650V 25mΩ Gen2 Automotive SiC MOSFET

Savybės

Programos

Metmenys:

vaizdas

Žymėjimo schema:

Absoliučiai maksimalus įvertinimas(TC=25°C, jei nenurodyta kitaip)

Simbolis	Parametras	Vertė	Vienetas	Bandymo sąlygos	pastabos
VDS	Drenažo šaltinio įtampa	650	V	VGS =0V, ID =100μA
VGSmax (DC)	Maksimali nuolatinė įtampa	-5-20	V	Statinis (DC)
VGSmax (smaigalys)	Maksimali smaigalio įtampa	-10–23	V	Darbo ciklas <1%, o impulso plotis <200n
VGSon	Rekomenduojama įjungimo įtampa	18 0.5 ±	V
VGSoff	Rekomenduojama išjungimo įtampa	-3.5 iki -2	V
ID	Išleidimo srovė (nepertraukiama)	99	A	VGS =18V, TC =25°C	23 pav
		72	A	VGS =18V, TC =100°C
IDM	Išleidimo srovė (impulsinė)	247	A	Impulso plotis ribojamas SOA	26 pav
PTOT	Bendras galios išsklaidymas	454	W	TC =25°C	24 pav
Tstg	Laikymo temperatūros diapazonas	-55–175	° C
TJ	Darbinė sankryžos temperatūra	-55–175	° C
TL	Litavimo temperatūra	260	° C	Litavimas bangomis leidžiamas tik prie laidų, 1.6 mm atstumu nuo korpuso 10 s

Šiluminiai duomenys

Simbolis	Parametras	Vertė	Vienetas	pastabos
Rθ (JC)	Šiluminė varža nuo sankryžos iki korpuso	0.33	° C / W	25 pav

Elektrinės charakteristikos(TC = 25。C, jei nenurodyta kitaip)

Simbolis	Parametras	Vertė			Vienetas	Bandymo sąlygos	pastabos
Simbolis	Parametras	Min.	Tipas.	Maks.	Vienetas	Bandymo sąlygos	pastabos
IDSS	Nulinės vartų įtampos nutekėjimo srovė		3	100	μA	VDS =650V, VGS =0V
IGSS	Vartų nuotėkio srovė			± 100	nA	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH KORTELĖ	Vartų slenkstinė įtampa	1.8	2.8	4.5	V	VGS = VDS , ID = 12 mA	8, 9 pav
VTH KORTELĖ	Vartų slenkstinė įtampa		2.0			VGS = VDS , ID = 12 mA @ TJ = 175。C	8, 9 pav
RON	Statinis nutekėjimo šaltinio atsparumas įjungimui		25	33	mΩ	VGS =18V, ID =40A @TJ =25。C	4, 5, 6, 7 pav
RON	Statinis nutekėjimo šaltinio atsparumas įjungimui		38		mΩ	VGS =18V, ID =40A @TJ =175。C	4, 5, 6, 7 pav
Ciss	Įvesties talpa		3090		pF	VDS = 600 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz, VAC = 25 mV	16 pav
Kosas	Išėjimo talpa		251		pF
Crss	Atvirkštinio perdavimo talpa		19		pF
Eoss	Sukaupta energija		52		μJ		17 pav
Qg	Visas vartų mokestis		125		nC	VDS =400V, ID =40A, VGS =-3 iki 18V	18 pav
Qgs	Vartų šaltinio mokestis		35.7		nC
Qgd	Vartų nutekėjimo mokestis		38.5		nC
Rg	Vartų įėjimo varža		1.5		Ω	f = 1 MHz
EON	Įjungti perjungimo energiją		218.8		μJ	VDS =400V, ID =40A, VGS =-3.5 to 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=200μH TJ =25。C	19, 20 pav
EOFF	Išjunkite perjungimo energiją		95.0		μJ
td (įjungta)	Įjungimo delsos laikas		12.9		ns
tr	Didėja laikas		26.5
td (išjungta)	Išjungimo delsos laikas		23.2
tf	Rudens laikas		11.7
EON	Įjungti perjungimo energiją		248.5		μJ	VDS =400V, ID =40A, VGS =-3.5 to 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=200μH TJ =175。C	22 pav
EOFF	Išjunkite perjungimo energiją		99.7		μJ		22 pav

Atvirkštinio diodo charakteristikos(TC = 25。C, jei nenurodyta kitaip)

Simbolis	Parametras	Vertė			Vienetas	Bandymo sąlygos	pastabos
Simbolis	Parametras	Min.	Tipas.	Maks.	Vienetas	Bandymo sąlygos	pastabos
VSD	Diodo tiesioginė įtampa		3.7		V	ISD =20A, VGS =0V	10, 11, 12 pav
VSD	Diodo tiesioginė įtampa		3.5		V	ISD =20A, VGS =0V, TJ =175。C	10, 11, 12 pav
trr	Atvirkštinis atkūrimo laikas		32		ns	VGS =-3.5V/+18V, ISD =40A, VR =400V, RG(ext) =7.5Ω L=200μH di/dt=3000A/μs
QRr	Atvirkštinis atkūrimo mokestis		195.3		nC
IRRM	Didžiausia atvirkštinė atkūrimo srovė		20.2		A