Laman Utama / Produk / Komponen / Modul SiC
Tempat asal: | Zhejiang |
Nama Jenama: | Inventchip Technology |
Nombor Model: | IV1B12025HC1L |
Pensijilan: | AEC-Q101 |
Ciri-ciri
Voltan blokkan tinggi dengan rintangan hidup rendah
Penukaran laju tinggi dengan kapasitance rendah
Kemampuan suhu persimpangan operasi tinggi
Diode badan intrinsik yang sangat cepat dan kukuh
Permohonan
Aplikasi Solar
Sistem UPS
Pemandu Motor
Penukar DC/DC voltan tinggi
Pakej
Penarafan Maksimum mutlak (TC=25°C kecuali dinyatakan lain)
Simbol | Parameter | nilai | unit | Keadaan Ujian | Nota |
VDS | Voltan Drain-Sumber | 1200 | V | VGS =0V, ID =200μA | |
VGSmax (DC) | Voltan DC maksimum | -5 hingga 22 | V | Statik (DC) | |
VGSmax (Spike) | Voltan puncak maksimum | -10 hingga 25 | V | <1% kitaran kerja, dan lebar pulsa <200ns | |
VGSon | Voltan hidupan yang disyorkan | 20±0.5 | V | ||
VGSoff | Voltan mati yang disyorkan | -3.5 hingga -2 | V | ||
id | Arus penguras (terus-menerus) | 74 | A | VGS =20V, TC =25°C | |
50 | A | VGS =20V, TC =94°C | |||
IDM | Arus penjinak (tertumpu) | 185 | A | Lebar denyutan terhad oleh SOA | Raj.26 |
Ptot | Jumlah pembebasan kuasa | 250 | W | TC =25°C | Raj.24 |
TSTG | Julat Suhu Penyimpanan | -40 hingga 150 | °C | ||
Tj | Suhu persimpangan maya maksimum di bawah keadaan bertukar | -40 hingga 150 | °C | operasi | |
-55 hingga 175 | °C | Penggunaan tidak selanjar dengan umur yang berkurang |
Data haba
Simbol | Parameter | nilai | unit | Nota |
Rθ(J-C) | Hambatan Tepi dari Junction ke Kes | 0.5 | °C/W | Raj.25 |
Ciri-ciri Elektrik (TC=25°C kecuali dinyatakan lain)
Simbol | Parameter | nilai | unit | Keadaan Ujian | Nota | ||
Min. | - TIP. | Max. | |||||
IDSS | Arus pengurasan voltan sifar gerbang | 10 | 200 | μA | VDS =1200V, VGS =0V | ||
IGSS | Pasaran kebocoran pintu | 2 | ±200 | nA | VDS =0V, VGS = -5~20V | ||
VTH | Voltan ambang pintu | 3.2 | V | VGS=VDS , ID =12mA | Raj.9 | ||
2.3 | VGS=VDS , ID =12mA @ TC =150。C | ||||||
Ron | Hambatan statik sumber-pengimbas pada | 25 | 33 | mΩ | VGS =20V, ID =40A @TJ =25。C | Rajah.4-7 | |
36 | mΩ | VGS =20V, ID =40A @TJ =150。C | |||||
Ciss | Kapasiti input | 5.5 | NF | VDS=800V, VGS =0V, f=100kHZ , VAC =25mV | Rajah.16 | ||
Coss | Kapacitans Output | 285 | PF | ||||
Crss | Kapasiti pemindahan terbalik | 20 | PF | ||||
Eoss | tenaga ter simpan Coss | 105 | μJ | Rajah 17 | |||
Qg | cas gate jumlah | 240 | NC | VDS = 800V, ID = 40A, VGS = -5 hingga 20V | Rajah 18 | ||
Qgs | Cas gate-source | 50 | NC | ||||
Qgd | Cas gate-drain | 96 | NC | ||||
Rg | Tahanan input gate | 1.4 | Ω | f=100kHZ | |||
EON | Tenaga Pertukaran Hidup | 795 | μJ | VDS =600V, ID =50A, VGS=-5 hingga 20V, RG(ext)on/ RG(ext)off =2.5Ω/1.43Ω, L=120μH | Rajah.19-22 | ||
EOFF | Tenaga Pertukaran Mati | 135 | μJ | ||||
td ((on) | Masa kelewatan penyambutan | 15 | n | ||||
tr | Masa naik | 4.1 | |||||
td ((off) | Masa kelewatan penutupan | 24 | |||||
TF | Waktu kejatuhan | 17 | |||||
LsCE | Induktans Terbuang | 8.8 | nH |
Ciri-ciri Diod Terbalik (TC=25°C kecuali dinyatakan lain)
Simbol | Parameter | nilai | unit | Keadaan Ujian | Nota | ||
Min. | - TIP. | Max. | |||||
VSD | Voltan dioda ke hadapan | 4.9 | V | ISD =40A, VGS =0V | Rajah.10- 12 | ||
4.5 | V | ISD =40A, VGS =0V, TJ =150°C | |||||
trr | Masa Pemulihan Balik | 18 | n | VGS =-5V/+20V, ISD =50A, VR =600V, di/dt=14.29A/ns, RG(ext) =2.5Ω, L=120μH | |||
Qrr | Cas Charge Pemulihan Balik | 1068 | NC | ||||
IRRM | Arus pulih terbalik puncak | 96.3 | A |
Ciri-ciri Termistor NTC
Simbol | Parameter | nilai | unit | Keadaan Ujian | Nota | ||
Min. | - TIP. | Max. | |||||
RNTC | Rintangan bertaraf | 5 | kΩ | TNTC =25℃ | Rajah.27 | ||
ΔR/R | Toleransi Rintangan pada 25℃ | -5 | 5 | % | |||
β25/50 | Nilai Beta | 3380 | K | ±1% | |||
Pmax | disipasi kuasa | 5 | mW |
Penjanaan Tipikal (lengkung)
Dimensi Pakej (mm)
NOTA
Untuk maklumat lanjut, sila hubungi Pejabat Penjualan IVCT.
Hak Cipta©2022 InventChip Technology Co., Ltd. Semua hak terpelihara.
Maklumat dalam dokumen ini tunduk kepada perubahan tanpa notis.
Pautan Terkait
http://www.inventchip.com.cn