SiC SBD

1200V 10A SiC Schottky diodiniai kintamosios srovės/nuolatinės srovės keitikliai

Įvadas

Įvadas

Vieta Kilmės šalis:	Zhejiang
Gamintojas Vardas:	Inventchip technologija
Modelio numeris:	IV1D12010T2
Sertifikatai:

Minimalus pakavimo kiekis:	450PCS
Kaina:
Pakavimo informacija:
Pristatymo laikas:
Apmokėjimo sąlygos:
Pateikti Gebėjimas:

Savybės

Maksimali sankryžos temperatūra 175°C
Didelės viršįtampio srovės talpa
Nulinė atvirkštinio atkūrimo srovė
Nulinė į priekį atkūrimo įtampa
Aukšto dažnio veikimas
nuo temperatūros nepriklausomas perjungimo elgesys
Teigiamas VF temperatūros koeficientas

Programos

Saulės energijos padidinimas
Inverterio nemokami vairo diodai
Vienos 3 fazių PFC
AC/DC keitikliai
Perjungimo režimo maitinimo šaltiniai

Kontūras

vaizdas

Žymėjimo schema

vaizdas

Absoliučiai maksimalus įvertinimas(Tc = 25 °C, jei nenurodyta kitaip)

Simbolis	Parametras	Vertė	Vienetas
VRRM	Atbulinė įtampa (pasikartojanti smailė)	1200	V
VDC	DC blokavimo įtampa	1200	V
IF	Priekinė srovė (nepertraukiama) @Tc=25°C	30	A
	Priekinė srovė (nepertraukiama) @Tc=135°C	15.2	A
	Priekinė srovė (nepertraukiama) @Tc=155°C	10	A
IFSM	Viršįtampio nesikartojantis tiesioginės srovės sinuso pusbangis @Tc=25°C tp=10ms	72	A
IFRM	Viršįtampių pasikartojanti tiesioginė srovė (dažnis = 0.1 Hz, 100 ciklų) sinuso pusbangis @Tamb = 25 ° C tp = 10 ms	56	A
Ptot	Bendras galios išsklaidymas @ Tc=25°C	176	W
	Bendras galios išsklaidymas @ Tc=150°C	29
	I2t vertė @Tc=25°C tp=10ms	26	A2
Tstg	Laikymo temperatūros diapazonas	-55–175	° C
Tj	Darbinės sankryžos temperatūros diapazonas	-55–175	° C

Įtempiai, viršijantys nurodytus didžiausių įvertinimų lentelėje, gali sugadinti įrenginį. Jei bet kuri iš šių ribų viršijama, negalima manyti, kad prietaisas veikia, gali atsirasti gedimų ir nukentėti patikimumas.

Elektrinės charakteristikos

Simbolis	Parametras	Tipas.	Maks.	Vienetas	Bandymo sąlygos	pastabos
VF	Priekinė įtampa	1.48	1.7	V	IF = 10 A TJ = 25°C	1 pav
		2.0	3.0		IF = 10 A TJ = 175°C
IR	Atvirkštinė srovė	1	100	μA	VR = 1200 V TJ =25°C	2 pav
		10	250		VR = 1200 V TJ =175°C
C	Bendra talpa	575		pF	VR = 1 V, TJ = 25°C, f = 1 MHz	3 pav
		59			VR = 400 V, TJ = 25˚C, f = 1 MHz
		42.5			VR = 800 V, TJ = 25˚C, f = 1 MHz
QC	Bendras talpinis įkrovimas	62		nC	VR = 800 V, TJ = 25°C, Qc = C(v)dv	4 pav
EC	Talpos sukaupta energija	16.8		μJ	VR = 800 V, TJ = 25°C, Ec = C(v) ⋅vdv	5 pav