1200V 40A Automobilių SiC Schottky diodas

Savybės

Paraiškos

Apraspas

Žymėjimo Diagrama

Absoliutiniausi Didžiausiniai Rodikliai (Tc=25°C nebent kitą nurodyta)

Simbolis	Parametras	vertė	VIENETAS
VRRM	Atvirkštinė įtampa (kartotinis viršūnės)	1200	V
VDC	DC blokuojanti įtampa	1200	V
Jeigu	Pirmyn eiga (nuolatinis) @Tc=25°C	54*	A
	Sukamojo srovo (nuolatinis) @Tc=135°C	28*	A
	Sukamojo srovo (nuolatinis) @Tc=151°C	20*	A
IFSM	Plytros nesikartojantis sukamasis einamas sinusinės pusrūšis @Tc=25°C tp=10ms	140*	A
IFRM	Plytros kartojantis sukamasis srovė (Dažnis=0,1Hz, 100 ciklai) sinusinės pusrūšis @Tamb=25°C tp=10ms	115*	A
Ptot	Bendroji galios dissipacija @ Tc=25°C	272*	W
	Bendroji galios dissipacija @ Tc=150°C	45*
	I2t reikšmė @Tc=25°C tp=10ms	98*	A2s
Tstg	Saugyklos temperatūros intervalas	-55 iki 175	°C
Tj	Eksploatacijos jungties temperatūros diapazonas	-55 iki 175	°C

*Per koją

Stresai, viršijantys reikšmes, nurodytas maksimalių įvertinimų lentelėje, gali sugedžioti įrenginį. Jei bet kuri iš šių ribų bus viršyta, įrenginio

funkcinis veikimas negali būti užtikrinamas, gali įvykti pavaržymas ir patikimumas gali būti paveiktas.

Elektriniai charakteristika

Simbolis	Parametras	Tip.	Maks.	VIENETAS	Bandymo sąlygos	Pastaba
VF	Pirmyn esanti įtampos	1.48*	1.8*	V	IF = 20 A TJ =25°C	Ilg. 1
		2.1*	3.0*		IF = 20 A TJ =175°C
IR	Atvirkštinis srovė	10*	200*	μA	VR = 1200 V TJ =25°C	Figs. 2
		45*	800*		VR = 1200 V TJ =175°C
C	Bendras kapacitetas	1114*		PF	VR = 1 V, TJ = 25°C, f = 1 MHz	Figs. 3
		100*			VR = 400 V, TJ = 25˚C, f = 1 MHz
		77*			VR = 800 V, TJ = 25˚C, f = 1 MHz
BK	Visas kapacitinis krūvis	107*		NC	VR = 800 V, TJ = 25°C, Qc = C(v)dv	Fig. 4
ec	Kapacitoriaus saugoma energija	31*		μJ	VR = 800 V, TJ = 25°C, Ec = C(v) ⋅vdv	Fig. 5