Semua Kategori
HUBUNGI KAMI
SiC SBD

Laman Utama /  Produk  /  Komponen /  SiC SBD

SiC SBD

1200V 40A Kenderaan SiC Diod Schottky
1200V 40A Kenderaan SiC Diod Schottky

1200V 40A Kenderaan SiC Diod Schottky

  • Pengenalan

Pengenalan

Tempat asal: Zhejiang
Nama Jenama: Inventchip Technology
Nombor Model: IV1D12040U3Z
Pensijilan: AEC-Q101 diperolehi kelayakan


Kuantiti Pakan Minimum: 450 biji
Harga:
Butiran Pembungkusan:
Masa Penghantaran:
Syarat pembayaran:
Keupayaan Pembekalan:


Ciri-ciri

  • Suhu Sambungan Maksimum 175°C

  • Kapasiti Arus Lonjakan Tinggi

  • Tiada Arus Pulih Terbalik

  • Tiada Voltan Pulih Depan

  • operasi frekuensi tinggi

  • Kelakuan bertukar suhu tidak bergantung

  • Pekali Suhu Positif pada VF

  • AEC-Q101 diperolehi kelayakan


Permohonan

  • Diode Roda Bebas Inverter Automotif

  • Tiub Penyegera EV

  • Vienna PFC Fasa 3

  • Peningkatan Kuasa Solar

  • Sistem Kuasa Mod Pengalihan


Gambaran Ringkas

image


Rajah Tanda

image



Penarafan Maksimum mutlak (TC=25°C kecuali dinyatakan lain)

Simbol Parameter nilai unit
VRRM Voltan songsang (puncak berulang) 1200V
VDC Voltan blokaj DC 1200V
IF Arus hadapan (terus) @Tc=25°C 54* A
Arus hadapan (terus) @Tc=135°C 28* A
Arus hadapan (terus) @Tc=151°C 20* A
IFSM Arus hadapan tak berulang separuh gelombang sinus @Tc=25°C tp=10ms 140* A
IFRM Arus hadapan berulang (Kekerapan=0.1Hz, 100 kitaran) separuh gelombang sinus @Tamb =25°C tp=10ms 115* A
Ptot Keseluruhan daya yang diperoleh @ Tc=25°C 272* W
Keseluruhan daya yang diperoleh @ Tc=150°C 45*
Nilai I2t @Tc=25°C tp=10ms 98* A2s
TSTG Julat Suhu Penyimpanan -55 hingga 175 °C
Tj Julat suhu persimpangan operasi -55 hingga 175 °C

*Setiap Kaki

Tekanan yang melebihi nilai dalam jadual Penilaian Maksimum boleh merosakkan peranti. Jika mana-mana had ini dilanggar, fungsi peranti

tidak boleh diasumsikan, kerosakan mungkin berlaku dan kebolehpercayaan mungkin terjejas.


Ciri-ciri Elektrik

Simbol Parameter - TIP. Max. unit Keadaan Ujian Nota
VF Voltan Maju 1.48* 1.8* V IF = 20 A TJ =25°C Rajah. 1
2.1* 3.0* IF = 20 A TJ =175°C
Ir Arus terbalik 10* 200* μA VR = 1200 V TJ =25°C Rajah. 2
45* 800* VR = 1200 V TJ =175°C
C Kapasitansi Keseluruhan 1114* PF VR = 1 V, TJ = 25°C, f = 1 MHz Raj. 3
100* VR = 400 V, TJ = 25˚C, f = 1 MHz
77* VR = 800 V, TJ = 25˚C, f = 1 MHz
qc Jumlah Cas Capacitif 107* NC VR = 800 V, TJ = 25°C, Qc = C(v)dv Raj. 4
ec Tenaga Kapasitan Disimpan 31* μJ VR = 800 V, TJ = 25°C, Ec = C(v) ⋅vdv Rajah 5

*Setiap Kaki


Ciri-ciri Terma (Setiap Kaki)


Simbol Parameter - TIP. unit Nota
Rth(j-c) Hambatan Tepi dari Junction ke Kes 0.55°C/W Rajah 7


Prestasi Tipikal (Setiap Kaki)

image

image

image

image


Dimensi Pakej

image

    imageimage


Nota:

1. Rujukan Pakej: JEDEC TO247, Variasi AD

2. Semua Dimensi dalam mm

3. Slot Diperlukan, Notch Boleh Dibundarkan atau Persegi Panjang

4. Dimensi D&E Tidak Termasuk Flash Mold

5. Tunduk kepada Perubahan Tanpa Pemberitahuan

PRODUK BERKAITAN