Semua Kategori
HUBUNGI KAMI
Modul SiC

Laman Utama /  Produk  /  Komponen /  Modul SiC

Modul SiC

1200V 25mohm SiC MODUL Pemacu Motor
1200V 25mohm SiC MODUL Pemacu Motor

1200V 25mohm SiC MODUL Pemacu Motor

  • Pengenalan

Pengenalan

Tempat asal: Zhejiang
Nama Jenama: Inventchip Technology
Nombor Model: IV1B12025HC1L
Pensijilan: AEC-Q101


Ciri-ciri

  • Voltan blokkan tinggi dengan rintangan hidup rendah

  • Penukaran laju tinggi dengan kapasitance rendah

  • Kemampuan suhu persimpangan operasi tinggi

  • Diode badan intrinsik yang sangat cepat dan kukuh


Permohonan

  • Aplikasi Solar

  • Sistem UPS

  • Pemandu Motor

  • Penukar DC/DC voltan tinggi


Pakej

image


image


Penarafan Maksimum mutlak (TC=25°C kecuali dinyatakan lain)

Simbol Parameter nilai unit Keadaan Ujian Nota
VDS Voltan Drain-Sumber 1200V VGS =0V, ID =200μA
VGSmax (DC) Voltan DC maksimum -5 hingga 22 V Statik (DC)
VGSmax (Spike) Voltan puncak maksimum -10 hingga 25 V <1% kitaran kerja, dan lebar pulsa <200ns
VGSon Voltan hidupan yang disyorkan 20±0.5 V
VGSoff Voltan mati yang disyorkan -3.5 hingga -2 V
id Arus penguras (terus-menerus) 74A VGS =20V, TC =25°C
50A VGS =20V, TC =94°C
IDM Arus penjinak (tertumpu) 185A Lebar denyutan terhad oleh SOA Raj.26
Ptot Jumlah pembebasan kuasa 250W TC =25°C Raj.24
TSTG Julat Suhu Penyimpanan -40 hingga 150 °C
Tj Suhu persimpangan maya maksimum di bawah keadaan bertukar -40 hingga 150 °C operasi
-55 hingga 175 °C Penggunaan tidak selanjar dengan umur yang berkurang


Data haba

Simbol Parameter nilai unit Nota
Rθ(J-C) Hambatan Tepi dari Junction ke Kes 0.5°C/W Raj.25


Ciri-ciri Elektrik (TC=25°C kecuali dinyatakan lain)

Simbol Parameter nilai unit Keadaan Ujian Nota
Min. - TIP. Max.
IDSS Arus pengurasan voltan sifar gerbang 10200μA VDS =1200V, VGS =0V
IGSS Pasaran kebocoran pintu 2±200 nA VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH Voltan ambang pintu 3.2V VGS=VDS , ID =12mA Raj.9
2.3VGS=VDS , ID =12mA @ TC =150。C
Ron Hambatan statik sumber-pengimbas pada 2533VGS =20V, ID =40A @TJ =25。C Rajah.4-7
36VGS =20V, ID =40A @TJ =150。C
Ciss Kapasiti input 5.5NF VDS=800V, VGS =0V, f=100kHZ , VAC =25mV Rajah.16
Coss Kapacitans Output 285PF
Crss Kapasiti pemindahan terbalik 20PF
Eoss tenaga ter simpan Coss 105μJ Rajah 17
Qg cas gate jumlah 240NC VDS = 800V, ID = 40A, VGS = -5 hingga 20V Rajah 18
Qgs Cas gate-source 50NC
Qgd Cas gate-drain 96NC
Rg Tahanan input gate 1.4Ω f=100kHZ
EON Tenaga Pertukaran Hidup 795μJ VDS =600V, ID =50A, VGS=-5 hingga 20V, RG(ext)on/ RG(ext)off =2.5Ω/1.43Ω, L=120μH Rajah.19-22
EOFF Tenaga Pertukaran Mati 135μJ
td ((on) Masa kelewatan penyambutan 15n
tr Masa naik 4.1
td ((off) Masa kelewatan penutupan 24
TF Waktu kejatuhan 17
LsCE Induktans Terbuang 8.8nH


Ciri-ciri Diod Terbalik (TC=25°C kecuali dinyatakan lain)

Simbol Parameter nilai unit Keadaan Ujian Nota
Min. - TIP. Max.
VSD Voltan dioda ke hadapan 4.9V ISD =40A, VGS =0V Rajah.10- 12
4.5V ISD =40A, VGS =0V, TJ =150°C
trr Masa Pemulihan Balik 18n VGS =-5V/+20V, ISD =50A, VR =600V, di/dt=14.29A/ns, RG(ext) =2.5Ω, L=120μH
Qrr Cas Charge Pemulihan Balik 1068NC
IRRM Arus pulih terbalik puncak 96.3A


Ciri-ciri Termistor NTC

Simbol Parameter nilai unit Keadaan Ujian Nota
Min. - TIP. Max.
RNTC Rintangan bertaraf 5TNTC =25℃ Rajah.27
ΔR/R Toleransi Rintangan pada 25℃ -55%
β25/50 Nilai Beta 3380K ±1%
Pmax disipasi kuasa 5mW


Penjanaan Tipikal (lengkung)

image

image

image

image

image

image

image

image

image

image

image

image

image

         image


Dimensi Pakej (mm)

image



NOTA


Untuk maklumat lanjut, sila hubungi Pejabat Penjualan IVCT.

Hak Cipta©2022 InventChip Technology Co., Ltd. Semua hak terpelihara.

Maklumat dalam dokumen ini tunduk kepada perubahan tanpa notis.


Pautan Terkait


http://www.inventchip.com.cn


PRODUK BERKAITAN