SiC MOSFET

1700V 1000մΩ Պարահրանական էլեկտրական սպառողներ SiC MOSFET

Ներկայացում

Ներկայացում

Ծագման վայր:	Ժեժյան
Բրենդի անուն:	Inventchip
Մոդելի համարը:	IV2Q171R0D7
Əնթացի փաթեթի քանակը:	450

Գործառույթներ

⚫ Երկրորդ գեներացիայի SiC MOSFET տեխնոլոգիայից

+15~+18V դաշտավորման հղում

⚫ Մեծ բլոկավոր մուտքային մոտեցում պարզ անջատման դիրքով

⚫ Արագ փոխանցման արագություն ցածր կապակցությամբ

⚫ 175℃ գործակից միացող ջերմաստիճանի հնարավորություն

⚫ Սուպերարագ և կարողանումներով ներդրված մարմնավոր դիոդ

⚫ Kelvin gate input easing driver circuit design

Դիմումներ

⚫ Սոլյար ինվերտորներ

⚫ Հարցական էլեկտրոնային համակարգեր

⚫ Կարգավոր լիցքահաղորդչական սպասարկողներ

⚫ Ամենակրճի հաշվիչներ

Contours:

Marking Diagram:

Ամենամեծ Աբսոլյուտ Գնահատականներ (Tc=25°C բացի այն դեպքերից, երբ հակառակը չի նշված)

Սիմվոլ	Պարամետր	արժեք	ԱՆՎԱՆԱԿ	Ստորագրություններ	Նշան
VDS	Դրեյն- Supplies լարի մոտեցում	1700	V	VGS=0V, ID=10μA
VGSmax (Անցային)	Əլք մաքսիմում դոլանություն	-10 մինչև 23	V	Դուտիկը <1%, և պահի շերջանակը <200նս
VGSon	Հարցված միացնելու մոտեցված Voltագե	15 մինչև 18	V
VGSoff	Հարցված անջատելու մոտեցված Voltագե	-5 մինչև -2	V	Տիպիկ արժեքը -3.5V
ID	Դրենային հասցե (անընդհատ)	6.3	Ա	VGS=18V, TC=25°C	Հատված 23
ID	Դրենային հասցե (անընդհատ)	4.8	Ա	VGS=18V, TC=100°C	Հատված 23
IDM	Դրենային հասցե (պուլսային)	15.7	Ա	Պուլսի լայնությունը սահմանափակված է SOA-ով և դինամիկ Rθ(J-C)-ով	Հատված 25, 26
ISM	Տարբերակային դիոդի հասցե (պուլսավորված)	15.7	Ա	Պուլսի լայնությունը սահմանափակված է SOA-ով և դինամիկ Rθ(J-C)-ով	Հատված 25, 26
Ptot	Ընդհանուր ուժեղություն	73	W	TC=25°C	Հատ. 24
Տեստ	Պահումի ջերմաստիճանի միջակայք	-55 մինչև 175	°C
Tj	Օպերատիվ միացումների ջերմաստիճան	-55 մինչև 175	°C

Թերմոդինամիկ տվյալներ

Սիմվոլ	Պարամետր	արժեք	ԱՆՎԱՆԱԿ	Նշան
Rθ(J-C)	Տեսական ռեզիստանս միացությունից դեպի դիրք	2.05	°C⁄W	Հատված 25

Էլեկտրոնային 특성 (Tc=25°C բացի այն դեպքերից, երբ հակառակը չի նշված)

