| Tempat Asal: | Zhejiang |
| Nama jenama: | Teknologi Cipta Cipta |
| Nombor model: | IV2Q12030D7Z |
| Persijilan: | AEC-Q101 berkelayakan |
Ciri-ciri
Teknologi SiC MOSFET Generasi Kedua dengan pemacu pintu+2V
Voltan menyekat tinggi dengan rintangan pada rendah
Pensuisan berkelajuan tinggi dengan kapasitansi rendah
Keupayaan suhu simpang operasi yang tinggi
Diod badan intrinsik yang sangat pantas dan teguh
Reka bentuk litar pemacu pelonggaran input get Kelvin
Aplikasi
Pemandu motor
Penyongsang solar
Automotif DC/DC penukar
Penyongsang pemampat automotif
Bekalan kuasa mod suis
Rangka:
Rajah Penandaan:
Penilaian Maksimum Mutlak(TC=25°C melainkan dinyatakan sebaliknya)
| Simbol | Parameter | nilai | Unit | Keadaan ujian | Nota |
| VDS | Voltan Punca Parit | 1200 | V | VGS =0V, ID =100μA | |
| VGSmax (DC) | Voltan DC maksimum | -5 hingga 20 | V | Statik (DC) | |
| VGSmax (Spike) | Voltan pancang maksimum | -10 hingga 23 | V | Kitaran tugas<1%, dan lebar nadi<200ns | |
| VGSon | Voltan hidup yang disyorkan | 18 0.5 ± | V | ||
| VGSoff | Voltan matikan yang disyorkan | -3.5 hingga -2 | V | ||
| ID | Arus longkang (berterusan) | 79 | A | VGS =18V, TC =25°C | Rajah 23 |
| 58 | A | VGS =18V, TC =100°C | |||
| IDM | Arus longkang (berdenyut) | 198 | A | Lebar nadi dihadkan oleh SOA | Rajah 26 |
| PTOT | Jumlah pelesapan kuasa | 395 | W | TC =25°C | Rajah 24 |
| Tstg | Julat suhu penyimpanan | -55 hingga 175 | ° C | ||
| TJ | Suhu simpang operasi | -55 hingga 175 | ° C | ||
| TL | Suhu Pateri | 260 | ° C | pematerian gelombang hanya dibenarkan pada petunjuk, 1.6mm dari bekas selama 10 saat |
Data Terma
| Simbol | Parameter | nilai | Unit | Nota |
| Rθ(JC) | Rintangan Terma dari Persimpangan ke Kes | 0.38 | ° C / W | Rajah 23 |
Ciri-ciri elektrik(TC =25。C melainkan dinyatakan sebaliknya)
| Simbol | Parameter | nilai | Unit | Keadaan ujian | Nota | ||
| Min. | Jenis. | Maks. | |||||
| IDSS | Arus saliran voltan gerbang sifar | 5 | 100 | μA | VDS =1200V, VGS =0V | ||
| IGSS | Arus kebocoran pintu | ± 100 | nA | VDS =0V, VGS = -5~20V | |||
| KAD VTH | Voltan ambang pintu | 1.8 | 2.8 | 4.5 | V | VGS=VDS , ID =12mA | Rajah 8, 9 |
| 2.0 | VGS=VDS , ID =12mA @ TJ =175。C | ||||||
| RON | Sumber saliran statik hidup - rintangan | 30 | 39 | mΩ | VGS =18V, ID =30A @TJ =25。C | Rajah 4, 5, 6, 7 | |
| 55 | mΩ | VGS =18V, ID =30A @TJ =175。C | |||||
| 36 | 47 | mΩ | VGS =15V, ID =30A @TJ =25。C | ||||
| 58 | mΩ | VGS =15V, ID =30A @TJ =175。C | |||||
| Ciss | Kemuatan input | 3000 | pF | VDS=800V, VGS =0V, f=1MHz, VAC=25mV | Rajah 16 | ||
| Coss | Kapasiti keluaran | 140 | pF | ||||
| Crss | Kapasiti pemindahan terbalik | 7.7 | pF | ||||
| Eoss | Tenaga tersimpan kos | 57 | μJ | Rajah 17 | |||
| Qg | Jumlah caj pintu | 135 | nC | VDS =800V, ID =40A, VGS =-3 hingga 18V | Rajah 18 | ||
| Qgs | Caj sumber pintu | 36.8 | nC | ||||
| Qgd | Caj longkang pintu | 45.3 | nC | ||||
| Rg | Rintangan masukan gerbang | 2.3 | Ω | f=1MHz | |||
| EON | Hidupkan tenaga pensuisan | 856.6 | μJ | VDS =800V, ID =40A, VGS =-3.5 to 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=200μH TJ =25。C | Rajah 19, 20 | ||
| EOFF | Matikan tenaga pensuisan | 118.0 | μJ | ||||
| td(on) | Hidupkan masa tunda | 15.4 | ns | ||||
| tr | Bangkit masa | 24.6 | |||||
| td(mati) | Masa tunda matikan | 28.6 | |||||
| tf | Masa musim luruh | 13.6 | |||||
Ciri-ciri Diod Terbalik(TC =25。C melainkan dinyatakan sebaliknya)
| Simbol | Parameter | nilai | Unit | Keadaan ujian | Nota | ||
| Min. | Jenis. | Maks. | |||||
| VSD | Voltan hadapan diod | 4.2 | V | ISD =30A, VGS =0V | Rajah 10, 11, 12 | ||
| 4.0 | V | ISD =30A, VGS =0V, TJ =175。C | |||||
| trr | Masa pemulihan terbalik | 54.8 | ns | VGS=-3.5V/+18V, ISD =40A, VR =800V, RG(ext) =13Ω L=200μH di/dt=3000A/μs | |||
| Qrr | Caj pemulihan terbalik | 470.7 | nC | ||||
| IRRM | Puncak arus pemulihan terbalik | 20.3 | A | ||||
Prestasi Biasa (lengkung)
EN
AR
HR
DA
NL
FR
DE
EL
HI
IT
JA
KO
TIDAK
PL
PT
RO
RU
ES
SV
TL
IW
ID
LT
SR
SK
UK
VI
SQ
HU
TH
TR
FA
AF
MS
HY
BN
LA
TA
TE
MY
