Նորություններ

Inventchip Technology Co., Ltd. (IVCT) այսօր հրավիրեց, որ սկսել է տարածել 3.75kVrms առանձնացված միացիլ _GATE_ դրայվեր IC IVCO1A01D ինժեների մուտքագրման նմուշները և կանցկացնի ապարատը շուկային մասնակցության մեջ Q1 2022-ին: IVCO1A01D-ն դրայվերն է 36V 10A-ից: Ելքային կողմի VCC2 UVLO-ն փոքր է 10V-ից, ինչը դարձնում է այն կարողանուն և աمنացնող կազմակերպել SiC/Si MOSFET-ների և Si IGBT-ների դրավում։ 10A ելքային գերակայք հասարակությունը դարձնում է այն հեշտ օգտագործելու համար բարձր հասարակության կիրառություններում։ Այն ունի բաժանված ելքային արտադրություններ՝ OUTH և OUTL, որպեսզի բարձրացնելու և ներդիրելու ելքերը կարող լինեն անկախ կարգավորված՝ EMI-ն և կանցնող կորստին կրճատելու համար։ Ներկայացման փոքր հասարակությունը և բարձր համարյալ ռեժիմի տեղափոխումից հանգում (CMTI) թույլ է տալիս MOSFET-ներին վստահելիորեն կանցնել հարյուրավոր կիլոհերցից բարձր հասարակությամբ բարձր dv/dt։ Դա 8-pin SOIC փաթեթ է՝ 3.75kVrms առանձնացմամբ։ IVCO1A01D-ն օգնում է ինժեներն լուծել կարևոր դիզայնային դիրքեր և կրճատել արտադրողության ժամանակը և արժեքը շատ բարձր խտության և բարձր արդյունավետության կիրառություններում, ինչպես սերվերների և տելեկոմի շուկաներում։