IV1B12013HA1L – ماژول SiC 1200V 13mohm برای انرژی خورشیدی

ویژگی‌ها

درخواست ها

بسته

نمودار نشانه‌گذاری

معیارهای حداکثر مطلق (Tc=25°C مگر اینکه مشخص شده باشد)

نماد	پارامتر	ارزش	واحد	شرایط آزمایش	یادداشت
VDS	ولتاژ منبع-درین	1200	ولت
VGSmax (DC)	بیشترین ولتاژ مستقیم	-5 تا 22	ولت	استاتیک (DC)
VGSmax (تیزه)	بیشینه ولتاژ نخست	-10 تا 25	ولت	<1% چرخه وظیفه، و عرض نبض <200ns
VGSon	ولتاژ پیشنهادی روشن کردن	20±0.5	ولت
VGSoff	ولتاژ پیشنهادی خاموش کردن	-3.5 تا -2	ولت
id	جریان صرف (پیوسته)	96	A	VGS =20V, Th =50°C, Tvj≤150℃
		102	A	VGS =20V، Th =50°C، Tvj≤175℃
IDM	جریان صرف (پالسی)	204	A	عرض پالس محدود شده توسط SOA	شکل 26
Ptot	مقدار کل تابش قدرت	210	W	Tvj≤150℃	شکل 24
Tstg	محدوده دمای ذخیره سازی	-40 تا 150	درجه سانتی گراد
Tj	دماهای مجاز ورودی در شرایط جابجایی	-40 تا 150	درجه سانتی گراد	عملیات
Tj	دماهای مجاز ورودی در شرایط جابجایی	-55 تا 175	درجه سانتی گراد	عملکرد متناوب با طول عمر کاهش یافته

اطلاعات گرمایی

نماد	پارامتر	ارزش	واحد	یادداشت
Rθ(J-H)	مقاومت گرمایی از جوش به رادیاتور	0.596	°C/W	شکل 25

ویژگی‌های الکتریکی (Tc=25°C مگر اینکه مشخص شده باشد)

نماد	پارامتر	ارزش			واحد	شرایط آزمایش	یادداشت
		کمینه	معمولاً	مکس
IDSS	جریان درن تحت ولتاژ صفر در Gat		10	200	میکروآمپر	VDS =1200V, VGS =0V
IGSS	جریان رشته گیت			±200	NA	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	ولتاژ آستانه گیت	1.8	3.2	5	ولت	VGS=VDS , ID =24mA	شکل 9
			2.3			VGS=VDS , ID =24mA @ TC =150.°C
رون	مقاومت استاتیک بین دران و سورس در حالت روشن		12.5	16.3	mΩ	VGS =20V, ID =80A @TJ =25.°C	شکل 4-7
			18		mΩ	VGS =20V, ID =80A @TJ =150.°C
Ciss	ظرفیت ورودی		11		NF	VDS=800V, VGS =0V, f=100kHZ , VAC =25mV	شکل 16
Coss	ظرفیت خروجی		507		Pf
Crss	ظرفیت انتقال معکوس		31		Pf
Eoss	انرژی ذخیره شده در Coss		203		میکرو جول		شکل 17
Qg	بار کل گیت		480		NC	VDS = 800V، ID = 80A، VGS = -5 تا 20V	شکل 18
Qgs	بار بین دروازه و منبع		100		NC
Qgd	بار بین دروازه و دrain		192		NC
Rg	مقاومت ورودی دروازه		1.0		Ω	f=100kHZ
EON	انرژی جابجایی روشن شدن		783		میکرو جول	VDS =600V، ID =60A، VGS=-5 تا 20V، RG(ext)on/ RG(ext)off =2.5Ω/1.43Ω، L=120μH	شکل 19-22
EOFF	انرژی جابه‌جایی خاموش شدن		182		میکرو جول
td(on)	زمان تاخیر روشن شدن		30		نانو ثانیه
TR	زمان صعود		5.9
td(off)	زمان تاخیر خامosh شدن		37
TF	زمان نزول		21
LsCE	اندرکتیوی ناهمبسته		7.6		NH

ویژگی‌های دیود معکوس (Tc=25°C مگر اینکه مشخص شده باشد)

نماد	پارامتر	ارزش			واحد	شرایط آزمایش	یادداشت
نماد	پارامتر	کمینه	معمولاً	مکس	واحد	شرایط آزمایش	یادداشت
VSD	ولتاژ جلوگیر دیود		4.9		ولت	ISD =80A, VGS =0V	شکل 10-12
VSD	ولتاژ جلوگیر دیود		4.5		ولت	ISD =80A, VGS =0V, TJ =150°C	شکل 10-12
trr	زمان بازیابی معکوس		17.4		نانو ثانیه	VGS =-5V/+20V, ISD =60A, VR =600V, di/dt=13.28A/ns, RG(ext) =2.5Ω, L=120μH
Qrr	بار بازیابی معکوس		1095		NC
IRRM	جریان بازیابی معکوس پیک		114		A

ویژگی‌های ترمیستور NTC