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SiC MOSFETs और Gate-Driver नवाचारों के साथ शक्ति परिवर्तन को अधिकतम करना

2024-06-23 10:05:12
SiC MOSFETs और Gate-Driver नवाचारों के साथ शक्ति परिवर्तन को अधिकतम करना

हमारे जीवन में कई चीजें करने के लिए हमें ऊर्जा की आवश्यकता होती है। ऊर्जा हमारे घरों को रोशन और गर्म करने के लिए उपयोग की जाती है, जैसे कि सेलुलर फोन या एंड्रॉइड टैबलेट रिचार्जर या हमारे वाहनों में यात्रा करने के लिए। यह हमारे दुनिया को क्रमबद्ध करता है। लेकिन वास्तविक ऊर्जा को कुछ उपयोगी चीज़ में बदला जाना पड़ता है। इस ऊर्जा को बदलने की प्रक्रिया को रूपांतरण कहा जाता है।

ऊर्जा को दूसरे रूप में परिवर्तित किया जा सकता है, जिसे हम शक्ति परिवर्तन कहते हैं, जैसे हमारे फ़ोन को चार्ज करना। हम बैटरी में संचित ऊर्जा को विद्युत ऊर्जा में बदलते हैं। वह विद्युत ऊर्जा हमारे फ़ोन को जीवित और चलने वाला रखती है। यहां तक कि सूरज की रोशनी को भी हमें विद्युत ऊर्जा में बदलने से छूट नहीं आती; सोलर पैनल भी हमारे मित्र हैं। यह हमें सूर्य की शक्ति को उपयोग करने में मदद करता है और इसे हमारे घरों को रोशन करने या हमारे उपकरणों को चार्ज करने के लिए उपयोग किया जाता है।

इस परिवर्तन को सरल बनाने के लिए, हम अपने अनुप्रयोगों में SiC MOSFETs का उपयोग करते हैं। SiC MOSFET एक विशेष उपकरण है जो मूल रूप से सिलिकॉन कार्बाइड से बना होता है। ये इलेक्ट्रॉनिक्स में नई जान-बूझ का मामला बन चुके हैं, विशेष रूप से उन चीजों के लिए जो बहुत सारी पावर MOSFET से निपटने के लिए।

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नई पावर सेमीकंडक्टर और केवल SiC MOSFETs नहीं। इसलिए, वैज्ञानिकों और इंजीनियरों को बहुत समय लगता है जो शक्ति को परिवर्तित और उपयोग करने के लिए ठंडे तरीकों का आविष्कार करने की कोशिश करते हैं। ऐसे उपकरण जिन्हें हम चाहते हैं कि वे सबसे छोटे, हल्के और मजबूत हों, फिर भी अधिक शक्तिशाली हों लेकिन कम ऊर्जा का उपयोग करें।

SiC MOSFETs इस प्रौद्योगिकी का एक आदर्श उदाहरण है। इंजीनियरों ने निर्धारित किया कि सिलिकॉन कार्बाइड मौजूदा और पुराने शक्ति-कोअर-शेपिंग प्रौद्योगिकी की तुलना में बहुत बेहतर था, जिसे इस प्रकार II, क्लास D पैकेज में उपयोग किया गया। इसका मतलब है कि वे अधिक ऊर्जा को काम करने के लिए परिवर्तित कर सकते हैं बजाय इसके कि अधिकांश भाग रूपांतरण के दौरान खो जाएँ।

गेट ड्राइवर्स में सुधार

गेट ड्राइवर्स शक्ति परिवर्तन प्रौद्योगिकी का एक अन्य कुंजी घटक गेट ड्राइवर्स के रूप में जाना जाता है। 1200v mosfet गेट ड्राइवर्स द्वारा नियंत्रित किए जाते हैं। वे प्रत्येक उपकरण द्वारा चालू और बंद की जाने वाली शक्ति को नियंत्रित करते हैं या वैकल्पिक रूप से (मार्ग) बिजली के प्रवाह को प्रबंधित करते हैं। यह आवश्यक है, क्योंकि गेट ड्राइवर्स के बिना मोसफेट्स को स्विच करना असंभव हो जाएगा।

साइलिकॉन कार्बाइड मोसफेट्स (SiC MOSFETs) पूर्व के गेट ड्राइवर्स के साथ इतनी अच्छी तरह से काम नहीं करते थे जितना अब नए डिज़ाइन में सुधार के कारण होता है। ये विकास गेट ड्राइवर्स को मोसफेट्स को बेहतर प्रतिक्रिया और अधिक सटीकता से नियंत्रित करने की क्षमता देते हैं। इसका फायदा यह है कि साइलिकॉन कार्बाइड मोसफेट्स का उपयोग करते समय सब कुछ कहीं अधिक तेजी से चालू और बंद किया जा सकता है।

पढ़ें: नए SiC MOSFETs कार्यक्षमता में सुधार करते हैं

अधिक बेहतरीन तरीके से, सबसे नए SiC MOSFETs घोषित किए गए हैं। वास्तव में, इंजीनियर उन्हें अतीत की तुलना में अधिक शक्ति और वोल्टेज को संभालने के लिए बना रहे हैं। इन नए का एक फायदा है 1200v sic mosfet ऑलस्वेल द्वारा यह है कि वे बिजली को आपके इच्छित स्थान पर जाने में कहीं अधिक कुशल हैं और ऊष्मा में विघटित एनर्जी के रूप में निकलने देते हैं। वे ऐसा कर सकते हैं क्योंकि उनके पास हम कहते हैं कि कम प्रतिरोध है। कम प्रतिरोध = एनर्जी को गुजरने में आसानी, और यह सब कुछ बेहतर चलने के लिए करता है।

नए SiC MOSFETs भी कहीं अधिक तेजी से चालू और बंद हो सकते हैं। इसलिए वे अधिक कुशल ढंग से काम करते हैं और प्रक्रिया में कम ऊर्जा का उपयोग करते हैं। वे तेजी से स्विच कर सकते हैं, और यह बहुत सारे इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों के लिए महत्वपूर्ण है।

ऊर्जा के उपयोग को बेहतर बनाना

सही है, ये सभी नई विचार और प्रौद्योगिकियाँ हमें ऊर्जा की बचत कर सकती है। यह दृष्टिकोण यही सुनिश्चित करता है कि हमारा बिजली संयोजक जितना कुशल है, हम ऊर्जा का व्यर्थ व्यवहार नहीं करते। इस स्थिति में सबको फायदा होता है।

यह महत्वपूर्ण है कि हम ऊर्जा को बुद्धिमानी से उपयोग करें, क्योंकि यह हमारे पर्यावरण को बचाने में मदद करता है और हमें बिजली के बिल पर न्यूनतम खर्च करने की अनुमति देता है। उदाहरण के लिए EVs (इलेक्ट्रिक व्हीकल) और सूचीकृत ऊर्जा जिनके उत्पादन और उपयोग में EROEI (ऊर्जा शोधन पर ऊर्जा वापसी) कम करने पर बहुत निर्भर है।

SiC MOSFETs और नए gate drivers इन प्रगतियों को अपनाने को अधिक संभव बना रहे हैं, क्योंकि वे अधिक कुशल और उच्च शक्ति युक्त उपकरणों की अनुमति देते हैं। वास्तव में, वे हमारे दैनिक जीवन में ऊर्जा को परिवर्तित और शक्तिशाली बनाने के तरीके को बदल रहे हैं।