Սիմվոլ	Պարամետր	արժեք			ԱՆՎԱՆԱԿ	Ստորագրություններ	Նշան
Սիմվոլ	Պարամետր	Մին.	Տիպ․	Max.	ԱՆՎԱՆԱԿ	Ստորագրություններ	Նշան
IDSS	Դրեյն հոսքը զրո գեյթ լարումով		1	10	μA	VDS=1700V, VGS=0V
IGSS	Գեյթի ստորագրված հասցե			±100	Չ/Ա	VDS=0V, VGS=-5~20V
VTH	Գեյթի սահմանային լարում	1.8	3.0	4.5	V	VGS=VDS, ID=380uA	Հատ. 8, 9
VTH	Գեյթի սահմանային լարում		2.0		V	VGS=VDS, ID=380uA @ TJ=175°C	Հատ. 8, 9
RON	Ստատիկ դրեյն-սուրս միացած ռեզիստանս		700 1280	910	մΩ	VGS=18V, ID=1A @TJ=25°C @TJ=175°C	Հատ. 4, 5, 6, 7
RON	Ստատիկ դրեյն-սուրս միացած ռեզիստանս		950 1450	1250	մΩ	VGS=15V, ID=1A @TJ=25°C @TJ=175°C	Հատ. 4, 5, 6, 7
Ciss	Մուտքային կապակցություն		285		ՊՖ	VDS=1000V, VGS=0V, f=1MHz, VAC=25mV	Հատ. 16
Կոսս	Ելքային կապացիտիվություն		15.3		ՊՖ
Կրսս	媡 փոխանցման կապացիտիվություն		2.2		ՊՖ
Եոսս	Կոսս պահված էներգիա		11		μJ		Հատ. 17
Քգ	Ընդհանուր գեյթի լադանում		16.5		NC	VDS=1000V, ID=1A, VGS=-5 մինչև 18V	Հատ. 18
Qgs	Գեյթ-սուրս լադանում		2.7		NC
Qgd	Գեյթ-դրեն լադանում		12.5		NC
Rg	Գեյթի մուտքային հակադարձ נגדություն		13		Ω	f=1MHz
EON	Էներգիայի միջոցավարտությունը միացման ժամանակ		51.0		μJ	VDS=1000V, ID=2A, VGS=-3.5V մինչև 18V, RG(ext)=10Ω, L=2330μH Tj=25°C	Հատ. 19, 20
EOFF	Էներգիայի միջոցավարտությունը անջատման ժամանակ		17.0		μJ
td(on)	Միացման հաստատության ժամանակ		4.8		ns
tr	Վերադարձնող ժամանակ		13.2
td(անջ)	Ժամանակը հատուցման դեպի անջ		12.0
TF	Ելնելու ժամանակ		66.8
EON	Էներգիայի միջոցավարտությունը միացման ժամանակ		90.3		μJ	VDS=1000V, ID=2A, VGS=-3.5V մինչև 18V, RG(ext)=10Ω, L=2330μH Tj=175°C	Հատ. 22
EOFF	Էներգիայի միջոցավարտությունը անջատման ժամանակ		22.0		μJ		Հատ. 22

Վերադառնալիս դիոդի 특성ներ (Tc=25°C բացի այն դեպքերից, երբ հակառակը չի նշված)

Սիմվոլ	Պարամետր	արժեք			ԱՆՎԱՆԱԿ	Ստորագրություններ	Նշան
Սիմվոլ	Պարամետր	Մին.	Տիպ․	Max.	ԱՆՎԱՆԱԿ	Ստորագրություններ	Նշան
VSD	Դիոդի առաջի մոտավոր էլեկտրոմագնիսական դաշտ		4.0		V	ISD=1A, VGS=0V	Հատ. 10, 11, 12
VSD	Դիոդի առաջի մոտավոր էլեկտրոմագնիսական դաշտ		3.8		V	ISD=1A, VGS=0V, TJ=175°C	Հատ. 10, 11, 12
է	Դիոդի առաջին հասցե (անընդհատ)			11.8	Ա	VGS=-2V, TC=25°C
է	Դիոդի առաջին հասցե (անընդհատ)			6.8	Ա	VGS=-2V, TC=100°C
trr	Վերադարձակ վերականգման ժամանակ		20.6		ns	VGS=-3.5V/+18V, ISD=2A, VR=1000V, RG(ext)=10Ω L=2330μH di/dt=5000A/μs
Qrr	Վերադարձակ վերականգման լիցք		54.2		NC
IRRM	Əրկային հակադրության մաքսիմալ հաջորդաբարեցող հաստատունը		8.2		Ա