1200v sic mosfet မြန်မာ

1200V SiC MOSFET အပလီကေးရှင်းများ ပြန်လည်သုံးသပ်ခြင်း။

1200V SiC MOSFET များသည် အပလီကေးရှင်းအများစုအတွက် စံပြဖြစ်စေသော မြင့်မားသောဗို့အားနှင့် ပိုမိုမြန်ဆန်သော ကူးပြောင်းမှုအမြန်နှုန်းများကို ပေးဆောင်သည်။ SiC MOSFET များကို လျှပ်စစ်မော်တော်ကားများတွင် အသုံးပြုနိုင်ပြီး ထိုကဲ့သို့သော မော်တာမောင်းနှင်သည့် အက်ပလီကေးရှင်းများအတွက် ပါဝါအီလက်ထရွန်းနစ်ပစ္စည်းများ၏ စွမ်းဆောင်ရည်နှင့် စွမ်းဆောင်ရည်ကို မြှင့်တင်ရန်အတွက် အသုံးပြုနိုင်သည်။ SiC MOSFET များသည် ကူးပြောင်းခြင်းအမြန်နှုန်းသည် ပိုမိုမြန်ဆန်ပြီး ၎င်းတို့သည် စက်မှုလုပ်ငန်းသုံး မော်တာဒရိုက်ဗ်များနှင့် ပါဝါထောက်ပံ့မှုတွင် အက်ပလီကေးရှင်းကို ရှာတွေ့နိုင်သည်

SiC MOSFET များ ၎င်းတို့၏ နည်းလမ်းရှာဖွေနေသည့် အပိုင်းတစ်ခုမှာ ပြန်လည်ပြည့်ဖြိုးမြဲစွမ်းအင်စနစ်များဖြစ်သည်။ ဥပမာအနေဖြင့်၊ ဆိုလာစွမ်းအင်စနစ်များရှိ SiC MOSFET များသည် မြင့်မားသောပါဝါသိပ်သည်းဆနှင့် ဆိုလာပြားများ၏ DC ပါဝါအား AC ဂရစ်အဖြစ်သို့ပြောင်းလဲပေးသော အင်ဗာတာများအတွက် ပိုမိုမြင့်မားသောပါဝါသိပ်သည်းဆနှင့် သက်တမ်းပိုရှည်စေရန် အလားအလာရှိသည်။ SiC MOSFETs များ၏ မြင့်မားသောဗို့အားစွမ်းရည်ကြောင့် ဆိုလာပြားများသည် ဗို့အားမြင့်ထုတ်ပေးပြီး သမားရိုးကျ ဆီလီကွန် MOSFET များသည် ၎င်းအား ရုန်းကန်နေရသောကြောင့် ဤအပလီကေးရှင်းအတွက် သင့်လျော်ပါသည်။

High-Temperature Environment တွင်အသုံးပြုရန်အတွက် 1200V SiC MOSFETs ၏ အားသာချက်များ

အားလုံးထက်၊ SiC MOSFET များသည် မြင့်မားသောအပူချိန်တွင် အလုပ်လုပ်နိုင်သည်။ အခြားတစ်ဖက်တွင်၊ ဆီလီကွန် MOSFET များသည် မြင့်မားသောအပူချိန်တွင် ထိရောက်မှုမရှိသည့်အပြင် လည်ပတ်မှုကိုရပ်တန့်ရန် အပူလွန်ကဲနိုင်သည်။ ဆီလီကွန် MOSFET များနှင့် မတူဘဲ SiC MOSFET သည် အသုံးအများဆုံး မော်တာပါဝါ လျှပ်ကာအတန်းအတွက် အမြင့်ဆုံးအပူချိန်ထက် 175°C အထိ လည်ပတ်နိုင်သည်။

ဤမြင့်မားသောအပူပေးနိုင်စွမ်းသည် စက်မှုလုပ်ငန်းသုံးကိစ္စများတွင် ပါရာဒိုင်းပြောင်းသွားနိုင်သည်။ ဥပမာအားဖြင့်၊ မော်တာဒရိုက်များတွင် မော်တာ၏အမြန်နှုန်းနှင့် torque ကိုချိန်ညှိရန် SiC MOSFET များကို အသုံးပြုနိုင်သည်။ မော်တာလည်ပတ်နေသည့် အပူချိန်မြင့်မားသော ပတ်ဝန်းကျင်တွင် SiC MOSFET များသည် သမားရိုးကျ ဆီလီကွန်အခြေခံ MOSFETs များထက် ပိုမိုထိရောက်ပြီး ယုံကြည်စိတ်ချနိုင်ပါသည်။

