SiC MOSFET

1200V 40mΩ Gen2 অটোমোটিভ SiC MOSFET

ভূমিকা

ভূমিকা

আদি স্থান:	সাংহাই
ব্র্যান্ড নাম:	ইনভেনচিপ প্রযুক্তি
মডেল নম্বর:	IV2Q12040T4Z
সার্টিফিকেশন:	AEC-Q101

বৈশিষ্ট্য

2^ndজেনারেশন SiC MOSFET প্রযুক্তি সহ
+15~+18V গেট ড্রাইভ
কম অন-প্রতিরোধ সহ উচ্চ ব্লকিং ভোল্টেজ
কম ক্যাপাসিট্যান্স সহ উচ্চ গতির স্যুইচিং
175°C অপারেটিং জংশন তাপমাত্রা ক্ষমতা
অতি দ্রুত এবং শক্তিশালী অভ্যন্তরীণ বডি ডায়োড
কেলভিন গেট ইনপুট ইজিং ড্রাইভার সার্কিট ডিজাইন
AEC-Q101 যোগ্য

অ্যাপ্লিকেশন

ইভি চার্জার এবং ওবিসি
সোলার বুস্টার
স্বয়ংচালিত কম্প্রেসার ইনভার্টার
এসি/ডিসি পাওয়ার সাপ্লাই

রুপরেখা:

চিহ্নিতকরণ চিত্র:

ভাবমূর্তি

পরম সর্বোচ্চ রেটিং ings(TC=25°C যদি না অন্যথায় নির্দিষ্ট করা হয়)

প্রতীক	স্থিতিমাপ	মূল্য	একক	পরীক্ষা শর্ত	বিঃদ্রঃ
VDS	ড্রেন উত্স ভোল্টেজ	1200	V	VGS =0V, ID =100μA
VGSmax (ক্ষণস্থায়ী)	সর্বোচ্চ ক্ষণস্থায়ী ভোল্টেজ	-10 থেকে 23	V	ডিউটি চক্র <1%, এবং পালস প্রস্থ <200ns
ভিজিসন	প্রস্তাবিত টার্ন-অন ভোল্টেজ	15 থেকে 18	V
VGSoff	প্রস্তাবিত টার্ন-অফ ভোল্টেজ	-5 থেকে -2	V	সাধারণ -3.5V
ID	ড্রেন কারেন্ট (একটানা)	65	A	VGS =18V, TC =25°C	আকার 23
ID	ড্রেন কারেন্ট (একটানা)	48	A	VGS =18V, TC =100°C	আকার 23
সম্পর্কিত IDM	ড্রেন কারেন্ট (স্পন্দিত)	162	A	পালস প্রস্থ SOA এবং গতিশীল Rθ(JC) দ্বারা সীমিত	চিত্র 25, 26
আইএসএস	বডি ডায়োড কারেন্ট (স্পন্দিত)	162	A	পালস প্রস্থ SOA এবং গতিশীল Rθ(JC) দ্বারা সীমিত	চিত্র 25, 26
পিটিওটি	মোট শক্তি অপচয়	375	W	TC =25°সে	আকার 24
Tstg	স্টোরেজ তাপমাত্রা পরিসীমা	-55 থেকে 175	° সে
TJ	অপারেটিং জংশন তাপমাত্রা	-55 থেকে 175	° সে
TL	সোল্ডার তাপমাত্রা	260	° সে	ওয়েভ সোল্ডারিং শুধুমাত্র লিডগুলিতে অনুমোদিত, 1.6 সেকেন্ডের জন্য কেস থেকে 10 মিমি

থার্মাল ডেটা

প্রতীক	স্থিতিমাপ	মূল্য	একক	বিঃদ্রঃ
Rθ(JC)	জংশন থেকে কেস পর্যন্ত তাপীয় প্রতিরোধ	0.4	° সি / ডাব্লু	আকার 25

বৈদ্যুতিক বৈশিষ্ট্য (TC =25.C যদি না অন্যথায় নির্দিষ্ট করা হয়)

