موسفت SiC

ترانزیستور SiC خودرویی نسل دوم 1200V 30mΩ

مقدمه

مقدمه

محل تولد:	جِقیانگ
نام برند:	تکنولوژی اینونتچیپ
شماره مدل:	IV2Q12030D7Z
گواهینامه:	مطابق با استاندارد AEC-Q101

ویژگی‌ها

فناوری SiC MOSFET نسل دوم با دروازه +18V
بلوک ولتاژ بالا با مقاومت روشن کم
سوئیچینگ سریع با ظرفیت کم
توانایی دمای پیوند عملیاتی بالا
دیود بدنه داخلی سریع و قوی
ورودی دروازه کلوین که طراحی مدار راننده را آسان می‌کند

درخواست ها

مоторهای راننده
معکوس‌کننده‌های خورشیدی
تبدیل‌کننده‌های DC/DC خودرو
معکوس‌کننده‌های فشرده‌کننده خودرو
منابع قدرت حالت شوئی

خط مشی:

نمودار نشانه گذاری:

معیارهای حداکثر مطلق (TC=25°C مگر اینکه مشخصات دیگری آورده شود)

نماد	پارامتر	ارزش	واحد	شرایط آزمایش	یادداشت
VDS	ولتاژ منبع-درین	1200	ولت	VGS =0V، ID =100μA
VGSmax (DC)	بیشترین ولتاژ مستقیم	-5 تا 20	ولت	استاتیک (DC)
VGSmax (تیزه)	بیشینه ولتاژ نخست	-10 تا 23	ولت	دuty cycle<1٪ و عرض پالس<200ns
VGSon	ولتاژ روشن کردن پیشنهادی	18±0.5	ولت
VGSoff	ولتاژ خاموش کردن پیشنهادی	-3.5 تا -2	ولت
id	جریان صرف (پیوسته)	79	A	VGS =18V, TC =25°C	شکل 23
		58	A	VGS =18V, TC =100°C
IDM	جریان صرف (پالسی)	198	A	عرض پالس محدود شده توسط SOA	شکل 26
Ptot	مقدار کل تابش قدرت	395	W	TC = 25 درجه سانتیگراد	شکل 24
Tstg	محدوده دمای ذخیره سازی	-55 تا 175	درجه سانتی گراد
Tj	دماي عملکرد جوشکاری	-55 تا 175	درجه سانتی گراد
TL	دمای جوشکاری	260	درجه سانتی گراد	جوشکاری موجی فقط در پین‌ها اجازه داده شده است، 1.6 میلیمتر از بدن قطعه برای 10 ثانیه

اطلاعات گرمایی

نماد	پارامتر	ارزش	واحد	یادداشت
Rθ(J-C)	مقاومت گرمایی از مفصل تا کasu	0.38	°C/W	شکل 23

ویژگی‌های الکتریکی (TC =25°C مگر آنکه مشخص شده باشد)

نماد	پارامتر	ارزش			واحد	شرایط آزمایش	یادداشت
نماد	پارامتر	کمینه	معمولاً	مکس	واحد	شرایط آزمایش	یادداشت
IDSS	جریان درن تحت ولتاژ صفر در Gat		5	100	میکروآمپر	VDS =1200V, VGS =0V
IGSS	جریان رشته گیت			±100	NA	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	ولتاژ آستانه گیت	1.8	2.8	4.5	ولت	VGS=VDS , ID =12mA	شکل 8، 9
VTH	ولتاژ آستانه گیت		2.0			VGS=VDS ، ID =12mA @ TJ =175. C	شکل 8، 9
رون	مقاومت استاتیک بین درن و سورس در حالت روشن		30	39	mΩ	VGS =18V، ID =30A @TJ =25.°C	شکل 4، 5، 6، 7
			55		mΩ	VGS =18V، ID =30A @TJ =175.°C
			36	47	mΩ	VGS =15V، ID =30A @TJ =25.°C
			58		mΩ	VGS =15V، ID =30A @TJ =175.°C
Ciss	ظرفیت ورودی		3000		Pf	VDS=800V، VGS =0V، f=1MHz، VAC=25mV	شکل 16
Coss	ظرفیت خروجی		140		Pf
Crss	ظرفیت انتقال معکوس		7.7		Pf
Eoss	انرژی ذخیره شده در Coss		57		میکرو جول		شکل 17
Qg	بار کل گیت		135		NC	VDS = 800V، ID = 40A، VGS = -3 تا 18V	شکل 18
Qgs	بار بین دروازه و منبع		36.8		NC
Qgd	بار بین دروازه و دrain		45.3		NC
Rg	مقاومت ورودی دروازه		2.3		Ω	f=1MHz
EON	انرژی جابجایی روشن شدن		856.6		میکرو جول	VDS =800V، ID =40A، VGS =-3.5 تا 18V، RG(ext) =3.3Ω، L=200μH TJ =25°C	شکل ۱۹، ۲۰
EOFF	انرژی جابه‌جایی خاموش شدن		118.0		میکرو جول
td(on)	زمان تاخیر روشن شدن		15.4		نانو ثانیه
TR	زمان صعود		24.6
td(off)	زمان تاخیر خامosh شدن		28.6
TF	زمان نزول		13.6

ویژگی‌های دیود معکوس (TC =25°C مگر آنکه مشخص شده باشد)

نماد	پارامتر	ارزش			واحد	شرایط آزمایش	یادداشت
نماد	پارامتر	کمینه	معمولاً	مکس	واحد	شرایط آزمایش	یادداشت
VSD	ولتاژ جلوگیر دیود		4.2		ولت	ISD =30A, VGS =0V	شکل 10، 11، 12
VSD	ولتاژ جلوگیر دیود		4.0		ولت	ISD =30A, VGS =0V, TJ =175. C	شکل 10، 11، 12
trr	زمان بازیابی معکوس		54.8		نانو ثانیه	VGS=-3.5V/+18V, ISD =40A, VR =800V, RG(ext) =13Ω L=200μH di/dt=3000A/μs
Qrr	بار بازیابی معکوس		470.7		NC
IRRM	جریان بازیابی معکوس پیک		20.3		A