1200V SiC MOSFETs သည် ပြန်လည်ပြည့်ဖြိုးမြဲစွမ်းအင်စနစ်များကို မည်ကဲ့သို့တိုးတက်စေသနည်း။

ပြန်လည်ပြည့်ဖြိုးမြဲစွမ်းအင်စနစ်များသည် 1200V SiC MOSFET များ၏ သက်ရောက်မှုအတွက် အထူးကြီးမားပြီး ကြီးထွားလာနေသော ဧရိယာတစ်ခုဖြစ်သည်။ ကမ္ဘာကြီးသည် နေရောင်ခြည် သို့မဟုတ် လေပုံစံဖြင့် ပြန်လည်ပြည့်ဖြိုးမြဲစွမ်းအင်ရင်းမြစ်များဆီသို့ အရှိန်အဟုန်ဖြင့်ရောက်ရှိနေသဖြင့် ကောင်းမွန်ထိရောက်သော လျှပ်စစ်ဓာတ်အားရရှိရန် လိုအပ်လာပါသည်။

SiC MOSFET များကိုအသုံးပြုခြင်းသည် ပြန်လည်ပြည့်ဖြိုးမြဲစွမ်းအင်စနစ်များဖြင့် သာမန်စီးပွားရေးပြဿနာများစွာကို ဖြေရှင်းပေးနိုင်ပါသည်။ ဥပမာအနေဖြင့်၊ ၎င်းတို့အား လျှပ်စစ်ဓာတ်အားလိုင်းအတွက် ဆိုလာပြားများမှ DC အား AC ပါဝါသို့ ပြောင်းလဲရန် အင်ဗာတာတွင် အသုံးပြုနိုင်သည်။ SiC MOSFETs များသည် ပြောင်းလဲခြင်းအား ပိုမိုအကျိုးရှိစေပြီး၊ ဆိုလိုသည်မှာ အင်ဗာတာသည် ပိုမိုထိရောက်မှုရှိပြီး ပါဝါဆုံးရှုံးမှုနည်းပါးစွာဖြင့် လည်ပတ်နိုင်သည်ဟု ဆိုလိုသည်။

SiC MOSFET များသည် ပြန်လည်ပြည့်ဖြိုးမြဲစွမ်းအင်စနစ်များ၏ ဂရစ်ပေါင်းစည်းမှုနှင့် ဆက်စပ်နေသော အခြားပြဿနာအချို့ကို ဖြေရှင်းရာတွင်လည်း ကူညီပေးနိုင်ပါသည်။ ဥပမာအားဖြင့်၊ ဆိုလာ သို့မဟုတ် လေစွမ်းအင်ဖြင့် ဖန်တီးထားလျှင် ကွန်ရက်မည်မျှ load လုပ်နိုင်သည်ကို ဒစ်ဂျစ်တယ်နည်းဖြင့် de-modify လုပ်ပါ။ Grid-Connected Inverters- ဂရစ်-ချိတ်ဆက်ထားသော အင်ဗာတာများတွင်အသုံးပြုသော SiC MOSFET သည် ဓာတ်ပြုပါဝါကို တက်ကြွစွာထိန်းချုပ်နိုင်ပြီး၊ grid stabilization နှင့် ယုံကြည်စိတ်ချရသော စွမ်းအင်ပေးပို့မှုကို ပံ့ပိုးပေးပါသည်။

