1200v sic mosfet

1200V SiC MOSFET အသုံးပြုမှုများ၏ အထုပ်အရာ

1200V SiC MOSFET တွေဟာ ပိုမြင့်တဲ့ voltage နဲ့ ပိုမြန်တဲ့ switching speed တွေကို ပေးနိုင်လို့ အများစုအတွက် အကောင်းဆုံး ဖြစ်စေပါတယ်။ SiC MOSFET များကို လျှပ်စစ်ယာဉ်များတွင် အသုံးပြု၍ ထိုကဲ့သို့သော မော်တာမောင်းနှင်သော အသုံးများအတွက် စွမ်းအင်အီလက်ထရွန်းနစ်များ၏ ထိရောက်မှုနှင့် စွမ်းဆောင်ရည်ကို မြှင့်တင်နိုင်သည်။ SiC MOSFETs switching speed က ပိုမြန်ပြီး စက်မှုမော်တာ drive တွေနဲ့ စွမ်းအင်ပေးသွင်းမှုတွေမှာလည်း အသုံးချနိုင်ပြီး တစ်ဝက်ကူး inverter အပူလွန်ကဲမှုက စိန်ခေါ်မှုတစ်ခုဖြစ်နိုင်တယ်။

SiC MOSFET တွေက လမ်းကြောင်းရှာနေတဲ့ ကဏ္ဍတစ်ခုက ပြန်လည်သုံးစွဲလို့ရတဲ့ စွမ်းအင်စနစ်တွေပါ။ ဥပမာအားဖြင့် နေရောင်ခြည်စွမ်းအင်စနစ်များတွင် SiC MOSFET များသည် နေရောင်ခြည်စု ဆဲလ်များမှ DC စွမ်းအင်ကို AC grid သို့ ပြောင်းလဲပေးသော inverter များအတွက် ပိုမြင့်မားသော စွမ်းအင်သိပ်သည်းမှုနှင့် သက်တမ်းပိုရှည်စေနိုင်စွမ်းရှိသည်။ SiC MOSFET တွေရဲ့ ပိုမြင့်တဲ့ voltage စွမ်းဆောင်ရည်ကြောင့် ဒီသုံးစွဲမှုအတွက် အကောင်းဆုံးဖြစ်တာက နေရောင်ခြည်စု ဆဲလ်တွေက voltage မြင့်မားပြီး အစဉ်အလာ silicon MOSFET တွေက ဒါကို ရုန်းကန်လို့ပါ။

အပူချိန်မြင့် ပတ်ဝန်းကျင်တွင် အသုံးပြုရန်အတွက် 1200V SiC MOSFET များ၏ အကျိုးကျေးဇူးများ

အရောင်းဆုံးသည် SiC MOSFET တွေဟာ ပိုမြင့်တဲ့ အပူချိန်မှာလည်း အလုပ်လုပ်နိုင်ပါတယ်။ အကယ်၍ Silicon MOSFET တွေဟာ ပိုမြင့်တဲ့ အပူချိန်မှာ အမြဲတမ်း မကောင်းဘူးဖြစ်ပြီး အလုပ်လုပ်နိုင်ခြင်း ရပ်တန့်လိုက်ပါတယ်။ Silicon MOSFET တွေနဲ့ မတူဘဲ SiC MOSFET ဟာ အများစုသုံးတဲ့ အင်္ဂါနှုန်းထက် ပိုမြင့်တဲ့ 175°C အထိ အလုပ်လုပ်နိုင်ပါတယ်။

ဒီ ပိုမြင့်တဲ့ အပူချိန်ဆိုင်ရာ အငြင်းပွားမှုဟာ လုပ်ငန်းအသုံးပြုမှုများမှာ ပုံစံပြောင်းလဲမှုတစ်ခုဖြစ်နိုင်ပါတယ်။ ဥပမာအားဖြင့် SiC MOSFET တွေဟာ အင်္ဂါအလုပ်မှာ အင်္ဂါ၏ အလျင်နှင့် အပိုင်းအခြားများကို ပြောင်းလဲဖို့ အသုံးပြုနိုင်ပါတယ်။ အင်္ဂါက လုပ်ဆောင်နေတဲ့ ပိုမြင့်တဲ့ အပူချိန်ပরিবে့င်မှာ SiC MOSFET တွေဟာ ကျော်လွှားတဲ့ အလုပ်လုပ်နိုင်ခြင်းနှင့် သုံးစွဲရာတွင် ပိုမြင့်တဲ့ သဘောတူညီမှုရှိပါတယ်။

