موسفت SiC

موسمفتد SiC خودرو نسل دوم با ولتاژ 1200V و مقاومت 160mΩ

مقدمه

مقدمه

محل تولد:	جِقیانگ
نام برند:	تکنولوژی اینونتچیپ
شماره مدل:	IV2Q12160T4Z
گواهینامه:	AEC-Q101

کمترین مقدار سفارش:	450 عدد
قیمت:
جزئیات بسته بندی:
زمان تحویل:
شرایط پرداخت:
توانایی تأمین:

ویژگی‌ها

تکنولوژی نسل دوم موسمفت SiC با راندمان دروازه +18V
بلوک ولتاژ بالا با مقاومت روشن کم
سوئیچینگ سریع با ظرفیت کم
توانایی دمای پیوند عملیاتی بالا
دیود بدنه داخلی سریع و قوی
ورودی دروازه کلوین که طراحی مدار راننده را آسان می‌کند

درخواست ها

تبدیل‌کننده‌های DC/DC خودرو
شارژرهای روی‌برد
معکوس‌کننده‌های خورشیدی
مоторهای راننده
معکوس‌کننده‌های فشرده‌کننده خودرو
منابع قدرت حالت شوئی

خط مشی:

نمودار نشانه گذاری:

معیارهای حداکثر مطلق (Tc=25°C مگر اینکه مشخص شده باشد)

نماد	پارامتر	ارزش	واحد	شرایط آزمایش	یادداشت
VDS	ولتاژ منبع-درین	1200	ولت	VGS =0V، ID =100μA
VGSmax (DC)	بیشترین ولتاژ مستقیم	-5 تا 20	ولت	استاتیک (DC)
VGSmax (تیزه)	بیشینه ولتاژ نخست	-10 تا 23	ولت	دuty cycle<1٪ و عرض پالس<200ns
VGSon	ولتاژ روشن کردن پیشنهادی	18±0.5	ولت
VGSoff	ولتاژ خاموش کردن پیشنهادی	-3.5 تا -2	ولت
id	جریان صرف (پیوسته)	19	A	VGS =18V, TC =25°C	شکل 23
		14	A	VGS =18V, TC =100°C
IDM	جریان صرف (پالسی)	47	A	عرض پالس محدود شده توسط SOA	شکل 26
Ptot	مقدار کل تابش قدرت	136	W	TC = 25 درجه سانتیگراد	شکل 24
Tstg	محدوده دمای ذخیره سازی	-55 تا 175	درجه سانتی گراد
Tj	دماي عملکرد جوشکاری	-55 تا 175	درجه سانتی گراد
TL	دمای جوشکاری	260	درجه سانتی گراد	جوشکاری موجی فقط در پین‌ها اجازه داده شده است، 1.6 میلیمتر از بدن قطعه برای 10 ثانیه

اطلاعات گرمایی

نماد	پارامتر	ارزش	واحد	یادداشت
Rθ(J-C)	مقاومت گرمایی از مفصل تا کasu	1.1	°C/W	شکل 25

ویژگی‌های الکتریکی (TC =25°C مگر آنکه مشخص شده باشد)

نماد	پارامتر	ارزش			واحد	شرایط آزمایش	یادداشت
		کمینه	معمولاً	مکس
IDSS	جریان درن تحت ولتاژ صفر در Gat		5	100	میکروآمپر	VDS =1200V, VGS =0V
IGSS	جریان رشته گیت			±100	NA	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	ولتاژ آستانه گیت	1.8	2.8	4.5	ولت	VGS =VDS ، ID =2mA	شکل 8، 9
			2.1			VGS =VDS ، ID =2mA @ TJ =175.درجه سانتیگراد
رون	مقاومت استاتیک بین درن و سورس در حالت روشن		160	208	mΩ	VGS =18V، ID =5A @TJ =25.درجه سانتیگراد	شکل 4، 5، 6، 7
			285		mΩ	VGS =18V، ID =5A @TJ =175.درجه سانتیگراد
Ciss	ظرفیت ورودی		575		Pf	VDS=800V، VGS =0V، f=1MHz، VAC=25mV	شکل 16
Coss	ظرفیت خروجی		34		Pf
Crss	ظرفیت انتقال معکوس		2.3		Pf
Eoss	انرژی ذخیره شده در Coss		14		میکرو جول		شکل 17
Qg	بار کل گیت		29		NC	VDS =800V, ID =10A, VGS =-3 تا 18V	شکل 18
Qgs	بار بین دروازه و منبع		6.6		NC
Qgd	بار بین دروازه و دrain		14.4		NC
Rg	مقاومت ورودی دروازه		10		Ω	f=1MHz
EON	انرژی جابجایی روشن شدن		115		میکرو جول	VDS =800V، ID =10A، VGS =-3.5 تا 18V، RG(ext) =3.3Ω، L=300μH TJ =25°C	شکل ۱۹، ۲۰
EOFF	انرژی جابه‌جایی خاموش شدن		22		میکرو جول
td(on)	زمان تاخیر روشن شدن		2.5		نانو ثانیه
TR	زمان صعود		9.5
td(off)	زمان تاخیر خامosh شدن		7.3
TF	زمان نزول		11.0
EON	انرژی جابجایی روشن شدن		194		میکرو جول	VDS =800V, ID =10A, VGS =-3.5 تا 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=300μH TJ =175.°C	شکل 22
EOFF	انرژی جابه‌جایی خاموش شدن		19		میکرو جول

ویژگی‌های دیود معکوس (TC =25°C مگر آنکه مشخص شده باشد)

نماد	پارامتر	ارزش			واحد	شرایط آزمایش	یادداشت
نماد	پارامتر	کمینه	معمولاً	مکس	واحد	شرایط آزمایش	یادداشت
VSD	ولتاژ جلوگیر دیود		4.0		ولت	ISD =5A, VGS =0V	شکل 10، 11، 12
VSD	ولتاژ جلوگیر دیود		3.7		ولت	ISD =5A, VGS =0V, TJ =175.°C	شکل 10، 11، 12
trr	زمان بازیابی معکوس		26		نانو ثانیه	VGS =-3.5V/+18V, ISD =10A, VR =800V, RG(ext) =15Ω L=300μH di/dt=3000A/μs
Qrr	بار بازیابی معکوس		92		NC
IRRM	جریان بازیابی معکوس پیک		10.6		A