Laman Utama / Produk / Komponen / SiC MOSFET
| Tempat asal: | Zhejiang |
| Nama Jenama: | Inventchip Technology |
| Nombor Model: | IV2Q12030D7Z |
| Pensijilan: | AEC-Q101 diperolehi kelayakan |
Ciri-ciri
Teknologi SiC MOSFET Generasi Kedua dengan +18V pendorong gerbang
Voltan blokkan tinggi dengan rintangan hidup rendah
Penukaran laju tinggi dengan kapasitance rendah
Kemampuan suhu persimpangan operasi tinggi
Diode badan intrinsik yang sangat cepat dan kukuh
Masukan gerbang Kelvin memudahkan reka cipta litar pemandu
Permohonan
Pemandu Motor
Inverter suria
Penukar DC/DC automotif
Inverter pengompres automotif
Sistem Kuasa Mod Pengalihan
Garis Besar:
Rajah Penandaan:
Penarafan Maksimum mutlak (TC=25°C melainkan dinyatakan sebaliknya)
| Simbol | Parameter | nilai | unit | Keadaan Ujian | Nota |
| VDS | Voltan Drain-Sumber | 1200 | V | VGS =0V, ID =100μA | |
| VGSmax (DC) | Voltan DC maksimum | -5 hingga 20 | V | Statik (DC) | |
| VGSmax (Spike) | Voltan puncak maksimum | -10 hingga 23 | V | Kitaran duti<1%, dan lebar pulsa<200ns | |
| VGSon | Voltan penyalaan yang disyorkan | 18±0.5 | V | ||
| VGSoff | Voltan pematian yang disyorkan | -3.5 hingga -2 | V | ||
| id | Arus penguras (terus-menerus) | 79 | A | VGS =18V, TC =25°C | Raj. 23 |
| 58 | A | VGS =18V, TC =100°C | |||
| IDM | Arus penjinak (tertumpu) | 198 | A | Lebar denyutan terhad oleh SOA | Rajah 26 |
| Ptot | Jumlah pembebasan kuasa | 395 | W | TC =25°C | Raj. 24 |
| TSTG | Julat Suhu Penyimpanan | -55 hingga 175 | °C | ||
| Tj | Suhu persimpangan operasi | -55 hingga 175 | °C | ||
| TL | Suhu penyolderan | 260 | °C | penyolderan gelombang sahaja dibenarkan pada pin, 1.6mm dari kes selama 10 saat |
Data haba
| Simbol | Parameter | nilai | unit | Nota |
| Rθ(J-C) | Hambatan Tepi dari Junction ke Kes | 0.38 | °C/W | Raj. 23 |
Ciri-ciri Elektrik (TC =25。C melainkan dinyatakan sebaliknya)
| Simbol | Parameter | nilai | unit | Keadaan Ujian | Nota | ||
| Min. | - TIP. | Max. | |||||
| IDSS | Arus pengurasan voltan sifar gerbang | 5 | 100 | μA | VDS =1200V, VGS =0V | ||
| IGSS | Pasaran kebocoran pintu | ±100 | nA | VDS =0V, VGS = -5~20V | |||
| VTH | Voltan ambang pintu | 1.8 | 2.8 | 4.5 | V | VGS=VDS , ID =12mA | Rajah 8, 9 |
| 2.0 | VGS=VDS , ID =12mA @ TJ =175。C | ||||||
| Ron | Hambatan statik sumber-pengimbas pada | 30 | 39 | mΩ | VGS =18V, ID =30A @TJ =25。C | Rajah 4, 5, 6, 7 | |
| 55 | mΩ | VGS =18V, ID =30A @TJ =175。C | |||||
| 36 | 47 | mΩ | VGS =15V, ID =30A @TJ =25。C | ||||
| 58 | mΩ | VGS =15V, ID =30A @TJ =175。C | |||||
| Ciss | Kapasiti input | 3000 | PF | VDS=800V, VGS =0V, f=1MHz, VAC=25mV | Rajah 16 | ||
| Coss | Kapacitans Output | 140 | PF | ||||
| Crss | Kapasiti pemindahan terbalik | 7.7 | PF | ||||
| Eoss | tenaga ter simpan Coss | 57 | μJ | Rajah 17 | |||
| Qg | cas gate jumlah | 135 | NC | VDS =800V, ID =40A, VGS =-3 hingga 18V | Rajah 18 | ||
| Qgs | Cas gate-source | 36.8 | NC | ||||
| Qgd | Cas gate-drain | 45.3 | NC | ||||
| Rg | Tahanan input gate | 2.3 | Ω | f=1MHz | |||
| EON | Tenaga Pertukaran Hidup | 856.6 | μJ | VDS =800V, ID =40A, VGS =-3.5 hingga 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=200μH TJ =25。C | Rajah 19, 20 | ||
| EOFF | Tenaga Pertukaran Mati | 118.0 | μJ | ||||
| td ((on) | Masa kelewatan penyambutan | 15.4 | n | ||||
| tr | Masa naik | 24.6 | |||||
| td ((off) | Masa kelewatan penutupan | 28.6 | |||||
| TF | Waktu kejatuhan | 13.6 | |||||
Ciri-ciri Diod Terbalik (TC =25。C melainkan dinyatakan sebaliknya)
| Simbol | Parameter | nilai | unit | Keadaan Ujian | Nota | ||
| Min. | - TIP. | Max. | |||||
| VSD | Voltan dioda ke hadapan | 4.2 | V | ISD =30A, VGS =0V | Rajah 10, 11, 12 | ||
| 4.0 | V | ISD =30A, VGS =0V, TJ =175。C | |||||
| trr | Masa Pemulihan Balik | 54.8 | n | VGS=-3.5V/+18V, ISD =40A, VR =800V, RG(ext) =13Ω L=200μH di/dt=3000A/μs | |||
| Qrr | Cas Charge Pemulihan Balik | 470.7 | NC | ||||
| IRRM | Arus pulih terbalik puncak | 20.3 | A | ||||
Penjanaan Tipikal (lengkung)
EN
AR
HR
DA
NL
FR
DE
EL
HI
IT
JA
KO
NO
PL
PT
RO
RU
ES
SV
TL
IW
ID
LT
SR
SK
UK
VI
SQ
HU
TH
TR
FA
AF
MS
HY
BN
LA
TA
TE
MY
