SBD SiC

دیود شاتکی SiC خودرو با ولتاژ 1200V و جریان 40A

مقدمه

مقدمه

محل تولد:	جِقیانگ
نام برند:	تکنولوژی اینونتچیپ
شماره مدل:	IV1D12040U3Z
گواهینامه:	مطابق با استاندارد AEC-Q101

کمترین مقدار بسته‌بندی:	450 عدد
قیمت:
جزئیات بسته بندی:
زمان تحویل:
شرایط پرداخت:
توانایی تأمین:

ویژگی‌ها

ماکسیمم دمای مفصل ۱۷۵ درجه سانتی‌گراد
ظرفیت جریان افزایشی بالا
صفر جریان بازگشتی معکوس
ولتاژ بازگشتی جلو صفر
عملکرد فرکانس بالا
رفتار سوئیچینگ مستقل از دما
ضریب دمای مثبت روی VF
مطابق با استاندارد AEC-Q101

درخواست ها

دیودهای چرخش رایگان وارونه ماشین‌های خودرو
پایه‌های شارژ خودروهای الکتریکی
PFC فاز سه گانه وینا
بوست توان خورشیدی
منابع قدرت حالت شوئی

طرح کلی

نمودار نشانه‌گذاری

معیارهای حداکثر مطلق (Tc=25°C مگر اینکه مشخص شده باشد)

نماد	پارامتر	ارزش	واحد
VRRM	ولتاژ معکوس (پیک تکراری)	1200	ولت
VDC	ولتاژ بلوکینگ مستقیم	1200	ولت
اگه	جریان جلو (پیوسته) @Tc=25°C	54*	A
	جریان جلو (پیوسته) @Tc=135°C	28*	A
	جریان جلوگرد (پیوسته) @Tc=151°C	20*	A
IFSM	جریان پیش روی تاوان ناچند تکراری @Tc=25°C tp=10ms	140*	A
IFRM	جریان پیش روی تاوان چند تکراری (فرکانس=0.1هرتز، 100دور) @Tamb =25°C tp=10ms	115*	A
Ptot	میزان کل دیسیپیشن توان @ Tc=25°C	272*	W
	میزان کل دیسیپیشن توان @ Tc=150°C	45*
	مقدار I2t @Tc=25°C tp=10ms	98*	A2s
Tstg	محدوده دمای ذخیره سازی	-55 تا 175	درجه سانتی گراد
Tj	بازه دما برای جنکشن عملیاتی	-55 تا 175	درجه سانتی گراد

*بر اساس پایه

فشارها بیشتر از آنچه در جدول رتبه‌های حداکثر ذکر شده است، ممکن است وسیله را آسیب برساند. اگر هر یک از این حدود عبور کند، وابستگی به عملکرد وسیله قابل قبول نیست، آسیب وقوع می‌یابد و قابلیت اعتماد آسیب می‌بیند.

عملکرد وسیله فرض نباید باشد، آسیب ممکن است رخ دهد و قابلیت اعتماد تحت تأثیر قرار گیرد.

ویژگی‌های الکتریکی

نماد	پارامتر	معمولاً	مکس	واحد	شرایط آزمایش	یادداشت
VF	ولتاژ جلوگرد	1.48*	1.8*	ولت	IF = 20 A TJ =25°C	شکل 1
		2.1*	3.0*		IF = 20 A TJ =175°C
هوا	جریان معکوس	10*	200*	میکروآمپر	VR = 1200 V TJ =25°C	شکل 2
		45*	800*		VR = 1200 V TJ =175°C
C	ظرفیت کل	1114*		Pf	VR = 1 V, TJ = 25°C, f = 1 MHz	شکل 3
		100*			VR = 400 V, TJ = 25˚C, f = 1 MHz
		77*			VR = 800 V, TJ = 25˚C, f = 1 MHz
کنترل کیفیت	بار کل ظرفیتی	107*		NC	VR = 800 V, TJ = 25°C, Qc = C(v)dv	شکل 4
EC	انرژی ذخیره شده در ظرفیت	31*		میکرو جول	VR = 800 ولت، TJ = 25 درجه سانتیگراد، Ec = C(v) ⋅vdv	شکل 5