Laman Utama / Produk / Komponen / SiC MOSFET
| Tempat asal: | Shanghai |
| Nama Jenama: | Inventchip Technology |
| Nombor Model: | IV2Q12040T4Z |
| Pensijilan: | AEC-Q101 |
Ciri-ciri
2nd Teknologi SiC MOSFET Generasi dengan
+15~+18V pendorong gete
Voltan blokkan tinggi dengan rintangan hidup rendah
Penukaran laju tinggi dengan kapasitance rendah
Kemampuan suhu persimpangan operasi 175°C
Diode badan intrinsik yang sangat pantas dan kukuh
Masukan gerbang Kelvin memudahkan reka cipta litar pemandu
AEC-Q101 diperolehi kelayakan
Permohonan
Pengecas EV dan OBCs
Penguat solar
Inverter pengompres automotif
Pasaran kuasa AC/DC
Garis Besar:
Rajah Penandaan:
Penarafan Maksimum mutlak (TC=25°C kecuali dinyatakan lain)
| Simbol | Parameter | nilai | unit | Keadaan Ujian | Nota |
| VDS | Voltan Drain-Sumber | 1200 | V | VGS =0V, ID =100μA | |
| VGSmax (Sekejap) | Voltan sementara maksimum | -10 hingga 23 | V | Kitaran duti<1%, dan lebar pulsa<200ns | |
| VGSon | Voltan penyalaan yang disyorkan | 15 hingga 18 | V | ||
| VGSoff | Voltan pematian yang disyorkan | -5 hingga -2 | V | Typical -3.5V | |
| id | Arus penguras (terus-menerus) | 65 | A | VGS =18V, TC =25°C | Raj. 23 |
| 48 | A | VGS =18V, TC =100°C | |||
| IDM | Arus penjinak (tertumpu) | 162 | A | Lebar pulsa had terhadap SOA dan Rθ(J-C) dinamik | Raj. 25, 26 |
| ISM | Arus diod badan (tertumpu) | 162 | A | Lebar pulsa had terhadap SOA dan Rθ(J-C) dinamik | Raj. 25, 26 |
| Ptot | Jumlah pembebasan kuasa | 375 | W | TC =25°C | Raj. 24 |
| TSTG | Julat Suhu Penyimpanan | -55 hingga 175 | °C | ||
| Tj | Suhu persimpangan operasi | -55 hingga 175 | °C | ||
| TL | Suhu penyolderan | 260 | °C | penyolderan gelombang sahaja dibenarkan pada pin, 1.6mm dari kes selama 10 saat |
Data haba
| Simbol | Parameter | nilai | unit | Nota |
| Rθ(J-C) | Hambatan Tepi dari Junction ke Kes | 0.4 | °C/W | Rajah. 25 |
Ciri-ciri Elektrik (TC =25。C melainkan dinyatakan lain)
| Simbol | Parameter | nilai | unit | Keadaan Ujian | Nota | ||
| Min. | - TIP. | Max. | |||||
| IDSS | Arus pengurasan voltan sifar gerbang | 5 | 100 | μA | VDS =1200V, VGS =0V | ||
| IGSS | Pasaran kebocoran pintu | ±100 | nA | VDS =0V, VGS = -5~20V | |||
| VTH | Voltan ambang pintu | 1.8 | 2.8 | 4.5 | V | VGS =VDS , ID =9mA | Rajah 8, 9 |
| 2.1 | VGS =VDS , ID =9mA @ TJ =175。C | ||||||
| Ron | Hambatan statik sumber-pengimbas pada | 40 | 52 | mΩ | VGS =18V, ID =20A @TJ =25。C | Rajah 4, 5, 6, 7 | |
| 75 | mΩ | VGS =18V, ID =20A @TJ =175。C | |||||
| 50 | 65 | mΩ | VGS =15V, ID =20A @TJ =25。C | ||||
| 80 | mΩ | VGS =15V, ID =20A @TJ =175。C | |||||
| Ciss | Kapasiti input | 2160 | PF | VDS=800V, VGS =0V, f=1MHz, VAC=25mV | Rajah 16 | ||
| Coss | Kapacitans Output | 100 | PF | ||||
| Crss | Kapasiti pemindahan terbalik | 5.8 | PF | ||||
| Eoss | tenaga ter simpan Coss | 40 | μJ | Rajah 17 | |||
| Qg | cas gate jumlah | 110 | NC | VDS =800V, ID =30A, VGS =-3 hingga 18V | Rajah 18 | ||
| Qgs | Cas gate-source | 25 | NC | ||||
| Qgd | Cas gate-drain | 59 | NC | ||||
| Rg | Tahanan input gate | 2.1 | Ω | f=1MHz | |||
| EON | Tenaga Pertukaran Hidup | 446.3 | μJ | VDS =800V, ID =30A, VGS =-3.5 hingga 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=200μH TJ =25。C | Rajah 19, 20 | ||
| EOFF | Tenaga Pertukaran Mati | 70.0 | μJ | ||||
| td ((on) | Masa kelewatan penyambutan | 9.6 | n | ||||
| tr | Masa naik | 22.1 | |||||
| td ((off) | Masa kelewatan penutupan | 19.3 | |||||
| TF | Waktu kejatuhan | 10.5 | |||||
| EON | Tenaga Pertukaran Hidup | 644.4 | μJ | VDS =800V, ID =30A, VGS =-3.5 hingga 18V, RG(ext) =3.3Ω,L=200μH TJ =175。C | Rajah 22 | ||
| EOFF | Tenaga Pertukaran Mati | 73.8 | μJ | ||||
Ciri-ciri Diod Terbalik (TC =25。C kecuali dinyatakan sebaliknya)
| Simbol | Parameter | nilai | unit | Keadaan Ujian | Nota | ||
| Min. | - TIP. | Max. | |||||
| VSD | Voltan dioda ke hadapan | 4.2 | V | ISD =20A, VGS =0V | Rajah 10, 11, 12 | ||
| 4.0 | V | ISD =20A, VGS =0V, TJ =175。C | |||||
| adalah | Arus hadapan diod (terus) | 63 | A | VGS =-2V, TC =25。C | |||
| 36 | A | VGS =-2V, TC=100。C | |||||
| trr | Masa Pemulihan Balik | 42.0 | n | VGS=-3.5V/+18V, ISD =30A, VR =800V, RG(ext) =10Ω L=200μH di/dt=3000A/μs | |||
| Qrr | Cas Charge Pemulihan Balik | 198.1 | NC | ||||
| IRRM | Arus pulih terbalik puncak | 17.4 | A | ||||
Penjanaan Tipikal (lengkung)
Dimensi Pakej
Nota:
1. Rujukan Pakej: JEDEC TO247, Variasi AD
2. Semua Dimensi dalam mm
3. Kebenaran Slot Diperlukan, Notch Boleh Dibundarkan
4. Dimensi D&E Tidak Termasuk Flash Mold
5. Tunduk kepada Perubahan Tanpa Pemberitahuan
EN
AR
HR
DA
NL
FR
DE
EL
HI
IT
JA
KO
NO
PL
PT
RO
RU
ES
SV
TL
IW
ID
LT
SR
SK
UK
VI
SQ
HU
TH
TR
FA
AF
MS
HY
BN
LA
TA
TE
MY
