1700V 1000mΩ Bekalan Kuasa Penolong SiC MOSFET

Ciri-ciri

⚫ Teknologi SiC MOSFET Generasi Kedua dengan

+15~+18V pendorong gete

⚫ Voltan blokkan tinggi dengan rintangan hidup rendah

⚫ Tukar laju dengan kapasiti rendah

⚫ Kapabiliti suhu persimpangan operasi pada 175℃

⚫ Dioid badan intrinsik yang sangat laju dan kukuh

⚫ Input getaran Kelvin memudahkan reka bentuk litar pendorong

Permohonan

⚫ Inverter suria

⚫ Bekalan kuasa penolong

⚫ Pasukan kuasa mod pengalihan

⚫ Meter pintar

Garis Besar:

Rajah Penandaan:

Penarafan Maksimum mutlak (TC=25°C kecuali dinyatakan lain)

Simbol	Parameter	nilai	unit	Keadaan Ujian	Nota
VDS	Voltan Drain-Sumber	1700	V	VGS=0V, ID=10μA
VGSmax (Sekejap)	Voltan puncak maksimum	-10 hingga 23	V	Siklus tugas <1%, dan lebar pulsa<200ns
VGSon	Voltan penyalaan yang disyorkan	15 hingga 18	V
VGSoff	Voltan pematian yang disyorkan	-5 hingga -2	V	Nilai tipikal -3.5V
id	Arus penguras (terus-menerus)	6.3	A	VGS=18V, TC=25°C	Raj. 23
id	Arus penguras (terus-menerus)	4.8	A	VGS=18V, TC=100°C	Raj. 23
IDM	Arus penjinak (tertumpu)	15.7	A	Lebar pulsa had terhadap SOA dan Rθ(J-C) dinamik	Raj. 25, 26
ISM	Arus diod badan (tertumpu)	15.7	A	Lebar pulsa had terhadap SOA dan Rθ(J-C) dinamik	Raj. 25, 26
Ptot	Jumlah pembebasan kuasa	73	W	TC=25°C	Raj. 24
TSTG	Julat Suhu Penyimpanan	-55 hingga 175	°C
Tj	Suhu Sambungan Operasi	-55 hingga 175	°C

Data haba

Simbol	Parameter	nilai	unit	Nota
Rθ(J-C)	Hambatan Tepi dari Junction ke Kes	2.05	°C/W	Rajah. 25

Ciri-ciri Elektrik (TC=25°C kecuali dinyatakan lain)

Simbol	Parameter	nilai			unit	Keadaan Ujian	Nota
Simbol	Parameter	Min.	- TIP.	Max.	unit	Keadaan Ujian	Nota
IDSS	Arus pengurasan voltan sifar gerbang		1	10	μA	VDS=1700V, VGS=0V
IGSS	Pasaran kebocoran pintu			±100	nA	VDS=0V, VGS=-5~20V
VTH	Voltan ambang pintu	1.8	3.0	4.5	V	VGS=VDS, ID=380uA	Rajah 8, 9
VTH	Voltan ambang pintu		2.0		V	VGS=VDS, ID=380uA @ TJ=175°C	Rajah 8, 9
Ron	Hambatan statik sumber-daya		700 1280	910	mΩ	VGS=18V, ID=1A @TJ=25°C @TJ=175°C	Rajah 4, 5, 6, 7
Ron	Hambatan statik sumber-daya		950 1450	1250	mΩ	VGS=15V, ID=1A @TJ=25°C @TJ=175°C	Rajah 4, 5, 6, 7
Ciss	Kapasiti input		285		PF	VDS=1000V, VGS=0V, f=1MHz, VAC=25mV	Rajah 16
Coss	Kapacitans Output		15.3		PF
Crss	Kapasiti pemindahan terbalik		2.2		PF
Eoss	tenaga ter simpan Coss		11		μJ		Rajah 17
Qg	cas gate jumlah		16.5		NC	VDS=1000V, ID=1A, VGS=-5 hingga 18V	Rajah 18
Qgs	Cas gate-source		2.7		NC
Qgd	Cas gate-drain		12.5		NC
Rg	Tahanan input gate		13		Ω	f=1MHz
EON	Tenaga Pertukaran Hidup		51.0		μJ	VDS=1000V, ID=2A, VGS=-3.5V hingga 18V, RG(ext)=10Ω, L=2330μH Tj=25°C	Rajah 19, 20
EOFF	Tenaga Pertukaran Mati		17.0		μJ
td ((on)	Masa kelewatan penyambutan		4.8		n
tr	Masa naik		13.2
td ((off)	Masa kelewatan penutupan		12.0
TF	Waktu kejatuhan		66.8
EON	Tenaga Pertukaran Hidup		90.3		μJ	VDS=1000V, ID=2A, VGS=-3.5V hingga 18V, RG(ext)=10Ω, L=2330μH Tj=175°C	Rajah 22
EOFF	Tenaga Pertukaran Mati		22.0		μJ		Rajah 22

Ciri-ciri Diod Terbalik (TC=25°C kecuali dinyatakan lain)

Simbol	Parameter	nilai			unit	Keadaan Ujian	Nota
Simbol	Parameter	Min.	- TIP.	Max.	unit	Keadaan Ujian	Nota
VSD	Voltan dioda ke hadapan		4.0		V	ISD=1A, VGS=0V	Rajah 10, 11, 12
VSD	Voltan dioda ke hadapan		3.8		V	ISD=1A, VGS=0V, TJ=175°C	Rajah 10, 11, 12
adalah	Arus hadapan diod (terus)			11.8	A	VGS=-2V, TC=25°C
adalah	Arus hadapan diod (terus)			6.8	A	VGS=-2V, TC=100°C
trr	Masa Pemulihan Balik		20.6		n	VGS=-3.5V/+18V, ISD=2A, VR=1000V, RG(ext)=10Ω L=2330μH di/dt=5000A/μs
Qrr	Cas Charge Pemulihan Balik		54.2		NC
IRRM	Arus pulih terbalik puncak		8.2		A