ခေတ်မီအီလက်ထရွန်နစ်ပစ္စည်းများတွင် 1200V SiC MOSFET ၏ပါဝါကိုသော့ဖွင့်ပါ။

MOSFET များသည် ၎င်းတို့၏ ရိုးရှင်းသော ဆီလီကွန် ကာဗိုက်များနှင့် ၎င်း၏ ကျယ်ပြန့်သော bandgap ဂုဏ်သတ္တိများကို မှီခိုအားထားကာ အပူချိန်၊ ကြိမ်နှုန်းများနှင့် ဗို့အားများထက် ပိုမိုမြင့်မားသော အပူချိန်၊ ဤ 1200V အဆင့်သတ်မှတ်ချက်သည် လျှပ်စစ်ကားများ (EVs၊ photovoltaicutl အင်ဗာတာများနှင့် စက်မှုမော်တာဒရိုက်များ) ကဲ့သို့သော ပါဝါမြင့်သော ပြောင်းလဲခြင်းအက်ပ်များအတွက် အထူးအရေးကြီးပါသည်။ SiC MOSFETs များသည် switching losses နှင့် conduction losses များကို လျှော့ချပေးကာ သေးငယ်သော cooling systems များကို ခွင့်ပြုပေးပြီး၊ အချိန်ကြာလာသည်နှင့်အမျှ ကုန်ကျစရိတ်ကို ချွေတာနိုင်စေမည့် စွမ်းဆောင်ရည်အသစ်ကို ရရှိစေမည့် နယ်ပယ်သစ်တစ်ခုရရှိစေပါသည်။

ပြန်လည်ပြည့်ဖြိုးမြဲစွမ်းအင်စနစ်များအတွက် ဆိုလိုသည်။

နေရောင်ခြည်စွမ်းအင်သုံး PV နှင့် လေတာဘိုင်အခြေခံသည့် ပြန်လည်ပြည့်ဖြိုးမြဲစွမ်းအင်စနစ်များသည် လျှပ်စစ်ဓာတ်အားအတက်အကျကို ခံနိုင်ရည်ရှိပြီး ဗို့အား၊ လက်ရှိကြိမ်နှုန်းစသည်တို့ကို အပြောင်းအလဲများအတွက် အာရုံခံစားနိုင်သောကြောင့် ဓာတ်အားသွင်းပါဝါအတက်အကျကို ခံနိုင်ရည်နည်းပါးသော အစိတ်အပိုင်းများ လိုအပ်ပါသည်။ 1200V SiC MOSFETs များသည် ပိုမိုမြန်ဆန်သော switching frequencies များကို ဂုဏ်ယူစွာဖြင့် စွမ်းဆောင်နိုင်ပြီး ပါဝါပြောင်းလဲခြင်းကို ပိုမိုကောင်းမွန်စွာ ထိန်းချုပ်နိုင်စေပါသည်။ ၎င်းသည် ပိုမိုကောင်းမွန်သော စနစ်တစ်ခုလုံး၏ စွမ်းဆောင်ရည်ကို ဘာသာပြန်ပေးရုံသာမက ဇယားကွက်တည်ငြိမ်မှုနှင့် ပေါင်းစည်းမှုစွမ်းရည်များကိုပါ မြှင့်တင်ပေးကာ ဂေဟစနစ်သဟဇာတဖြစ်ပြီး ပိုမိုရေရှည်တည်တံ့သော စွမ်းအင်ဖြန့်ကျက်မှုအခင်းအကျင်းကို တွန်းအားပေးရာတွင် အရေးပါသောအခန်းကဏ္ဍမှ ပါဝင်ပါသည်။

1200V SiC MOSFET နည်းပညာ [English]init (1)

၎င်းတို့သည် ပြိုင်ဖက်များထက် ပိုရှည်သည့်အပြင် အားသွင်းချိန်ပိုမိုမြန်ဆန်စေရန်အတွက် အိမ်အမှတ်တံဆိပ်များနှင့် ခေတ်မီဒီဇိုင်းများကို အဓိကဦးစားပေးလုပ်ဆောင်သည့် လျှပ်စစ်ကား (EV) စက်မှုလုပ်ငန်းတွင် မှော်ဆန်သည့်စကားလုံးများဖြစ်သည်။ Cree ၏ 1200V SiC MOSFET များသည် onboard အားသွင်းကိရိယာများနှင့် drive စနစ်များတွင် ထည့်သွင်းသည့်အခါ EV powertrains တွင် နေရာနှင့် အလေးချိန်ကို သက်သာစေသည်။ ၎င်းတို့၏ မြင့်မားသော အပူချိန်လုပ်ဆောင်ချက်သည် အအေးခံရန် လိုအပ်ချက်များကို လျော့နည်းစေပြီး ဘက်ထရီပိုများအတွက် နေရာနှင့် အလေးချိန်ကို ဖွင့်ပေးသည် သို့မဟုတ် ယာဉ်ဒီဇိုင်းကို ပိုမိုကောင်းမွန်စေသည်။ ထို့အပြင်၊ တိုးမြှင့်ထားသော စွမ်းဆောင်ရည်သည် အကွာအဝေး တိုးချဲ့မှုနှင့် အားသွင်းချိန် ပိုမိုမြန်ဆန်စေရန် ကူညီပေးသည်- EV များကို သုံးစွဲသူများက ၎င်းတို့၏ ကမ္ဘာလုံးဆိုင်ရာ ပြန့်ပွားမှုကို အရှိန်မြှင့်ပေးမည့် EV များကို အသုံးပြုရာတွင် အဓိကအချက်နှစ်ချက်ဖြစ်သည်။

