SiC SBD

1200V 10A SiC Schottky diodas AC/DC Konvertoriai

Įvadas

Įvadas

Gamtos vieta:	Zhejiang
Branduolinis pavadinimas:	Inventchip Technologija
Modelio numeris:	IV1D12010T2
Sertifikacija:

Minimalus pakavimo kiekis:	450 vienetų
Kaina:
Packaging Details:
Pristatymo laikas:
Mokėjimo sąlygos:
Priežiūros galimybė:

Savybės

Maksimalus jungties temperatūros 175°C
Didelis virsmo srovės talpa
Nulinis atvirkštinis atkurimo srovė
Nulinis priekinio atkurimo galvijus
Aukštos dažnos veikimas
Temperatūrai nepriklausantis perjungimo elgsenas
Teigiama temperatūros koeficientas ant VF

Paraiškos

Saulės Energijos Palaikymas
Inverterio laisvojo judėjimo diodai
Viena 3-fazė PFC
AC/DC keitikliai
Perjungiamieji Jėgų Tiekiniai

Apraspas

Žymėjimo Diagrama

Absoliutiniausi Didžiausiniai Rodikliai (Tc=25°C nebent kitą nurodyta)

Simbolis	Parametras	vertė	VIENETAS
VRRM	Atvirkštinė įtampa (kartotinis viršūnės)	1200	V
VDC	DC blokuojanti įtampa	1200	V
Jeigu	Pirmyn eiga (nuolatinis) @Tc=25°C	30	A
	Sukamojo srovo (nuolatinis) @Tc=135°C	15.2	A
	Pirmyninis srovė (nuolatinis) @Tc=155°C	10	A
IFSM	Plytros nesikartojantis sukamasis einamas sinusinės pusrūšis @Tc=25°C tp=10ms	72	A
IFRM	Plytros kartojantis sukamasis srovė (Dažnis=0,1Hz, 100 ciklai) sinusinės pusrūšis @Tamb=25°C tp=10ms	56	A
Ptot	Bendroji galios dissipacija @ Tc=25°C	176	W
	Bendroji galios dissipacija @ Tc=150°C	29
	I2t reikšmė @Tc=25°C tp=10ms	26	A2s
Tstg	Saugyklos temperatūros intervalas	-55 iki 175	°C
Tj	Eksploatacijos jungties temperatūros diapazonas	-55 iki 175	°C

Stresai, viršijantys ribas, nurodytas maksimalių reitingų lentelėje, gali sugedimo įrenginio. Jei bus viršytos bet kuri iš šių ribų, negalima manyti, kad įrenginys veiks tinkamai, gali įvykti žalos ir patikimumas gali būti paveiktas.

Elektriniai charakteristika

Simbolis	Parametras	Tip.	Maks.	VIENETAS	Bandymo sąlygos	Pastaba
VF	Pirmyn esanti įtampos	1.48	1.7	V	IF = 10 A TJ =25°C	Ilg. 1
		2.0	3.0		IF = 10 A TJ =175°C
IR	Atvirkštinis srovė	1	100	μA	VR = 1200 V TJ =25°C	Figs. 2
		10	250		VR = 1200 V TJ =175°C
C	Bendras kapacitetas	575		PF	VR = 1 V, TJ = 25°C, f = 1 MHz	Figs. 3
		59			VR = 400 V, TJ = 25˚C, f = 1 MHz
		42.5			VR = 800 V, TJ = 25˚C, f = 1 MHz
BK	Visas kapacitinis krūvis	62		NC	VR = 800 V, TJ = 25°C, Qc = C(v)dv	Fig. 4
ec	Kapacitoriaus saugoma energija	16.8		μJ	VR = 800 V, TJ = 25°C, Ec = C(v) ⋅vdv	Fig. 5