1200V 160mΩ Gen2 Kenderaan SiC MOSFET

Ciri-ciri

Permohonan

Garis Besar:

Rajah Penandaan:

Penarafan Maksimum mutlak (TC=25°C kecuali dinyatakan lain)

Simbol	Parameter	nilai	unit	Keadaan Ujian	Nota
VDS	Voltan Drain-Sumber	1200	V	VGS =0V, ID =100μA
VGSmax (DC)	Voltan DC maksimum	-5 hingga 20	V	Statik (DC)
VGSmax (Spike)	Voltan puncak maksimum	-10 hingga 23	V	Kitaran duti<1%, dan lebar pulsa<200ns
VGSon	Voltan penyalaan yang disyorkan	18±0.5	V
VGSoff	Voltan pematian yang disyorkan	-3.5 hingga -2	V
id	Arus penguras (terus-menerus)	19	A	VGS =18V, TC =25°C	Raj. 23
		14	A	VGS =18V, TC =100°C
IDM	Arus penjinak (tertumpu)	47	A	Lebar denyutan terhad oleh SOA	Rajah 26
Ptot	Jumlah pembebasan kuasa	136	W	TC =25°C	Raj. 24
TSTG	Julat Suhu Penyimpanan	-55 hingga 175	°C
Tj	Suhu persimpangan operasi	-55 hingga 175	°C
TL	Suhu penyolderan	260	°C	penyolderan gelombang sahaja dibenarkan pada pin, 1.6mm dari kes selama 10 saat

Data haba

Simbol	Parameter	nilai	unit	Nota
Rθ(J-C)	Hambatan Tepi dari Junction ke Kes	1.1	°C/W	Rajah. 25

Ciri-ciri Elektrik (TC =25。C melainkan dinyatakan sebaliknya)

Simbol	Parameter	nilai			unit	Keadaan Ujian	Nota
		Min.	- TIP.	Max.
IDSS	Arus pengurasan voltan sifar gerbang		5	100	μA	VDS =1200V, VGS =0V
IGSS	Pasaran kebocoran pintu			±100	nA	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	Voltan ambang pintu	1.8	2.8	4.5	V	VGS =VDS , ID =2mA	Rajah 8, 9
			2.1			VGS =VDS , ID =2mA @ TJ =175。C
Ron	Hambatan statik sumber-pengimbas pada		160	208	mΩ	VGS =18V, ID =5A @TJ =25。C	Rajah 4, 5, 6, 7
			285		mΩ	VGS =18V, ID =5A @TJ =175。C
Ciss	Kapasiti input		575		PF	VDS=800V, VGS =0V, f=1MHz, VAC=25mV	Rajah 16
Coss	Kapacitans Output		34		PF
Crss	Kapasiti pemindahan terbalik		2.3		PF
Eoss	tenaga ter simpan Coss		14		μJ		Rajah 17
Qg	cas gate jumlah		29		NC	VDS =800V, ID =10A, VGS =-3 hingga 18V	Rajah 18
Qgs	Cas gate-source		6.6		NC
Qgd	Cas gate-drain		14.4		NC
Rg	Tahanan input gate		10		Ω	f=1MHz
EON	Tenaga Pertukaran Hidup		115		μJ	VDS =800V, ID =10A, VGS =-3.5 hingga 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=300μH TJ =25。C	Rajah 19, 20
EOFF	Tenaga Pertukaran Mati		22		μJ
td ((on)	Masa kelewatan penyambutan		2.5		n
tr	Masa naik		9.5
td ((off)	Masa kelewatan penutupan		7.3
TF	Waktu kejatuhan		11.0
EON	Tenaga Pertukaran Hidup		194		μJ	VDS =800V, ID =10A, VGS =-3.5 hingga 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=300μH TJ =175。C	Rajah 22
EOFF	Tenaga Pertukaran Mati		19		μJ

Ciri-ciri Diod Terbalik (TC =25。C melainkan dinyatakan sebaliknya)

Simbol	Parameter	nilai			unit	Keadaan Ujian	Nota
Simbol	Parameter	Min.	- TIP.	Max.	unit	Keadaan Ujian	Nota
VSD	Voltan dioda ke hadapan		4.0		V	ISD =5A, VGS =0V	Rajah 10, 11, 12
VSD	Voltan dioda ke hadapan		3.7		V	ISD =5A, VGS =0V, TJ =175。C	Rajah 10, 11, 12
trr	Masa Pemulihan Balik		26		n	VGS =-3.5V/+18V, ISD =10A, VR =800V, RG(ext) =15Ω L=300μH di/dt=3000A/μs
Qrr	Cas Charge Pemulihan Balik		92		NC
IRRM	Arus pulih terbalik puncak		10.6		A