SiC MOSFET

SiC MOSFET ô tô thế hệ 2 1200V 40mΩ

Giới thiệu

Giới thiệu

Nơi xuất xứ:	Thượng Hải
Tên Thương Hiệu:	Inventchip Technology
Số mô hình:	IV2Q12040T4Z
Chứng nhận:	AEC-Q101

Tính năng

2^ndCông nghệ SiC MOSFET thế hệ với
+15~+18V điện áp điều khiển cổng
Điện áp chặn cao với điện trở khi bật thấp
Tốc độ chuyển đổi cao với dung lượng thấp
Khả năng hoạt động ở nhiệt độ kết nối 175°C
Diode nội tại siêu nhanh và mạnh mẽ
Đầu vào cổng Kelvin giúp dễ dàng thiết kế mạch điều khiển
Đạt tiêu chuẩn AEC-Q101

Các ứng dụng

Máy sạc EV và OBCs
Bộ tăng áp năng lượng mặt trời
Bộ biến tần nén khí ô tô
Nguồn điện AC/DC

Khung hình:

Biểu đồ đánh dấu:

Các thông số tối đa tuyệt đối (TC=25°C trừ khi có quy định khác)

Biểu tượng	Thông số	giá trị	đơn vị	Điều kiện thử nghiệm	Ghi chú
VDS	Điện áp giữa cực Drain và Source	1200	V	VGS =0V, ID =100μA
VGSmax (Chuyển tiếp)	Điện áp tạm thời tối đa	-10 đến 23	V	Tỷ lệ占<1%, và chiều rộng xung<200ns
VGSon	Điện áp bật khuyến nghị	15 đến 18	V
VGSoff	Điện áp tắt khuyến nghị	-5 đến -2	V	Tiêu biểu -3.5V
id	Dòng điện cực (liên tục)	65	A	VGS =18V, TC =25°C	Hình 23
id	Dòng điện cực (liên tục)	48	A	VGS =18V, TC =100°C	Hình 23
IDM	Dòng điện cực (chập chờn)	162	A	Chiều rộng xung giới hạn bởi SOA và Rθ(J-C) động	Hình 25, 26
ISM	Dòng điện điốt thân (chập chờn)	162	A	Chiều rộng xung giới hạn bởi SOA và Rθ(J-C) động	Hình 25, 26
PTOT	Công suất tiêu tán tổng cộng	375	W	TC = 25°C	Hình 24
Tstg	Phạm vi nhiệt độ lưu trữ	-55 đến 175	°C
TJ	Nhiệt độ kết nối hoạt động	-55 đến 175	°C
TL	Nhiệt độ hàn	260	°C	chỉ cho phép hàn sóng tại các chân, cách vỏ 1.6mm trong 10 giây

Dữ liệu nhiệt

Biểu tượng	Thông số	giá trị	đơn vị	Ghi chú
Rθ(J-C)	Độ kháng nhiệt từ điểm nối đến vỏ	0.4	°C/W	Hình 25

Đặc tính Điện (TC = 25°C trừ khi có quy định khác)

Biểu tượng	Thông số	giá trị			đơn vị	Điều kiện thử nghiệm	Ghi chú
Biểu tượng	Thông số	Tối thiểu	Tiêu chuẩn	Max.	đơn vị	Điều kiện thử nghiệm	Ghi chú
IDSS	Dòng điện cực nối đất khi điện áp bằng không		5	100	μA	VDS =1200V, VGS =0V
IGSS	Dòng rò rỉ cổng			±100	NA	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	Điện áp ngưỡng cổng	1.8	2.8	4.5	V	VGS =VDS , ID =9mA	Hình 8, 9
VTH	Điện áp ngưỡng cổng		2.1			VGS =VDS , ID =9mA @ TJ =175。C	Hình 8, 9
r	Điện trở dẫn nguồn tĩnh		40	52	mΩ	VGS =18V, ID =20A @TJ =25。C	Hình 4, 5, 6, 7
			75		mΩ	VGS =18V, ID =20A @TJ =175。C
			50	65	mΩ	VGS =15V, ID =20A @TJ =25。C
			80		mΩ	VGS =15V, ID =20A @TJ =175。C
Ciss	Điện dung đầu vào		2160		PF	VDS=800V, VGS =0V, f=1MHz, VAC=25mV	Hình 16
Coss	Điện dung đầu ra		100		PF
Crss	Dung lượng chuyển đổi ngược		5.8		PF
Eoss	Năng lượng được lưu trữ bởi Coss		40		μJ		Hình 17
Qg	Tổng điện荷 cổng		110		NC	VDS =800V, ID =30A, VGS =-3 đến 18V	Hình 18
Qgs	Phụ tải nguồn-cổng		25		NC
Qgd	Phụ tải cổng-drain		59		NC
Rg	Độ kháng vào cổng		2.1		Ω	f=1MHz
EON	Năng lượng chuyển mạch bật		446.3		μJ	VDS =800V, ID =30A, VGS =-3.5 đến 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=200μH TJ =25。C	Hình 19, 20
EOFF	Năng lượng chuyển đổi tắt		70.0		μJ
td(on)	Thời gian trễ bật		9.6		NS
TR	Thời gian tăng		22.1
td(off)	Thời gian trễ tắt		19.3
TF	Thời gian rơi		10.5
EON	Năng lượng chuyển mạch bật		644.4		μJ	VDS =800V, ID =30A, VGS =-3.5 đến 18V, RG(ext) =3.3Ω,L=200μH TJ =175。C	Hình 22
EOFF	Năng lượng chuyển đổi tắt		73.8		μJ		Hình 22

Đặc tính Diode ngược (TC = 25°C trừ khi có quy định khác)

Biểu tượng	Thông số	giá trị			đơn vị	Điều kiện thử nghiệm	Ghi chú
Biểu tượng	Thông số	Tối thiểu	Tiêu chuẩn	Max.	đơn vị	Điều kiện thử nghiệm	Ghi chú
VSD	Điện áp thuận của đi-ốt		4.2		V	ISD = 20A, VGS = 0V	Hình 10, 11, 12
VSD	Điện áp thuận của đi-ốt		4.0		V	ISD = 20A, VGS = 0V, TJ = 175°C	Hình 10, 11, 12
đã	Dòng điện thuận của đi-ốt (liên tục)			63	A	VGS =-2V, TC =25。C
đã	Dòng điện thuận của đi-ốt (liên tục)			36	A	VGS =-2V, TC=100。C
trr	Thời gian phục hồi ngược		42.0		NS	VGS=-3.5V/+18V, ISD =30A, VR =800V, RG(ext) =10Ω L=200μH di/dt=3000A/μs
Qrr	Phí phục hồi ngược		198.1		NC
IRRM	Dòng phục hồi ngược đỉnh		17.4		A