1200V SiC MOSFETs က သဘာဝအင်အားစနစ်များကို ဘယ်လိုပိုကောင်းစေသလဲ

Renewable energy systems ဆိုတာဟာ 1200V SiC MOSFET တွေရဲ့ အကျိုးသက်ရောက်မှုအတွက် အထူးသဖြင့် ကြီးမားလှပြီး ပြင်ဆင်နေတဲ့ အချက်တစ်ချက်ဖြစ်ပါတယ်။ ကမ္ဘာလုံးအားလုံးဟာ solar သို့မဟုတ် wind အတွက် renewable အင်အားပြင်ဆင်နေတဲ့အခါ Power electronics ရဲ့ ကောင်းမွန်တဲ့၊ ကျွမ်းကျင်တဲ့ အသုံးပြုမှုလိုအပ်ချက်တွေ ပိုများလာပါတယ်။

SiC MOSFET များကိုသုံးခြင်းဖြင့် ပြန်လည်ထုတ်လုပ်ရေးစနစ်များအတွင်းရှိ အများစု၏ စီးပွားရေးပัญหาများကိုလည်း ဖြေရှင်းနိုင်ပါသည်။ ဥပမာအားဖြင့်၊ ဒေသများကို လှိုင်းစွမ်းအင်မှ AC စွမ်းအင်သို့ ပြောင်းလဲရန် ဆောလာပနယ်များမှ ရရှိသော DC စွမ်းအင်ကို အင်ဗာတာတွင် သုံးနိုင်သည်။ SiC MOSFET များသည် ပြောင်းလဲမှုကို ပိုမိုအမြင်ရှိစေပြီး အင်ဗာတာသည် ပိုမိုမြင်မြန်သော အလုပ်ဆောင်မှုနှင့် အနည်းငယ်သော စွမ်းအင်ဆုံးရှုံးမှုဖြင့် လုပ်ဆောင်နိုင်သည်ဟု ဆိုရပါမည်။

SiC MOSFET များသည် ပြန်လည်ထုတ်လုပ်ရေးစနစ်များ၏ ဂူရှိုင်းဝင်ရောက်မှုနှင့် ဆိုင်သော အခြားပัญหาများကိုလည်း ဖြေရှင်းနိုင်ပါသည်။ ဥပမာအားဖြင့်၊ ကြောက်လင်းသို့မဟုတ် လှိုင်းစွမ်းအင်မှ ကြီးမားသော တိုးချဲ့မှုကို ဒီဂျစ်တယ်နည်းလမ်းဖြင့် ဘယ်လောက်လျှင် သိုလှောင်နိုင်သည်ကို အလုပ်ဆောင်နိုင်သည်။ ဂူတွင် ဆက်သွယ်ထားသော အင်ဗာတာများ: ဂူတွင် ဆက်သွယ်ထားသော အင်ဗာတာများတွင် SiC MOSFET ကိုသုံးပြီး reactive power ကို အလုပ်ဆောင်နိုင်စေပြီး ဂူကို လျှော့ချနိုင်သည့်အပြင် စွမ်းအင်ကို မှန်ကန်စွာ ပေးဆောင်နိုင်သည်။

