SiC SBD

1200V 10A SiC Diod Schottky Pengubah AC/DC

Pengenalan

Pengenalan

Tempat asal:	Zhejiang
Nama Jenama:	Inventchip Technology
Nombor Model:	IV1D12010T2
Pensijilan:

Kuantiti Pakan Minimum:	450 biji
Harga:
Butiran Pembungkusan:
Masa Penghantaran:
Syarat pembayaran:
Keupayaan Pembekalan:

Ciri-ciri

Suhu Sambungan Maksimum 175°C
Kapasiti Arus Lonjakan Tinggi
Tiada Arus Pulih Terbalik
Tiada Voltan Pulih Depan
operasi frekuensi tinggi
Kelakuan pengecaman tidak bergantung kepada suhu
Pekali Suhu Positif pada VF

Permohonan

Peningkatan Kuasa Solar
Diode Roda Bebas Inverter
Vienna PFC Fasa 3
Penukar AC/DC
Sistem Kuasa Mod Pengalihan

Gambaran Ringkas

Rajah Tanda

Penarafan Maksimum mutlak (TC=25°C kecuali dinyatakan lain)

Simbol	Parameter	nilai	unit
VRRM	Voltan songsang (puncak berulang)	1200	V
VDC	Voltan blokaj DC	1200	V
IF	Arus hadapan (terus) @Tc=25°C	30	A
	Arus hadapan (terus) @Tc=135°C	15.2	A
	Arus hadapan (terus) @Tc=155°C	10	A
IFSM	Arus hadapan tak berulang separuh gelombang sinus @Tc=25°C tp=10ms	72	A
IFRM	Arus hadapan berulang (Kekerapan=0.1Hz, 100 kitaran) separuh gelombang sinus @Tamb =25°C tp=10ms	56	A
Ptot	Keseluruhan daya yang diperoleh @ Tc=25°C	176	W
	Keseluruhan daya yang diperoleh @ Tc=150°C	29
	Nilai I2t @Tc=25°C tp=10ms	26	A2s
TSTG	Julat Suhu Penyimpanan	-55 hingga 175	°C
Tj	Julat suhu persimpangan operasi	-55 hingga 175	°C

Tekanan yang melebihi nilai dalam jadual Penilaian Maksimum boleh merosakkan peranti. Jika mana-mana had ini dilanggar, fungsi peranti tidak patut diasumsikan, kerosakan mungkin berlaku dan kebolehpercayaan mungkin terjejas.

Ciri-ciri Elektrik

Simbol	Parameter	- TIP.	Max.	unit	Keadaan Ujian	Nota
VF	Voltan Maju	1.48	1.7	V	IF = 10 A TJ =25°C	Rajah. 1
		2.0	3.0		IF = 10 A TJ =175°C
Ir	Arus terbalik	1	100	μA	VR = 1200 V TJ =25°C	Rajah. 2
		10	250		VR = 1200 V TJ =175°C
C	Kapasitansi Keseluruhan	575		PF	VR = 1 V, TJ = 25°C, f = 1 MHz	Raj. 3
		59			VR = 400 V, TJ = 25˚C, f = 1 MHz
		42.5			VR = 800 V, TJ = 25˚C, f = 1 MHz
qc	Jumlah Cas Capacitif	62		NC	VR = 800 V, TJ = 25°C, Qc = C(v)dv	Raj. 4
ec	Tenaga Kapasitan Disimpan	16.8		μJ	VR = 800 V, TJ = 25°C, Ec = C(v) ⋅vdv	Rajah 5