Ngoài ra, MOSFET silicon carbide có nhiều ưu điểm hơn MOSFET silicon truyền thống. Đầu tiên, chúng hiệu quả hơn về năng lượng vì chúng có ít điện trở hơn và tốc độ chuyển mạch nhanh hơn. Thứ hai, chúng có khả năng chống hỏng ở điện áp cao tốt hơn nhiều so với các cell truyền thống, cho phép chúng phù hợp với hoạt động ở điện áp cao. Thứ ba, chúng phản ứng với phạm vi nhiệt độ rộng và hiệu suất của chúng sẽ không đổi trong phạm vi đó - do đó, chúng trở thành lựa chọn sử dụng trong môi trường có nhiệt độ cao. Cuối cùng, với cấu trúc kỹ sư vững chắc, chúng rất đáng tin cậy trong các ứng dụng quan trọng khi làm việc trong môi trường khắc nghiệt.
Mặc dù MOSFET Silicon Carbide có nhiều ưu điểm nhưng chúng cũng đi kèm với một số nhược điểm. Ứng dụngMOSFET truyền thống rẻ hơn, khiến chúng trở thành giải pháp hấp dẫn trong các ứng dụng mà eGaN FETS có thể quá tốn kém. Chúng cũng dễ vỡ và yêu cầu các gói xử lý nhạy cảm, nghĩa là quá trình gia công phải được đóng gói đúng cách trước khi lắp ráp. Ngoài ra, chúng yêu cầu một mạch điều khiển khác cho MOSFET truyền thống và do đó cần thay đổi thiết kế mạch. Tuy nhiên, những hạn chế này là nhỏ so với những lợi ích mà MOSFET Silicon Carbide mang lại bao gồm hiệu suất cao và độ tin cậy ngay cả trong những điều kiện khắt khe nhất hoặc nhiệt độ không đổi.
Sự ra đời của Transistor hiệu ứng trường bán dẫn oxit kim loại Silicon Carbide (SiC) đã mang đến một cuộc cách mạng trong ngành công nghiệp điện tử công suất. MOSFET SiC đã vượt trội hơn so với các đối tác Silicon (Si) thông thường về hiệu suất, độ tin cậy và hoạt động ở nhiệt độ. Bài viết này khám phá những ưu điểm của MOSFET SiC, các lĩnh vực ứng dụng của chúng và những thách thức mà ngành công nghiệp phải đối mặt.
SiC MOSFET có một số ưu điểm so với Si MOSFET. Đầu tiên, chất bán dẫn SiC thể hiện một khoảng cách dải rộng, dẫn đến tổn thất dẫn điện thấp và điện áp đánh thủng cao. Tính chất này dẫn đến hiệu suất cao và giảm tản nhiệt so với các thiết bị Si. Thứ hai, SiC MOSFET cung cấp tốc độ chuyển mạch cao hơn và điện dung cổng thấp có thể cho phép hoạt động tần số cao và giảm tổn thất chuyển mạch. Thứ ba, SiC MOSFET có độ dẫn nhiệt cao hơn dẫn đến điện trở thiết bị thấp hơn và hiệu suất đáng tin cậy ngay cả khi hoạt động ở nhiệt độ cao.
SiC MOSFET đã được sử dụng rộng rãi trong nhiều ngành công nghiệp khác nhau bao gồm ô tô, hàng không vũ trụ, phát điện và năng lượng tái tạo. Ngành công nghiệp ô tô là một trong những ngành áp dụng chính các thiết bị này. Tốc độ chuyển mạch cao và tổn thất thấp đã cho phép phát triển các loại xe điện hiệu quả với phạm vi hoạt động cao hơn và sạc nhanh hơn. Trong ngành công nghiệp hàng không vũ trụ, việc sử dụng SiC MOSFET đã giúp giảm trọng lượng và độ tin cậy cao hơn, giúp tiết kiệm nhiên liệu và kéo dài thời gian bay. SiC MOSFET cũng cho phép tạo ra năng lượng hiệu quả từ các nguồn tái tạo như năng lượng mặt trời và gió, giúp giảm lượng khí thải carbon và tác động đến môi trường.
Việc áp dụng SiC MOSFET vẫn còn bị hạn chế bởi một số thách thức. Thứ nhất, các thiết bị này đắt hơn so với các thiết bị Si thông thường, do đó hạn chế việc áp dụng chúng trên diện rộng. Thứ hai, việc không có các giải pháp đóng gói chuẩn hóa và mạch điều khiển cổng là rào cản đối với việc sản xuất hàng loạt. Thứ ba, cần giải quyết độ tin cậy của các thiết bị SiC, đặc biệt là khi vận hành ở điện áp cao và nhiệt độ cao.
Kiểm soát chất lượng toàn bộ mosfet silicon carbide bằng các phòng thí nghiệm chuyên nghiệp đạt tiêu chuẩn cao.
cung cấp cho khách hàng các sản phẩm mosfet silicon carbide chất lượng cao nhất với chi phí phải chăng nhất.
Giúp đề xuất thiết kế của bạn sự kiện nhận được sản phẩm lỗi silicon carbide mosfet vấn đề với các sản phẩm Allswell. Hỗ trợ kỹ thuật Allswell luôn sẵn sàng.
Đội ngũ phân tích giàu kinh nghiệm cung cấp thông tin mới nhất cũng như phát triển chuỗi công nghiệp mosfet silicon carbide.
EN
AR
HR
DA
NL
FR
DE
EL
HI
IT
JA
KO
KHÔNG
PL
PT
RO
RU
ES
SV
TL
IW
ID
LT
SR
SK
UK
VI
SQ
HU
TH
TR
FA
AF
MS
HY
BN
LA
TA
TE
MY