ပိုမိုသေးငယ်ပြီး ယုံကြည်စိတ်ချရသော စနစ်များတွင် မြင့်မားသောအပူချိန်များ၏ စိန်ခေါ်မှုကို ဖြေရှင်းခြင်း။

အပူစီမံခန့်ခွဲမှုနှင့် အာကာသကန့်သတ်ချက်များသည် စွမ်းဆောင်ရည်မြင့်မားသော အီလက်ထရွန်နစ်စနစ်များစွာတွင် တကယ့်အခက်အခဲများဖြစ်သည်။ 1200V SiC MOSFET သည် ပိုမိုမြင့်မားသောအပူချိန်ကို ခံနိုင်ရည်ရှိသောကြောင့် အအေးခံစနစ်များကို အရွယ်အစားအပြင် ထုပ်ပိုးမှုတွင်ပါ လျှော့ချနိုင်ပြီး ယုံကြည်စိတ်ချရမှု ဆုံးရှုံးခြင်းမရှိဘဲ လုပ်နိုင်သည်ဟု ဆိုလိုသည်။ SiC MOSFET များသည် အာကာသ၊ ရေနံနှင့် သဘာဝဓာတ်ငွေ့ တူးဖော်ရေး၊ အကြီးစား စက်ယန္တရားများ ဖြစ်သည့် လည်ပတ်မှု အခြေအနေများ လိုအပ်ပြီး သေးငယ်သော ခြေရာများအတွက် နေရာ အကန့်အသတ်ဖြင့် ကြမ်းတမ်းသော ပတ်ဝန်းကျင်တွင် ခံနိုင်ရည်အား လျှော့ချပေးသည့် အလေးချိန်နည်းသည့် ခြေရာများအတွက် နေရာ ကန့်သတ်ထားသည်။

1200 V တွင် Silicon Carbide MOSFET များကို ကျယ်ပြန့်စွာအသုံးပြုခြင်း။

သို့သော် 1200V SiC MOSFETs ၏ အသုံးချမှုများသည် ပြန်လည်ပြည့်ဖြိုးမြဲစွမ်းအင်နှင့် လျှပ်စစ်ရွေ့လျားနိုင်မှုထက် ကျော်လွန်ပါသည်။ စွမ်းအင်ထိရောက်မှု၊ ပါဝါသိပ်သည်းဆ စသည်တို့ကို ပံ့ပိုးပေးရန်အတွက် ဒေတာစင်တာများနှင့် ဆက်သွယ်ရေးကိရိယာများအတွက် ကြိမ်နှုန်းမြင့် DC/DC converters များကို တီထွင်ရာတွင် အသုံးပြုပါသည်။ ၎င်းတို့သည် ဆေးဘက်ဆိုင်ရာစက်ပစ္စည်းများတွင် ပုံရိပ်ဖော်စနစ်များနှင့် ခွဲစိတ်မှုဆိုင်ရာကိရိယာများကို သေးငယ်သွားစေရန် ကူညီပေးပါသည်။ SiC နည်းပညာသည် လူသုံးအီလက်ထရွန်းနစ်ပစ္စည်းများတွင် အားသွင်းကိရိယာများနှင့် အဒက်တာများကို ပါဝါပေးထားပြီး ပိုမိုသေးငယ်ကာ အအေးခံကာ ပိုမိုထိရောက်သော စက်ပစ္စည်းများကို ရရှိစေသည်။ ဆက်လက်သုတေသနပြုခြင်းနှင့် ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုနှင့်အတူ၊ ဤအဆင့်မြင့်ပစ္စည်းများအတွက် အသုံးချပရိုဂရမ်များသည် အကန့်အသတ်မရှိသလောက်ဖြစ်သင့်သည်။