1700V 1000mΩ SiC MOSFET Penyongsang suria Malaysia

Tempat Asal:	Zhejiang
Nama jenama:	Teknologi Cipta Cipta
Nombor model:	IV2Q171R0D7Z
Persijilan:	AEC-Q101 berkelayakan

Ciri-ciri

• Teknologi SiC MOSFET Generasi Kedua dengan pemacu pintu +2~+15V

• Voltan menyekat tinggi dengan rintangan pada rendah

• Pensuisan berkelajuan tinggi dengan kapasitansi rendah

• Keupayaan suhu simpang operasi 175℃

• Diod badan intrinsik ultra pantas dan teguh

• Reka bentuk litar pemacu pelonggaran input get Kelvin

• AEC-Q101 berkelayakan

Aplikasi

• Penyongsang solar

• Bekalan kuasa tambahan

• Bekalan kuasa mod suis

• Meter pintar

Rangka:

 

Rajah Penandaan:

Penilaian Maksimum Mutlak(TC=25°C melainkan dinyatakan sebaliknya)

Simbol	Parameter	nilai	Unit	Keadaan ujian	Nota
VDS	Voltan Punca Parit	1700	V	VGS =0V, ID =10μA
VGSmax (Transient)	Voltan pancang maksimum	-10 hingga 23	V	Kitaran tugas <1%, dan lebar nadi<200ns
VGSon	Voltan hidup yang disyorkan	15 hingga 18	V
VGSoff	Voltan matikan yang disyorkan	-5 hingga -2	V	Nilai biasa -3.5V
ID	Arus longkang (berterusan)	6.3	A	VGS =18V, TC =25°C	Rajah 23
		4.8	A	VGS =18V, TC =100°C
IDM	Arus longkang (berdenyut)	15.7	A	Lebar nadi dihadkan oleh SOA dan Rθ(JC) dinamik	Rajah 25, 26
ISM	Arus diod badan (berdenyut)	15.7	A	Lebar nadi dihadkan oleh SOA dan Rθ(JC) dinamik	Rajah 25, 26
PTOT	Jumlah pelesapan kuasa	73	W	TC =25°C	Rajah 24
Tstg	Julat suhu penyimpanan	-55 hingga 175	° C
TJ	Suhu simpang operasi	-55 hingga 175	° C

Data Terma

Simbol	Parameter	nilai	Unit	Nota
Rθ(JC)	Rintangan Terma dari Persimpangan ke Kes	2.05	° C / W	Rajah 25

Ciri-ciri elektrik(TC =25°C melainkan dinyatakan sebaliknya)

Simbol	Parameter	nilai			Unit	Keadaan ujian	Nota
		Min.	Jenis.	Maks.
IDSS	Arus saliran voltan gerbang sifar		1	10	μA	VDS =1700V, VGS =0V
IGSS	Arus kebocoran pintu			± 100	nA	VDS =0V, VGS = -5~20V
KAD VTH	Voltan ambang pintu	1.8	3.0	4.5	V	VGS =VDS , ID =380uA	Rajah 8, 9
			2.0		V	VGS =VDS , ID =380uA @ TJ =175°C
RON	Sumber saliran statik hidup - rintangan		700 1280	910	mΩ	VGS=18V, ID =1A @TJ =25°C @TJ =175°C	Rajah 4, 5, 6, 7
			950 1450	1250	mΩ	VGS=15V, ID =1A @TJ =25°C @TJ =175°C
Ciss	Kemuatan input		285		pF	VDS =1000V, VGS =0V, f=1MHz, VAC=25mV	Rajah 16
Coss	Kapasiti keluaran		15.3		pF
Crss	Kapasiti pemindahan terbalik		2.2		pF
Eoss	Tenaga tersimpan kos		11		μJ		Rajah 17
Qg	Jumlah caj pintu		16.5		nC	VDS =1000V, ID =1A, VGS =-5 hingga 18V	Rajah 18
Qgs	Caj sumber pintu		2.7		nC
Qgd	Caj longkang pintu		12.5		nC
Rg	Rintangan masukan gerbang		13		Ω	f=1MHz
EON	Hidupkan tenaga pensuisan		51.0		μJ	VDS =1000V, ID =2A, VGS =-3.5V to 18V, RG(ext) =10Ω, L=2330μH Tj=25°C	Rajah 19, 20
EOFF	Matikan tenaga pensuisan		17.0		μJ
td(on)	Hidupkan masa tunda		4.8		ns
tr	Bangkit masa		13.2
td(mati)	Masa tunda matikan		12.0
tf	Masa musim luruh		66.8
EON	Hidupkan tenaga pensuisan		90.3		μJ	VDS =1000V, ID =2A, VGS =-3.5V to 18V, RG(ext) =10Ω, L=2330μH Tj=175°C	Rajah 22

Ciri-ciri Diod Terbalik(TC =25。C melainkan dinyatakan sebaliknya)

Simbol	Parameter	nilai			Unit	Keadaan ujian	Nota
		Min.	Jenis.	Maks.
VSD	Voltan hadapan diod		4.0		V	ISD =1A, VGS =0V	Rajah 10, 11, 12
			3.8		V	ISD =1A, VGS =0V, TJ =175。C
IS	Arus hadapan diod (berterusan)			11.8	A	VGS =-2V, TC =25.C
				6.8	A	VGS =-2V, TC=100。C
trr	Masa pemulihan terbalik		20.6		ns	VGS=-3.5V/+18V, ISD =2A, VR =1000V, RG(ext)=10Ω  L=2330μ H di/dt=5000A/μs
Qrr	Caj pemulihan terbalik		54.2		nC
IRRM	Puncak arus pemulihan terbalik		8.2		A

Prestasi Biasa (lengkung)

 

pakej Ukuran

Nota:

1. Rujukan Pakej: JEDEC TO263, Variasi AD

2. Semua Dimensi adalah dalam mm

3. Tertakluk kepada Perubahan Tanpa Notis