1200V 160mΩ Gen2 Automotif SiC MOSFET Malaysia

Ciri-ciri

Aplikasi

Rangka:

gambar

Rajah Penandaan:

gambar

Penilaian Maksimum Mutlak(TC=25°C melainkan dinyatakan sebaliknya)

Simbol	Parameter	nilai	Unit	Keadaan ujian	Nota
VDS	Voltan Punca Parit	1200	V	VGS =0V, ID =100μA
VGSmax (DC)	Voltan DC maksimum	-5 hingga 20	V	Statik (DC)
VGSmax (Spike)	Voltan pancang maksimum	-10 hingga 23	V	Kitaran tugas<1%, dan lebar nadi<200ns
VGSon	Voltan hidup yang disyorkan	18 0.5 ±	V
VGSoff	Voltan matikan yang disyorkan	-3.5 hingga -2	V
ID	Arus longkang (berterusan)	19	A	VGS =18V, TC =25°C	Rajah 23
		14	A	VGS =18V, TC =100°C
IDM	Arus longkang (berdenyut)	47	A	Lebar nadi dihadkan oleh SOA	Rajah 26
PTOT	Jumlah pelesapan kuasa	136	W	TC =25°C	Rajah 24
Tstg	Julat suhu penyimpanan	-55 hingga 175	° C
TJ	Suhu simpang operasi	-55 hingga 175	° C
TL	Suhu Pateri	260	° C	pematerian gelombang hanya dibenarkan pada petunjuk, 1.6mm dari bekas selama 10 saat

Data Terma

Simbol	Parameter	nilai	Unit	Nota
Rθ(JC)	Rintangan Terma dari Persimpangan ke Kes	1.1	° C / W	Rajah 25

Ciri-ciri elektrik(TC =25。C melainkan dinyatakan sebaliknya)

Simbol	Parameter	nilai			Unit	Keadaan ujian	Nota
		Min.	Jenis.	Maks.
IDSS	Arus saliran voltan gerbang sifar		5	100	μA	VDS =1200V, VGS =0V
IGSS	Arus kebocoran pintu			± 100	nA	VDS =0V, VGS = -5~20V
KAD VTH	Voltan ambang pintu	1.8	2.8	4.5	V	VGS =VDS , ID =2mA	Rajah 8, 9
			2.1			VGS =VDS , ID =2mA @ TJ =175。C
RON	Sumber saliran statik hidup - rintangan		160	208	mΩ	VGS =18V, ID =5A @TJ =25。C	Rajah 4, 5, 6, 7
			285		mΩ	VGS =18V, ID =5A @TJ =175。C
Ciss	Kemuatan input		575		pF	VDS=800V, VGS =0V, f=1MHz, VAC=25mV	Rajah 16
Coss	Kapasiti keluaran		34		pF
Crss	Kapasiti pemindahan terbalik		2.3		pF
Eoss	Tenaga tersimpan kos		14		μJ		Rajah 17
Qg	Jumlah caj pintu		29		nC	VDS =800V, ID =10A, VGS =-3 hingga 18V	Rajah 18
Qgs	Caj sumber pintu		6.6		nC
Qgd	Caj longkang pintu		14.4		nC
Rg	Rintangan masukan gerbang		10		Ω	f=1MHz
EON	Hidupkan tenaga pensuisan		115		μJ	VDS =800V, ID =10A, VGS =-3.5 to 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=300μH TJ =25。C	Rajah 19, 20
EOFF	Matikan tenaga pensuisan		22		μJ
td(on)	Hidupkan masa tunda		2.5		ns
tr	Bangkit masa		9.5
td(mati)	Masa tunda matikan		7.3
tf	Masa musim luruh		11.0
EON	Hidupkan tenaga pensuisan		194		μJ	VDS =800V, ID =10A, VGS =-3.5 to 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=300μH TJ =175。C	Rajah 22
EOFF	Matikan tenaga pensuisan		19		μJ

Ciri-ciri Diod Terbalik(TC =25。C melainkan dinyatakan sebaliknya)

Simbol	Parameter	nilai			Unit	Keadaan ujian	Nota
Simbol	Parameter	Min.	Jenis.	Maks.	Unit	Keadaan ujian	Nota
VSD	Voltan hadapan diod		4.0		V	ISD =5A, VGS =0V	Rajah 10, 11, 12
VSD	Voltan hadapan diod		3.7		V	ISD =5A, VGS =0V, TJ =175。C	Rajah 10, 11, 12
trr	Masa pemulihan terbalik		26		ns	VGS =-3.5V/+18V, ISD =10A, VR =800V, RG(ext) =15Ω L=300μH di/dt=3000A/μs
Qrr	Caj pemulihan terbalik		92		nC
IRRM	Puncak arus pemulihan terbalik		10.6		A