပြောင်းလဲနိုင်စေရန်အတွက် အကူအညီပေးပါသည်။