650V 25mΩ Gen2 Kenderaan SiC MOSFET

Ciri-ciri

Permohonan

Garis Besar:

Rajah Penandaan:

Penarafan Maksimum mutlak (TC=25°C kecuali dinyatakan lain)

Simbol	Parameter	nilai	unit	Keadaan Ujian	Nota
VDS	Voltan Drain-Sumber	650	V	VGS =0V, ID =100μA
VGSmax (DC)	Voltan DC maksimum	-5 hingga 20	V	Statik (DC)
VGSmax (Spike)	Voltan puncak maksimum	-10 hingga 23	V	Kitaran duti<1%, dan lebar pulsa<200ns
VGSon	Voltan penyalaan yang disyorkan	18±0.5	V
VGSoff	Voltan pematian yang disyorkan	-3.5 hingga -2	V
id	Arus penguras (terus-menerus)	99	A	VGS =18V, TC =25°C	Raj. 23
		72	A	VGS =18V, TC =100°C
IDM	Arus penjinak (tertumpu)	247	A	Lebar denyutan terhad oleh SOA	Rajah 26
Ptot	Jumlah pembebasan kuasa	454	W	TC =25°C	Raj. 24
TSTG	Julat Suhu Penyimpanan	-55 hingga 175	°C
Tj	Suhu persimpangan operasi	-55 hingga 175	°C
TL	Suhu penyolderan	260	°C	penyolderan gelombang sahaja dibenarkan pada pin, 1.6mm dari kes selama 10 saat

Data haba

Simbol	Parameter	nilai	unit	Nota
Rθ(J-C)	Hambatan Tepi dari Junction ke Kes	0.33	°C/W	Rajah. 25

Ciri-ciri Elektrik (TC =25。C melainkan dinyatakan sebaliknya)

Simbol	Parameter	nilai			unit	Keadaan Ujian	Nota
Simbol	Parameter	Min.	- TIP.	Max.	unit	Keadaan Ujian	Nota
IDSS	Arus pengurasan voltan sifar gerbang		3	100	μA	VDS =650V, VGS =0V
IGSS	Pasaran kebocoran pintu			±100	nA	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	Voltan ambang pintu	1.8	2.8	4.5	V	VGS=VDS , ID =12mA	Rajah 8, 9
VTH	Voltan ambang pintu		2.0			VGS=VDS , ID =12mA @ TJ =175。C	Rajah 8, 9
Ron	Hambatan statik drain-sumber pada keadaan hidup		25	33	mΩ	VGS =18V, ID =40A @TJ =25。C	Rajah 4, 5, 6, 7
Ron	Hambatan statik drain-sumber pada keadaan hidup		38		mΩ	VGS =18V, ID =40A @TJ =175。C	Rajah 4, 5, 6, 7
Ciss	Kapasiti input		3090		PF	VDS=600V, VGS =0V, f=1MHz, VAC=25mV	Rajah 16
Coss	Kapacitans Output		251		PF
Crss	Kapasiti pemindahan terbalik		19		PF
Eoss	tenaga ter simpan Coss		52		μJ		Rajah 17
Qg	cas gate jumlah		125		NC	VDS =400V, ID =40A, VGS =-3 hingga 18V	Rajah 18
Qgs	Cas gate-source		35.7		NC
Qgd	Cas gate-drain		38.5		NC
Rg	Tahanan input gate		1.5		Ω	f=1MHz
EON	Tenaga Pertukaran Hidup		218.8		μJ	VDS =400V, ID =40A, VGS =-3.5 hingga 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=200μH TJ =25。C	Rajah 19, 20
EOFF	Tenaga Pertukaran Mati		95.0		μJ
td ((on)	Masa kelewatan penyambutan		12.9		n
tr	Masa naik		26.5
td ((off)	Masa kelewatan penutupan		23.2
TF	Waktu kejatuhan		11.7
EON	Tenaga Pertukaran Hidup		248.5		μJ	VDS =400V, ID =40A, VGS =-3.5 hingga 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=200μH TJ =175。C	Rajah 22
EOFF	Tenaga Pertukaran Mati		99.7		μJ		Rajah 22

Ciri-ciri Diod Terbalik (TC =25。C melainkan dinyatakan sebaliknya)

Simbol	Parameter	nilai			unit	Keadaan Ujian	Nota
Simbol	Parameter	Min.	- TIP.	Max.	unit	Keadaan Ujian	Nota
VSD	Voltan dioda ke hadapan		3.7		V	ISD =20A, VGS =0V	Rajah 10, 11, 12
VSD	Voltan dioda ke hadapan		3.5		V	ISD =20A, VGS =0V, TJ =175。C	Rajah 10, 11, 12
trr	Masa Pemulihan Balik		32		n	VGS =-3.5V/+18V, ISD =40A, VR =400V, RG(ext) =7.5Ω L=200μH di/dt=3000A/μs
Qrr	Cas Charge Pemulihan Balik		195.3		NC
IRRM	Arus pulih terbalik puncak		20.2		A