ပြင်းထန်သော အလက်ထောက်စက်မှုများတွင် 1200V SiC MOSFET များ၏ အားဖြင့် ဖွင့်လှစ်ပါ

MOSFET များသည် အလွန်မြင့်တဲ့ အပူချိန်များ၊ ရောင်ကိုယ်စီးမှုများနှင့် ဗိုလ်ထိပ်များတွင် အလုပ်လုပ်ဖို့ ဆိုလိုသည်မှာ သံ့ကာဘိုကြီး (silicon carbide) နှင့် ဒါမှာ အကြီးမားတဲ့ bandgap ဂုဏ်သိက္ခာများကို အခြေခံထားတဲ့အတွက်ဖြစ်ပါတယ်။ သို့ပြောရင် သူ့ရဲ့ သိမ်းဆည်းထားတဲ့ သံ့ကာ (silicon) တွေထက် အများအားဖြင့် ပိုကောင်းတဲ့ အရာတွေကို လုပ်ဆောင်နိုင်ပါတယ်။ ဒီ 1200V အမှတ်တွေက အလွန်အရေးကြီးပါတယ်။ အဲဒီမှာ အီလက်ထရီကယ် ယာဉ်များ (EVs)၊ ဖိုင်ဝါလ်တီကျူလ်တာ (photovoltaic) inverters နှင့် လုပ်ငန်းဆိုင်ရာ motor drives တွင် အများအားဖြင့် အမြင့်အင်အား conversion applications တွင် အသုံးပြုသည်။ SiC MOSFET များသည် switching losses နှင့် conduction losses ကို လျော့နည်းစေပြီး အလွန်သက်သာသော efficiency ကို ဖြစ်ပေါ်စေပြီး အဲဒီအားဖြင့် အသေးငယ်တဲ့ cooling systems၊ အင်အားကို လျော့နည်းစေပြီး အချိန်ကြာလာတွင် ကျွဲဝယ်ရေးဆိုင်ရာ သင့်တဲ့အချက်တွေကိုပေးပါတယ်။

ဒါဟာ သဘာဝအင်အားစနစ်များအတွက် ဘာကြောင့်အဓိပ္ပါယ်ရှိလဲ

အင်တာနက်သို့ ပေါင်းစည်းထားသော ရေဒီယိုလှိုင်း PV နှင့် လေဆိပ်ခရုများအခြေပြောင်းသော အသစ်စွမ်းအင်စနစ်များသည် ဗိုလ်တေး၊ လျှပ်စစ်ဖိုင်ကွဲများစသည့် ပြောင်းလဲမှုများအား သံသယရှိသည်။ ထို့အပြင် ဝင်ရောက်လာသော အင်ပြားများ၏ ပြောင်းလဲမှုများနှင့် အတူရှိသော ကြိမ်မြင့်ကို မျှော်လင့်နိုင်သည့် အစိတ်အပိုင်းများလည်း လိုအပ်သည်။ 1200V SiC MOSFETs များသည် ပိုမိုများစွာ လျှပ်စစ်ဖိုင်ကွဲများကို ပိုမိုများစွာ ပြောင်းလဲနိုင်စေရန် ပိုမိုများစွာ လျှပ်စစ်ဖိုင်ကွဲများကို ပိုမိုများစွာ ပြောင်းလဲနိုင်စေရန် အားပေးသည်။ ထို့အပြင် စုစုပေါင်းစနစ်၏ ကိုင်တွယ်မှုကို ပိုမိုများစွာ တိုးတက်စေပြီး အင်တာနက်၏ ကိုင်တွယ်မှုနှင့် ပေါင်းစည်းမှုကိုလည်း ပိုမိုများစွာ တိုးတက်စေသည်။ ထို့အားဖြင့် ပတ်ဝန်းကျင်တွင် ပိုမိုများစွာ သဘာဝကို သိမ်းဆည်းနိုင်သော အသစ်စွမ်းအင်ပြုလုပ်မှုကို တိုးတက်စေရန် အဓိကအခန်းကဏ္ဍတစ်ခုအဖြစ် ဆောင်ရွက်သည်။

အကြီးဆုံးအကွာအဝေးနှင့် ပိုမိုများစွာ အမြန်ပြုလုပ်သည့် 1200V SiC MOSFET တံဆိပ် [English] (1)

သူတို့သည် အီလက်ထရီကယ် ကား (EV) စက်မှုတွင် မီဂျစ်ဝါဒဖြစ်ပြီး၊ အိမ်ရောင်းမာရေးနှင့် အဆင့်မြင့်ဆုံးဒီဇိုင်းများသည် အဓိကအချက်မှာ ပိုမိုကြီးမားသောအကွာအဝေးများကို ရှာဖွေရေးနှင့် ပိုမိုများပြားသော အချိန်များအတွင်း ပြန်လည်ဖျက်ရေးအား ရှာဖွေရေးဖြစ်သည်။ Cree ၏ 1200V SiC MOSFETs သည် EV powertrains တွင် အသုံးပြုလျှင် onboard chargers နှင့် drive systems တွင် အပြင်းအထန်ကို သိမ်းဆည်းနိုင်ပြီး weight ကိုလည်း လျော့နည်းစေသည်။ သူတို့၏ အပူပိုင်းမြင့်ဆုံးလုပ်ငန်းများသည် cooling requirements ကို လျော့နည်းစေပြီး၊ ထို့ကြောင့် ပိုမိုကြီးမားသော batteries များအတွက် အပြင်းအထန်ကို ဖြစ်စေသည် သို့မဟုတ် vehicle design ကို ပိုမိုကောင်းစေသည်။ ထပ်ပေါင်းလုပ်ငန်းမှာ range extension နှင့် ပိုမိုများပြားသော charging times များဖြစ်ပြီး၊ ဒီနှစ်ခုသည် consumer adoption of EVs ကို ပိုမိုကောင်းစေပြီး ဒီမှာ global proliferation ကို ပိုမိုများပြားစေသည်။

