ကျွန်ုပ်တို့၏ဘ၀တွင် အရာများစွာကိုလုပ်ဆောင်ရန် စွမ်းအားလိုအပ်ပါသည်။ ပါဝါသည် ကျွန်ုပ်တို့၏အိမ်များကို အလင်းရောင်နှင့် အပူပေးရန်၊ ဆဲလ်လူလာဖုန်း သို့မဟုတ် android တက်ဘလက်အားသွင်းကိရိယာများကဲ့သို့ ပါဝါအသုံးပြုမှုနှင့် ကျွန်ုပ်တို့၏မော်တော်ယာဉ်များတွင် ခရီးလှည့်လည်ခြင်းများကို အသုံးပြုပါသည်။ ကျွန်ုပ်တို့၏ကမ္ဘာကို စည်းစနစ်ကျစေသည်။ သို့သော် အမှန်တကယ်ပါဝါကို အသုံးပြု၍ရနိုင်သော အရာတစ်ခုအဖြစ် ဘာသာပြန်ရပါမည်။ ပါဝါပြောင်းလဲခြင်းဖြစ်စဉ်ကို ပြောင်းလဲခြင်းဟု ခေါ်သည်။
စွမ်းအင်ကို အခြားပုံစံသို့ ကူးပြောင်းနိုင်သည်၊ ၎င်းကို ကျွန်ုပ်တို့၏ ဖုန်းများကို အားသွင်းခြင်းကဲ့သို့ ပါဝါပြောင်းလဲခြင်းဟုခေါ်သည်၊ ဥပမာ၊ ကျွန်ုပ်တို့သည် ဘက်ထရီထဲတွင် သိမ်းဆည်းထားသော စွမ်းအင်ကို လျှပ်စစ်စွမ်းအင်အဖြစ်သို့ ပြောင်းလဲပေးပါသည်။ ထိုလျှပ်စစ်စွမ်းအင်သည် ကျွန်ုပ်တို့၏ ဖုန်းများကို အသက်ဝင်စေပြီး လည်ပတ်နေစေပါသည်။ နေရောင်ခြည်တောင်မှ အဲဒါကို လျှပ်စစ်စွမ်းအင်အဖြစ် ပြောင်းလဲရာမှာ ချန်ထားလို့မရပါဘူး။ ဆိုလာပြားများသည် ကျွန်ုပ်တို့၏ မိတ်ဆွေများပင်။ ၎င်းသည် ကျွန်ုပ်တို့အား နေ၏စွမ်းအားကို အသုံးချပြီး ကျွန်ုပ်တို့၏အိမ်များကို လင်းထိန်စေရန် သို့မဟုတ် ကျွန်ုပ်တို့၏စက်ပစ္စည်းများကို အားသွင်းရန် ၎င်းကိုအသုံးပြုရန် ကူညီပေးသည်။
ဤအကူးအပြောင်းကို သက်သာစေရန်၊ ကျွန်ုပ်တို့သည် ကျွန်ုပ်တို့၏ အပလီကေးရှင်းများတွင် SiC MOSFET များကို ပေါင်းစပ်ထည့်သွင်းထားပါသည်။ SiC MOSFET သည် အခြေခံအားဖြင့် ဆီလီကွန်ကာဗိုက် အမျိုးမျိုးဖြင့် ပြုလုပ်ထားသော ပုံမှန်မဟုတ်သော ကိရိယာတစ်ခုဖြစ်သည်။ အထူးသဖြင့် လိုအပ်သော အရာများအတွက် အီလက်ထရွန်းနစ်ပစ္စည်း များတွင် ခေတ်စားလာခဲ့သည်။ ပါဝါ mosfet ကိုင်တွယ်ဖြေရှင်းရန်။
ဆန်းကြယ်သော ပါဝါကူးပြောင်းမှု ဆန်းသစ်တီထွင်မှုများ
