silicon carbide mosfet

Ngoài ra, các MOSFET silicon carbide có nhiều ưu điểm hơn so với các MOSFET dựa trên silicon truyền thống. Thứ nhất, chúng hiệu quả hơn về năng lượng vì chúng có điện trở thấp hơn và tốc độ chuyển mạch nhanh hơn. Thứ hai, chúng bền bỉ hơn nhiều ở điện áp cao so với các tế bào truyền thống, cho phép chúng phù hợp để hoạt động ở điện áp cao. Thứ ba, chúng hoạt động trong phạm vi nhiệt độ rộng và hiệu suất của chúng sẽ giữ nguyên trong phạm vi đó - điều này khiến chúng trở thành lựa chọn sử dụng trong môi trường có nhiệt độ cao. Cuối cùng, với cấu trúc kỹ thuật vững chắc, chúng rất đáng tin cậy trong các ứng dụng quan trọng khi làm việc trong môi trường khắc nghiệt.

Mặc dù các transistor MOSFET Silicon Carbide có nhiều ưu điểm, chúng cũng đi kèm với một số hạn chế. Ứng dụng: Các transistor MOSFET truyền thống rẻ hơn, khiến chúng trở thành giải pháp hấp dẫn trong các ứng dụng mà eGaN FETS có thể quá đắt. Chúng cũng rất dễ vỡ và cần được xử lý cẩn thận, nghĩa là việc gia công phải được đóng gói đúng cách trước khi lắp ráp. Ngoài ra, chúng yêu cầu mạch điều khiển khác biệt so với các transistor MOSFET truyền thống, do đó cần thay đổi thiết kế mạch. Tuy nhiên, những hạn chế này là nhỏ so với các lợi ích mà transistor MOSFET Silicon Carbide mang lại, bao gồm hiệu suất cao và độ tin cậy ngay cả trong các điều kiện khắc nghiệt nhất hoặc sự ổn định về nhiệt độ.