Semua Kategori
HUBUNGI KAMI
SiC MOSFET

Laman Utama /  Produk  /  Komponen /  SiC MOSFET

SiC MOSFET

1700V 1000mΩ SiC MOSFET Penyongsang Suria
1700V 1000mΩ SiC MOSFET Penyongsang Suria

1700V 1000mΩ SiC MOSFET Penyongsang Suria

  • Pengenalan

Pengenalan

Tempat asal: Zhejiang
Nama Jenama: Inventchip Technology
Nombor Model: IV2Q171R0D7Z
Pensijilan: AEC-Q101 diperolehi kelayakan

Ciri-ciri

  • Teknologi SiC MOSFET Generasi Kedua dengan pendorong gete +15~+18V

  • Voltan blokkan tinggi dengan rintangan hidup rendah

  • Penukaran laju tinggi dengan kapasitance rendah

  • Kemampuan suhu persimpangan operasi 175℃

  • Diode badan intrinsik yang sangat pantas dan kukuh

  • Masukan gerbang Kelvin memudahkan reka cipta litar pemandu

  • AEC-Q101 diperolehi kelayakan

Permohonan

  • Inverter suria

  • Pasukan kuasa bantuan

  • Sistem Kuasa Mod Pengalihan

  • Meter pintar

Garis Besar:

image

 

Rajah Penandaan:

image

Penarafan Maksimum mutlak (TC=25°C kecuali dinyatakan lain)

Simbol Parameter nilai unit Keadaan Ujian Nota
VDS Voltan Drain-Sumber 1700 V VGS =0V, ID =10μA
VGSmax (Sekejap) Voltan puncak maksimum -10 hingga 23 V Siklus tugas <1%, dan lebar pulsa<200ns
VGSon Voltan penyalaan yang disyorkan 15 hingga 18 V
VGSoff Voltan pematian yang disyorkan -5 hingga -2 V Nilai tipikal -3.5V
id Arus penguras (terus-menerus) 6.3 A VGS =18V, TC =25°C Raj. 23
4.8 A VGS =18V, TC =100°C
IDM Arus penjinak (tertumpu) 15.7 A Lebar pulsa had terhadap SOA dan Rθ(J-C) dinamik Raj. 25, 26
ISM Arus diod badan (tertumpu) 15.7 A Lebar pulsa had terhadap SOA dan Rθ(J-C) dinamik Raj. 25, 26
Ptot Jumlah pembebasan kuasa 73 W TC =25°C Raj. 24
TSTG Julat Suhu Penyimpanan -55 hingga 175 °C
Tj Suhu persimpangan operasi -55 hingga 175 °C

Data haba

Simbol Parameter nilai unit Nota
Rθ(J-C) Hambatan Tepi dari Junction ke Kes 2.05 °C/W Rajah. 25

Ciri-ciri Elektrik (TC =25°C kecuali dinyatakan lain)

Simbol Parameter nilai unit Keadaan Ujian Nota
Min. - TIP. Max.
IDSS Arus pengurasan voltan sifar gerbang 1 10 μA VDS =1700V, VGS =0V
IGSS Pasaran kebocoran pintu ±100 nA VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH Voltan ambang pintu 1.8 3.0 4.5 V VGS =VDS , ID =380uA Rajah 8, 9
2.0 V VGS =VDS , ID =380uA @ TJ =175°C
Ron Hambatan statik sumber-pengimbas pada 700 1280 910 VGS=18V, ID =1A @TJ =25°C @TJ =175°C Rajah 4, 5, 6, 7
950 1450 1250 VGS=15V, ID =1A @TJ =25°C @TJ =175°C
Ciss Kapasiti input 285 PF VDS =1000V, VGS =0V, f=1MHz, VAC=25mV Rajah 16
Coss Kapacitans Output 15.3 PF
Crss Kapasiti pemindahan terbalik 2.2 PF
Eoss tenaga ter simpan Coss 11 μJ Rajah 17
Qg cas gate jumlah 16.5 NC VDS =1000V, ID =1A, VGS =-5 hingga 18V Rajah 18
Qgs Cas gate-source 2.7 NC
Qgd Cas gate-drain 12.5 NC
Rg Tahanan input gate 13 Ω f=1MHz
EON Tenaga Pertukaran Hidup 51.0 μJ VDS =1000V, ID =2A, VGS =-3.5V hingga 18V, RG(ext) =10Ω, L=2330μH Tj=25°C Rajah 19, 20
EOFF Tenaga Pertukaran Mati 17.0 μJ
td ((on) Masa kelewatan penyambutan 4.8 n
tr Masa naik 13.2
td ((off) Masa kelewatan penutupan 12.0
TF Waktu kejatuhan 66.8
EON Tenaga Pertukaran Hidup 90.3 μJ VDS =1000V, ID =2A, VGS =-3.5V hingga 18V, RG(ext) =10Ω, L=2330μH Tj=175°C Rajah 22

Ciri-ciri Diod Terbalik (TC =25。C melainkan dinyatakan sebaliknya)

Simbol Parameter nilai unit Keadaan Ujian Nota
Min. - TIP. Max.
VSD Voltan dioda ke hadapan 4.0 V ISD =1A, VGS =0V Rajah 10, 11, 12
3.8 V ISD =1A, VGS =0V, TJ =175。C
adalah Arus hadapan diod (terus) 11.8 A VGS =-2V, TC =25。C
6.8 A VGS =-2V, TC=100。C
trr Masa Pemulihan Balik 20.6 n VGS=-3.5V/+18V, ISD =2A, VR =1000V, RG(ext)=10Ω L=2330μ H di/dt=5000A/μs
Qrr Cas Charge Pemulihan Balik 54.2 NC
IRRM Arus pulih terbalik puncak 8.2 A

Penjanaan Tipikal (lengkung)

image

image

image

image

 

image

image

image

image

image

image

image

image

Dimensi Pakej

image

image

Nota:

1. Rujukan Pakej: JEDEC TO263, Variasi AD

2. Semua Dimensi dalam mm

3. Tunduk kepada Perubahan Tanpa Notis


PRODUK BERKAITAN