Laman Utama / Produk / Komponen / SiC MOSFET
Tempat asal: | Zhejiang |
Nama Jenama: | Inventchip Technology |
Nombor Model: | IV2Q171R0D7Z |
Pensijilan: | AEC-Q101 diperolehi kelayakan |
Ciri-ciri
Teknologi SiC MOSFET Generasi Kedua dengan pendorong gete +15~+18V
Voltan blokkan tinggi dengan rintangan hidup rendah
Penukaran laju tinggi dengan kapasitance rendah
Kemampuan suhu persimpangan operasi 175℃
Diode badan intrinsik yang sangat pantas dan kukuh
Masukan gerbang Kelvin memudahkan reka cipta litar pemandu
AEC-Q101 diperolehi kelayakan
Permohonan
Inverter suria
Pasukan kuasa bantuan
Sistem Kuasa Mod Pengalihan
Meter pintar
Garis Besar:
Rajah Penandaan:
Penarafan Maksimum mutlak (TC=25°C kecuali dinyatakan lain)
Simbol | Parameter | nilai | unit | Keadaan Ujian | Nota |
VDS | Voltan Drain-Sumber | 1700 | V | VGS =0V, ID =10μA | |
VGSmax (Sekejap) | Voltan puncak maksimum | -10 hingga 23 | V | Siklus tugas <1%, dan lebar pulsa<200ns | |
VGSon | Voltan penyalaan yang disyorkan | 15 hingga 18 | V | ||
VGSoff | Voltan pematian yang disyorkan | -5 hingga -2 | V | Nilai tipikal -3.5V | |
id | Arus penguras (terus-menerus) | 6.3 | A | VGS =18V, TC =25°C | Raj. 23 |
4.8 | A | VGS =18V, TC =100°C | |||
IDM | Arus penjinak (tertumpu) | 15.7 | A | Lebar pulsa had terhadap SOA dan Rθ(J-C) dinamik | Raj. 25, 26 |
ISM | Arus diod badan (tertumpu) | 15.7 | A | Lebar pulsa had terhadap SOA dan Rθ(J-C) dinamik | Raj. 25, 26 |
Ptot | Jumlah pembebasan kuasa | 73 | W | TC =25°C | Raj. 24 |
TSTG | Julat Suhu Penyimpanan | -55 hingga 175 | °C | ||
Tj | Suhu persimpangan operasi | -55 hingga 175 | °C |
Data haba
Simbol | Parameter | nilai | unit | Nota |
Rθ(J-C) | Hambatan Tepi dari Junction ke Kes | 2.05 | °C/W | Rajah. 25 |
Ciri-ciri Elektrik (TC =25°C kecuali dinyatakan lain)
Simbol | Parameter | nilai | unit | Keadaan Ujian | Nota | ||
Min. | - TIP. | Max. | |||||
IDSS | Arus pengurasan voltan sifar gerbang | 1 | 10 | μA | VDS =1700V, VGS =0V | ||
IGSS | Pasaran kebocoran pintu | ±100 | nA | VDS =0V, VGS = -5~20V | |||
VTH | Voltan ambang pintu | 1.8 | 3.0 | 4.5 | V | VGS =VDS , ID =380uA | Rajah 8, 9 |
2.0 | V | VGS =VDS , ID =380uA @ TJ =175°C | |||||
Ron | Hambatan statik sumber-pengimbas pada | 700 1280 | 910 | mΩ | VGS=18V, ID =1A @TJ =25°C @TJ =175°C | Rajah 4, 5, 6, 7 | |
950 1450 | 1250 | mΩ | VGS=15V, ID =1A @TJ =25°C @TJ =175°C | ||||
Ciss | Kapasiti input | 285 | PF | VDS =1000V, VGS =0V, f=1MHz, VAC=25mV | Rajah 16 | ||
Coss | Kapacitans Output | 15.3 | PF | ||||
Crss | Kapasiti pemindahan terbalik | 2.2 | PF | ||||
Eoss | tenaga ter simpan Coss | 11 | μJ | Rajah 17 | |||
Qg | cas gate jumlah | 16.5 | NC | VDS =1000V, ID =1A, VGS =-5 hingga 18V | Rajah 18 | ||
Qgs | Cas gate-source | 2.7 | NC | ||||
Qgd | Cas gate-drain | 12.5 | NC | ||||
Rg | Tahanan input gate | 13 | Ω | f=1MHz | |||
EON | Tenaga Pertukaran Hidup | 51.0 | μJ | VDS =1000V, ID =2A, VGS =-3.5V hingga 18V, RG(ext) =10Ω, L=2330μH Tj=25°C | Rajah 19, 20 | ||
EOFF | Tenaga Pertukaran Mati | 17.0 | μJ | ||||
td ((on) | Masa kelewatan penyambutan | 4.8 | n | ||||
tr | Masa naik | 13.2 | |||||
td ((off) | Masa kelewatan penutupan | 12.0 | |||||
TF | Waktu kejatuhan | 66.8 | |||||
EON | Tenaga Pertukaran Hidup | 90.3 | μJ | VDS =1000V, ID =2A, VGS =-3.5V hingga 18V, RG(ext) =10Ω, L=2330μH Tj=175°C | Rajah 22 |
Ciri-ciri Diod Terbalik (TC =25。C melainkan dinyatakan sebaliknya)
Simbol | Parameter | nilai | unit | Keadaan Ujian | Nota | ||
Min. | - TIP. | Max. | |||||
VSD | Voltan dioda ke hadapan | 4.0 | V | ISD =1A, VGS =0V | Rajah 10, 11, 12 | ||
3.8 | V | ISD =1A, VGS =0V, TJ =175。C | |||||
adalah | Arus hadapan diod (terus) | 11.8 | A | VGS =-2V, TC =25。C | |||
6.8 | A | VGS =-2V, TC=100。C | |||||
trr | Masa Pemulihan Balik | 20.6 | n | VGS=-3.5V/+18V, ISD =2A, VR =1000V, RG(ext)=10Ω L=2330μ H di/dt=5000A/μs | |||
Qrr | Cas Charge Pemulihan Balik | 54.2 | NC | ||||
IRRM | Arus pulih terbalik puncak | 8.2 | A |
Penjanaan Tipikal (lengkung)
Dimensi Pakej
Nota:
1. Rujukan Pakej: JEDEC TO263, Variasi AD
2. Semua Dimensi dalam mm
3. Tunduk kepada Perubahan Tanpa Notis