အပူပိုင်းမြင့်တဲ့ အခြေအနေများကို အသေးစိတ်ပိုမိုနှင့် ပိုမိုချိန်ကျသော စနစ်များတွင် ဖြေရှင်းခြင်း

အိမ်နှင့် အကြားထုတ်လွှတ်မှု ပြဿနာများသည် မြင့်ဆုံး အလုပ်လုပ်စရာ အီလက်ထရောနစ် စနစ်များတွင် အပြင်းအထန်ဖြစ်ပါသည်။ ၁၂၀၀ဗိုလ်တွင် SiC MOSFET သည် မြင့်မားသော အပူချိန်များကို အလွယ်တကူ မီးကျောင်းနိုင်သည့်အတွက်၊ အဲဒီမှာ အိမ်နှင့် ပုံစံအတွင်း အရွယ်အစားကို လျော့နည်းစေရန် ပြုလုပ်နိုင်ပြီး မီးကျောင်းမှု စနစ်များကိုလည်း လျော့နည်းစေရန် ပြုလုပ်နိုင်ပါသည်။ လေယာဉ်လှပခြင်း၊ သံဃာသံဃာ လျှော့ချမှု၊ မြင့်မားသော ကုန်စုံမှုများတွင် SiC MOSFETs သည် လုပ်ငန်းရှိသော အခြေအနေများသည် တောင်းဆိုပါက အရွယ်အစားကို လျော့နည်းစေရန်၊ အလေးချိန်ကို လျော့နည်းစေရန် ပြုလုပ်နိုင်ပြီး မီးကျောင်းမှု အခြေအနေများတွင် မီးကျောင်းမှု အလုပ်လုပ်စရာများကိုလည်း လျော့နည်းစေပါသည်။

၁၂၀၀ဗိုလ်တွင် Silicon Carbide MOSFETs အသုံးပြုခြင်း

သို့သော် 1200V SiC MOSFET များ၏ အသုံးပြုချက်များသည် ရန်ကုန်ငွေအင်အားနှင့် လျင်မြင်စွမ်းအားကိရိယာများထက် အများကြီးတိုးချဲ့ထားသည်။ ဒေတာစင်တာများနှင့် ဆက်သွယ်ရေးကိရိယာများအတွက် မြင့်လေ့လာသော DC/DC ပြောင်းလဲသောက်များဖြစ်ပွားရေးတွင် သူတို့ကို အသုံးပြုပြီး အင်အားကို ကျွမ်းကျင်စွာ သုံးစွဲရန်၊ စွမ်းအားသြားမှုကို တိုးတက်ရန် အကူအညီပေးသည်။ သူတို့သည် ရောဂါရေးကိရိယာများတွင် ဓာတ်ပုံစနစ်များနှင့် ဆေးပညာရေးလက်မှတ်များကို အရာရှိစွာ အလျင်မြင်လေးလုပ်ရန် အကူအညီပေးသည်။ SiC တော်တော်များသည် အသုံးပြုသူလက်ရှိအင်တာနက်များတွင် ခေါင်းဆောင်မှုများနှင့် ပြုပြင်သောက်များကို အင်အားပိုင်းကို အလျင်မြင်လေးလုပ်ရန် အကူအညီပေးသည်။ လျှို့ဝှက်သော လေ့လာမှုနှင့် ပြုပြင်မှုများဖြင့် ဒီဇိုင်းမတူဘဲ အသုံးပြုနိုင်သော အရည်အချင်းများအတွက် အသုံးပြုချက်များသည် အခြေခံမဟုတ်သော အချိန်များအတွင်း ရှိနေမည်ဖြစ်သည်။