पावर MOSFETs, जो स्थिर कप्तानों और बड़े पावर सेवकों के रूप में काम करते हैं, वो जुइस को इसके मूल बिंदु से चलाकर उस जगह तक पहुंचाते हैं जहां यह जाना चाहिए। ये बहुत बड़ी स्पेक्स दिखा सकते हैं, जैसे कि शिखर आउटपुट वोल्टेज कई सौ वोल्ट तक और एम्प रेटिंग मुझे यकीन है। ये डिवाइसेस एक बड़े प्रमाण में उपयोग किए जाते हैं (जैसे कि पावर सप्लाइज, मोटर कंट्रोलर्स और ऑडियो एम्प्लिफायर्स) और किसी भी नए गॅजेट के कुछ कॉपी बनाने की कोशिश करने वाले लोगों के लिए पहला चुनाव हो सकते हैं। यह इसलिए है क्योंकि वे चालाकी से चालू और बंद हो सकते हैं - लगभग किसी भी प्रतिरोध (mOhm के क्रम में) के बिना, और हर ट्रांजिस्टर से बहुत तेज हैं। उसी कारण से, वे JFETs या IGBT (MOS-गेट थायरिस्टर) और BJT जैसे अन्य कई पावर टूल्स की तुलना में अधिक पसंद किए जाते हैं।
एक MOSFET बिल्कुल क्या है? यह एक NPN ट्रांजिस्टर है जो पावर इलेक्ट्रॉनिक्स में एम्प्लिफायर और स्विच के रूप में काम करता है। इन्हें n-चैनल और p-चैनल की शैलियों में बनाया जाता है। वास्तविक प्रदर्शन देने वाला n-चैनल MOSFET है (हालांकि आप अन्य प्रकार का भी इस्तेमाल कर सकते हैं), लेकिन इसके सोर्स और ड्रेन के बीच कोई सामग्री होनी चाहिए। लेकिन p-चैनल MOSFET अन्य सामग्रियों से बनता है, और अपनी तरह से नृत्य करता है।
पावर MOSFET कई "शैलियों" में उपलब्ध होते हैं: वोल्टेज लेवल, करंट क्षमता और पैकेज (बस कुछ उदाहरण के लिए)। इनके बीच चयन करने के कारण मुख्यतः यह होते हैं: आपको इसे कितनी वोल्टेज/करंट कंट्रोल करनी है और बेशुमार... कितना अच्छा/तेज (<- यह OFF या ON अवस्था में भी पावर का उपयोग है अन्यथा कहा जाता है (गर्मी की समस्या))
सही MOSFET चुनने के लिए थोड़ा डरावना लगता है, लेकिन डरो मत! यहाँ कुछ महत्वपूर्ण बातें हैं। सबसे पहले, आपको यकीनन यह सुनिश्चित करना होगा कि MOSFET उस वोल्टेज को संभाल सकता है जितना भी अनुभव कर सकता है। आपको यह भी सुनिश्चित करना होगा कि यह आपकी इच्छा के अधिकतम विद्युत धारा के लिए पसर न जाए। यह तेजी से स्विच कर सकता है और गर्मी को संभाल सकता है_contributor_2_information=Open access जो बहुत ही महत्वपूर्ण है।
कुछ इलेक्ट्रॉनिक अनुप्रयोगों में, तेजी से स्विच करना इस खेल का उद्देश्य है। इसलिए यहाँ 17 तरीके हैं जिनसे आप भी ऐसा कर सकते हैं।
गेट ड्राइवर सर्किट को समायोजित करें यह सलाह दी जाती है कि गेट ड्राइवर सर्किट को इतना अच्छा संचालित किया जाए कि यह संभवतः सबसे अच्छा काम कर सके।
यदि आप क्षमता को कम करते हैं, तो यह आपके स्विच को बहुत अधिक तेजी से काम करने की अनुमति देगा।
बॉडी डायोड पुनर्स्थापन समय: ऑपरेशन की गति के लिए तेज पुनर्स्थापन बॉडी डायोड का चयन किया जाना चाहिए।
समान रूप से उपयोग किया जाने वाला Snubber Network: ट्रांज़िएंट-मुक्त स्विचिंग के लिए कोई स्नब्बिंग आवश्यक नहीं है।
सारांश में, ये परिवर्तन SiC और GaN पावर इलेक्ट्रॉनिक्स सामग्री परिदृश्य को पुनर्परिभाषित कर रहे हैं। ये सामग्रियों में उच्च ऊष्मीय चालकता और अच्छी विद्युत विघटन वोल्ट, उत्कृष्ट इलेक्ट्रॉन मोबाइलिटी होती है; जिससे ये गुणों के संयोजन की इच्छा होती है जो ये किसी भी डिवाइस के लिए परफेक्ट चुनाव बना देती है जिसे बड़ी मात्रा में शक्ति को संभालने की आवश्यकता होती है। हालांकि SiC MOSFET काफी समय से उपलब्ध हैं, GaN की उपलब्धता उच्च स्विचिंग आवृत्ति पर काम करने की क्षमता देती है।
बहुत छोटे समय में mosfet प्रौद्योगिकी ने वर्तमान स्थिति तक पहुंच ली है, जबकि मूल डिजाइन धीमे और उच्च शक्ति विसर्जन उत्पाद होते थे, MOSFET उपकरणों की गति और विश्वसनीयता में प्रदर्शन में बढ़ोतरी हुई है। ट्रेंच MOSFETs के लिए जो स्पष्ट रूप से एक खेल-बदल रहे हैं, गहरी ट्रेंच बेहतर गेट नियंत्रण और कम प्रतिरोध प्रदान करती हैं। एक चिप पर शक्ति प्रणाली कुछ सबसे अग्रणी MOSFETs का गर्व है और यह मोटर नियंत्रण और स्विचिंग (99% दक्षता तक!) जैसी अनुप्रयोगों के लिए परफेक्ट है या किसी भी आवश्यक उच्च-पक्ष स्विच के रूप में कंप्यूटर में उपयोग किया जा सकता है, लेकिन इसमें दो लीनियर रेग्यूलेटर भी बने हुए हैं! सिर्फ अपने वांछित आउटपुट रेंज में अधिक वोल्टेज इनपुट सप्लाई जोड़ें।
दूसरे शब्दों में, पावर MOSFETs आधुनिक इलेक्ट्रॉनिक्स के चुपके योद्धा हैं। वोल्टेज, विद्युत और स्विचिंग गति के संबंध में अपने MOSFETs का सही चयन करके आप केवल इतना ही आगे बढ़ सकते हैं। पावर इलेक्ट्रॉनिक्स को नए सामग्रियों जैसे SiC (सिलिकॉन कार्बाइड) या GaN, तथा तालिका-गेट जैसी सबसे नवीनतम विकासों सहित MOSFET प्रौद्योगिकियों के क्षेत्र में भी लाभ होगा।
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