ပါဝါ Semiconductors အသစ်များနှင့် SiC MOSFETs များသာမကဘဲ ထို့ကြောင့်၊ သိပ္ပံပညာရှင်များနှင့် အင်ဂျင်နီယာများသည် ပါဝါအသွင်ပြောင်းပြီး အသုံးပြုသည့် အေးသောနည်းလမ်းများကို တီထွင်ရန် အချိန်များစွာ သုံးစွဲကြသည်။ ၎င်းတို့သည် သေးငယ်သည်၊ ပေါ့ပါးပြီး ခိုင်ခံ့နိုင်သမျှ သေးငယ်စေလိုသော စက်ပစ္စည်းများသည် ပို၍ အစွမ်းထက်သော်လည်း စွမ်းအင်နည်းပါးသည်။
SiC MOSFETs သည် ဤနည်းပညာ၏ ပြီးပြည့်စုံသော ဥပမာတစ်ခုဖြစ်သည်။ ဆီလီကွန်ကာဗိုက်သည် ဤအမျိုးအစား II၊ class D ပက်ကေ့ဂျ်ကို အသုံးပြုထားသော လက်ရှိနှင့် ခေတ်ပေါ်ပါဝါ-coreshaping နည်းပညာပုံစံများထက် များစွာသာလွန်ကြောင်း အင်ဂျင်နီယာများက ဆုံးဖြတ်ခဲ့သည်။ ဆိုလိုသည်မှာ ၎င်းတို့သည် ပြောင်းလဲစဉ်အတွင်း Partprises အများစုကို ဆုံးရှုံးမည့်အစား အလုပ်လုပ်ဖို့ စွမ်းအင်ပိုမိုပြောင်းလဲနိုင်သည်ဟု ဆိုလိုသည်။
Gate Drivers များတွင် တိုးတက်မှုများ
Gate Drivers ပါဝါပြောင်းလဲခြင်းနည်းပညာ၏နောက်ထပ်သော့ချက်အစိတ်အပိုင်းမှာ ဂိတ်ဒရိုက်ဘာများဟုလူသိများသောဒြပ်စင်တစ်ခုဖြစ်သည်။ 1200v mosfet Gate drivers တွေက ထိန်းချုပ်ထားပါတယ်။ ၎င်းတို့သည် စက်တစ်ခုစီမှ အဖွင့်အပိတ်လုပ်သည့် ပါဝါကို ထိန်းချုပ်ခြင်း သို့မဟုတ် ဖြတ်သန်းသွားသော လျှပ်စစ်စီးဆင်းမှု (လမ်းကြောင်း) ကို စီမံခန့်ခွဲသည်။ ဂိတ်ဒရိုင်ဘာများမရှိဘဲ MOSFET ၏ပြောင်းခြင်းကိုထိန်းချုပ်ရန်မဖြစ်နိုင်သောကြောင့်၎င်းသည်လိုအပ်သည်။
SiC MOSFETs များသည် ၎င်းတို့ကို ဒီဇိုင်းထုတ်ပုံတွင် တိုးတက်မှုအသစ်များကြောင့် ယခုပြုလုပ်သည့်အတိုင်း ရှိပြီးသားဂိတ်ဒရိုင်ဘာများနှင့် ကောင်းစွာအလုပ်မလုပ်ပါ။ ဤတိုးတက်မှုများသည် MOSFET များကို ပိုမိုကောင်းမွန်သောတုံ့ပြန်မှုဖြင့် ပိုမိုတိကျစွာထိန်းချုပ်နိုင်စေသည် ။ ဤအရာ၏အကျိုးကျေးဇူးမှာ SiC MOSFETs ကိုအသုံးပြုသောအခါတွင်အရာအားလုံးကိုပိုမိုမြန်ဆန်စွာဖွင့်နိုင်ပိတ်နိုင်သည်။
SiC MOSFET အသစ်များသည် စွမ်းဆောင်ရည်ကို ပိုကောင်းအောင် ဖတ်ရှုပါ။
