पावर MOSFETs, प्रभुत्व के मजबूत कप्तान और बड़े पावर सेवक जूस को उसके मूल बिंदु से लेकर जहाँ भी उसे जाना चाहिए, वहाँ तक निर्देशित करते हैं, जो कई सौ वोल्ट पर पीक आउटपुट वोल्टेज और साथ ही एम्प रेटिंग जैसे बहुत ही विशाल विनिर्देशों को प्रदर्शित करने में सक्षम हैं, मुझे यकीन है। ये डिवाइस जो कई तरह के उपकरणों (जैसे बिजली की आपूर्ति, मोटर नियंत्रक और ऑडियो एम्पलीफायर) में उपयोग किए जाते हैं, नए गैजेट की कुछ प्रतियाँ बनाने की कोशिश करने वाले किसी भी व्यक्ति के लिए पहली पसंद हो सकते हैं। ऐसा इसलिए है क्योंकि वे बहुत तेज़ी से चालू और बंद होते हैं - लगभग बिना किसी प्रतिरोधक (mOhm के क्रम) के, हर ट्रांजिस्टर से कहीं ज़्यादा तेज़। इसी कारण से, उन्हें JFETs या IGBT (MOS-गेटेड थाइरिस्टर) और BJT जैसे कई अन्य पावर टूल्स पर भी पसंद किया जाता है।
MOSFET वास्तव में क्या है? यह एक NPN ट्रांजिस्टर है जो पावर इलेक्ट्रॉनिक्स में एम्पलीफायर और स्विच के रूप में कार्य करता है। ये n-चैनल और p-चैनल फ्लेवर में बनाए जाते हैं। शो का असली सितारा n-चैनल MOSFET है (हालाँकि आप किसी दूसरे प्रकार का उपयोग कर सकते हैं), लेकिन इसके स्रोत और नाली के बीच सामग्री होनी चाहिए। लेकिन p-चैनल MOSFET अन्य चीजों से बना है, और अपनी धुन पर नाचता है।
पावर MOSFETs कई "फ्लेवर" में आते हैं: वोल्टेज लेवल, करंट क्षमता और पैकेज (सिर्फ कुछ नाम बताने के लिए [=[2]__)। उनके बीच चयन करने के लिए कारक मुख्य रूप से इस प्रकार हैं: आप इसे कितना वोल्टेज/करंट नियंत्रित करना चाहते हैं और निश्चित रूप से... कितना अच्छा/तेज़ (<-यह भी ऑफ या ऑन अवस्था में पावर यूटिलिस्ट है जिसे अन्यथा (हीटिंग समस्या) कहा जाता है)
सही MOSFET चुनना थोड़ा मुश्किल लगता है, लेकिन घबराएँ नहीं! यहाँ कुछ मुख्य बातें बताई गई हैं। सबसे पहले, आपको यह सुनिश्चित करना होगा कि MOSFET जितना वोल्टेज अनुभव कर सकता है, उसे संभाल सकता है। आप यह भी सुनिश्चित करना चाहेंगे कि यह आपके द्वारा चाहे जाने वाले उच्चतम करंट पर पसीना न बहाए। यह तेज़ी से स्विच कर सकता है और heat_contributor_2_information=Open access को संभाल सकता है जो बहुत महत्वपूर्ण है।
कुछ इलेक्ट्रॉनिक अनुप्रयोगों में, तेज़ स्विचिंग इस खेल का उद्देश्य है। तो यहाँ कुछ 17 तरीके दिए गए हैं जिनसे आप भी ऐसा कर सकते हैं।
गेट ड्राइवर सर्किट को समायोजित करें यह सलाह दी जाती है कि गेट ड्राइवर सर्किट को ठीक से ट्यून किया जाए ताकि यह यथासंभव अच्छे से संचालित हो सके।
यदि आप धारिता कम कर देंगे तो आपका स्विच अधिक तेजी से काम करेगा।
बॉडी डायोड रिकवरी समय: संचालन की गति के लिए त्वरित रिकवरी बॉडी डायोड का चयन किया जाना चाहिए।
समरूप उपयोग स्नबर नेटवर्क का उपयोग: क्षणिक-मुक्त स्विचिंग के लिए कोई स्नबिंग आवश्यक नहीं है।
संक्षेप में, ये परिवर्तन SiC और GaN पावर इलेक्ट्रॉनिक्स सामग्री परिदृश्य को फिर से परिभाषित कर रहे हैं। इन सामग्रियों में उच्च तापीय चालकता और अच्छा ब्रेकडाउन वोल्टेज, उत्कृष्ट इलेक्ट्रॉन गतिशीलता है; गुणों के ऐसे संयोजन की इच्छा है जो इन्हें किसी भी डिवाइस के लिए एकदम सही विकल्प बनाता है जिसमें भारी मात्रा में बिजली को संभालने की क्षमता की आवश्यकता होती है। हालाँकि SiC MOSFET काफी समय से मौजूद हैं, लेकिन GaN की उपलब्धता इसे पहले की तुलना में उच्च स्विचिंग आवृत्ति पर उपयोग करने की अनुमति देती है।
बहुत ही कम समय में एमओएसएफईटी तकनीक अब इस मुकाम पर पहुंच गई है, जबकि मूल डिजाइन धीमे और उच्च शक्ति अपव्यय वाले उत्पाद थे, एमओएसएफईटी उपकरणों ने विश्वसनीयता के साथ गति दोनों में प्रदर्शन बढ़ाया है। ट्रेंच एमओएसएफईटी के लिए जो स्पष्ट रूप से एक गेम-चेंजर रहे हैं, गहरे ट्रेंच बेहतर गेट नियंत्रण और कम प्रतिरोध प्रदान करते हैं। चिप पर पावर सिस्टम कुछ सबसे उन्नत एमओएसएफईटी का दावा करता है और मोटर नियंत्रण और स्विचिंग (99% दक्षता तक!) या कंप्यूटर जैसे किसी भी आवश्यक हाई-साइड स्विच जैसे अनुप्रयोगों के लिए एकदम सही है, लेकिन इसमें दो रैखिक नियामक भी निर्मित हैं! बस अपने वांछित आउटपुट रेंज में मानक स्तरों से अधिक पर्याप्त वोल्टेज इनपुट आपूर्ति जोड़ें।
दूसरे शब्दों में, पावर MOSFET आधुनिक इलेक्ट्रॉनिक्स के मूक योद्धा हैं। वोल्टेज, करंट और स्विचिंग स्पीड के संबंध में अपने MOSFET को सही तरीके से चुनकर आप इसे केवल इतना ही आगे ले जा सकते हैं। पावर इलेक्ट्रॉनिक्स को SiC (सिलिकॉन कार्बाइड) या GaN जैसी नई सामग्रियों से भी लाभ होगा, साथ ही ट्रेंच-गेट सहित MOSFET तकनीकों में सबसे हालिया विकास से भी।
पावर मॉसफेट प्रयोगशालाओं की उच्च-मानक स्वीकृति जांच की सहायता से संपूर्ण प्रक्रिया का गुणवत्ता नियंत्रण।
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