প্রতীক	স্থিতিমাপ	মূল্য			একক	পরীক্ষা শর্ত	বিঃদ্রঃ
প্রতীক	স্থিতিমাপ	ন্যূনতম.	Typ।	সর্বোচ্চ.	একক	পরীক্ষা শর্ত	বিঃদ্রঃ
আইডিএসএস	জিরো গেট ভোল্টেজ ড্রেন কারেন্ট		5	100	এ	VDS = 1200V, VGS = 0V
আইজিএসএস	গেট লিকেজ কারেন্ট			± 100	nA	VDS = 0V, VGS = -5~20V
VTH কার্ড	গেট বিক্রেতার ভোল্টেজ	1.8	2.8	4.5	V	VGS =VDS , ID =9mA	চিত্র 8, 9
VTH কার্ড	গেট বিক্রেতার ভোল্টেজ		2.1			VGS =VDS , ID =9mA @ TJ =175.C	চিত্র 8, 9
রন	স্ট্যাটিক ড্রেন-উৎস অন - প্রতিরোধ		40	52	মি	VGS =18V, ID =20A @TJ =25.C	চিত্র 4, 5, 6, 7
			75		মি	VGS =18V, ID =20A @TJ =175.C
			50	65	মি	VGS =15V, ID =20A @TJ =25.C
			80		মি	VGS =15V, ID =20A @TJ =175.C
সিস	ইনপুট ক্যাপাসিট্যান্স		2160		pF	VDS=800V, VGS =0V, f=1MHz, VAC=25mV	আকার 16
কস	আউটপুট ক্যাপাসিট্যান্স		100		pF
Crss	বিপরীত স্থানান্তর ক্যাপাসিট্যান্স		5.8		pF
Eoss	Coss সঞ্চিত শক্তি		40		μJ		আকার 17
Qg	মোট গেট চার্জ		110		nC	VDS =800V, ID =30A, VGS =-3 থেকে 18V	আকার 18
Qgs	গেট-উৎস চার্জ		25		nC
Qgd	গেট-ড্রেন চার্জ		59		nC
Rg	গেট ইনপুট প্রতিরোধের		2.1		Ω	f=1MHz
EON	টার্ন-অন সুইচিং এনার্জি		446.3		μJ	VDS =800V, ID =30A, VGS =-3.5 to 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=200μH TJ =25。C	চিত্র 19, 20
EOFF	বন্ধ-অফ সুইচিং শক্তি		70.0		μJ
টিডি(চালু)	চালু বিলম্ব সময়		9.6		ns
tr	সময় বৃদ্ধি		22.1
td(বন্ধ)	বন্ধ-অফ বিলম্ব সময়		19.3
tf	পতনের সময়		10.5
EON	টার্ন-অন সুইচিং এনার্জি		644.4		μJ	VDS =800V, ID =30A, VGS =-3.5 to 18V, RG(ext) =3.3Ω,L=200μH TJ =175。C	আকার 22
EOFF	বন্ধ-অফ সুইচিং শক্তি		73.8		μJ		আকার 22

বিপরীত ডায়োড বৈশিষ্ট্য (TC =25.C যদি না অন্যথায় নির্দিষ্ট করা হয়)

প্রতীক	স্থিতিমাপ	মূল্য			একক	পরীক্ষা শর্ত	বিঃদ্রঃ
প্রতীক	স্থিতিমাপ	ন্যূনতম.	Typ।	সর্বোচ্চ.	একক	পরীক্ষা শর্ত	বিঃদ্রঃ
VSD	ডায়োড ফরোয়ার্ড ভোল্টেজ		4.2		V	ISD =20A, VGS =0V	চিত্র 10, 11, 12
VSD	ডায়োড ফরোয়ার্ড ভোল্টেজ		4.0		V	ISD =20A, VGS =0V, TJ =175.C	চিত্র 10, 11, 12
IS	ডায়োড ফরোয়ার্ড কারেন্ট (একটানা)			63	A	VGS =-2V, TC =25.C
IS	ডায়োড ফরোয়ার্ড কারেন্ট (একটানা)			36	A	VGS =-2V, TC=100.C
trr	পুনরুদ্ধারের সময় বিপরীত		42.0		ns	VGS=-3.5V/+18V, ISD =30A, VR =800V, RG(ext) =10Ω L=200μH di/dt=3000A/μs
Qrr	রিভার্স রিকভারি চার্জ		198.1		nC
আইআরআরএম	পিক রিভার্স রিকভারি কারেন্ট		17.4		A