ပိုကောင်းတာက နောက်ဆုံးထွက် SiC MOSFET တွေကို ကြေငြာထားပါတယ်။ အမှန်မှာ၊ အင်ဂျင်နီယာများသည် ယခင်ကထက် ပါဝါနှင့်ဗို့အား ပိုမိုကိုင်တွယ်ရန် ၎င်းတို့ကို တည်ဆောက်နေပါသည်။ ဤအသစ်မှရရှိလာသောအားသာချက်များထဲမှတစ်ခု 1200v sic mosfet Allswell ၏ အဆိုအရ ၎င်းတို့သည် အပူရှိန်တွင် ကုန်ဆုံးသွားသည့် စွမ်းအင်အဖြစ် သင်သွားလိုသော နေရာကို လွှတ်တင်ခြင်း မပြုဘဲ ပါဝါချထားရာတွင် ပို၍ ထိရောက်မှု ရှိခြင်း ဖြစ်သည်။ ခံနိုင်ရည်နည်းတယ်လို့ ခေါ်တဲ့ သူတို့မှာ ဒါကို လုပ်နိုင်တယ်လေ။ ခုခံမှုနည်းခြင်း = စွမ်းအင်ကို ဖြတ်ကျော်ရန် ပိုမိုလွယ်ကူစေပြီး အရာအားလုံးကို ချောမွေ့စေပါသည်။
SiC MOSFET အသစ်များသည် ပိုမိုမြင့်မားသောအမြန်နှုန်းဖြင့် အဖွင့်အပိတ်လုပ်နိုင်သည် ။ ထို့ကြောင့် ၎င်းတို့သည် ပိုမိုထိရောက်စွာ လုပ်ဆောင်နိုင်ပြီး လုပ်ငန်းစဉ်တွင် စွမ်းအင်နည်းပါးသည်။ ၎င်းတို့သည် ပိုမိုမြန်ဆန်စွာပြောင်းနိုင်လေလေ ၎င်းတို့သည် ပိုမိုထိရောက်ပြီး အီလက်ထရွန်နစ်စက်ပစ္စည်းများစွာအတွက် အရေးကြီးပါသည်။
စွမ်းအင်ကို ပိုကောင်းအောင် အသုံးချပါ။
သေချာပါတယ်၊ ဒီစိတ်ကူးသစ်တွေနဲ့ နည်းပညာတွေအားလုံးက ကျွန်တော်တို့ကို စွမ်းအင်ကို သက်သာစေနိုင်ပါတယ်။ ချဉ်းကပ်မှုမှာ ကျွန်ုပ်တို့၏ ပါဝါကော်ဓာတ်သည် ပိုမိုထိရောက်လေလေ၊ ကျွန်ုပ်တို့အားလုံး စွမ်းအင်ကို ဆုံးရှုံးသွားကြောင်း သေချာစေသည်။ ဤအခြေအနေမျိုးတွင် လူတိုင်းအကျိုးရှိသည်။
ကျွန်ုပ်တို့သည် ကျွန်ုပ်တို့၏ပတ်ဝန်းကျင်ကို ကယ်တင်ရန်နှင့် လျှပ်စစ်မီတာခများကို အနည်းဆုံးသုံးစွဲနိုင်စေသောကြောင့် ကျွန်ုပ်တို့သည် စွမ်းအင်ကို ပညာရှိရှိအသုံးပြုရန် အရေးကြီးပါသည်။ ဥပမာအားဖြင့် EROEI (Energy Returned On Energy Invested) ကို လျှော့ချခြင်းအပေါ် အလွန်မှီခိုနေရသော EV များနှင့် ပြန်လည်ပြည့်ဖြိုးမြဲစွမ်းအင်များကို ၎င်းတို့၏ ထုတ်လုပ်မှုနှင့် အသုံးပြုမှုတွင် ကြည့်ပါ။
SiC MOSFET များနှင့် ဂိတ်ဒရိုင်ဘာအသစ်များသည် ပိုမိုထိရောက်ပြီး ပါဝါမြင့်မားသော စက်ပစ္စည်းများအတွက် ခွင့်ပြုပေးသောကြောင့် အဆိုပါတိုးတက်မှုများကို လိုက်လျောညီထွေဖြစ်စေရန် ပို၍ဖြစ်နိုင်ချေရှိသည်။ တကယ်တော့၊ သူတို့က ကျွန်ုပ်တို့ရဲ့နေ့စဉ်ဘ၀မှာ ကျွန်ုပ်တို့ရဲ့ စွမ်းအင်ကို ပြောင်းလဲပေးပြီး စွမ်းအင်ကို ပြောင်းလဲဖို့ ကူညီပေးနေပါတယ်။