SiC SBD

Điode Schottky SiC Ô tô 1200V 40A

Giới thiệu

Giới thiệu

Nơi xuất xứ:	Chiết Giang
Tên Thương Hiệu:	Inventchip Technology
Số mô hình:	IV1D12040U3Z
Chứng nhận:	Đạt tiêu chuẩn AEC-Q101

Số lượng đóng gói tối thiểu:	450 chiếc
Giá:
Chi tiết đóng gói:
Thời gian giao hàng:
Điều khoản thanh toán:
Khả năng cung cấp:

Tính năng

Nhiệt độ kết nối tối đa 175°C
Khả năng chịu dòng điện cao
Dòng điện phục hồi ngược bằng không
Điện áp phục hồi xuôi bằng không
hoạt động tần số cao
Hành vi chuyển mạch độc lập với nhiệt độ
Hệ số nhiệt dương trên VF
Đạt tiêu chuẩn AEC-Q101

Các ứng dụng

Diode Phục hồi Tự do cho Bộ biến tần Ô tô
Trạm sạc EV
Vienna Chỉnh lưu 3 pha
Tăng cường năng lượng mặt trời
Nguồn điện chế độ chuyển mạch

Tóm tắt

Sơ đồ đánh dấu

Các thông số tối đa tuyệt đối (TC=25°C trừ khi có quy định khác)

Biểu tượng	Thông số	giá trị	đơn vị
VRRM	Điện áp ngược (đỉnh lặp lại)	1200	V
Điện áp một chiều	Điện áp chặn DC	1200	V
Nếu	Dòng điện thuận (liên tục) @Tc=25°C	54*	A
	Dòng điện thuận (liên tục) @Tc=135°C	28*	A
	Dòng điện thuận (liên tục) @Tc=151°C	20*	A
IFSM	Dòng điện tức thời do xung浪 hình sin nửa sóng @Tc=25°C tp=10ms	140*	A
IFRM	Dòng điện lặp lại do xung浪 (Tần số=0.1Hz, 100 chu kỳ) hình sin nửa sóng @Nhiệt độ môi trường =25°C tp=10ms	115*	A
PTOT	Công suất tiêu thụ tổng cộng @ Tc=25°C	272*	W
	Công suất tiêu thụ tổng cộng @ Tc=150°C	45*
	Giá trị I2t @Tc=25°C tp=10ms	98*	A2s
Tstg	Phạm vi nhiệt độ lưu trữ	-55 đến 175	°C
TJ	Dải nhiệt độ kết hoạt động	-55 đến 175	°C

*Mỗi chân

Các áp lực vượt quá những giá trị được liệt kê trong bảng Đánh Giá Tối Đa có thể làm hỏng thiết bị. Nếu bất kỳ giới hạn nào bị vượt quá, chức năng của thiết bị

không nên được giả định, có thể xảy ra hư hại và độ tin cậy có thể bị ảnh hưởng.

Đặc tính điện

Biểu tượng	Thông số	Tiêu chuẩn	Max.	đơn vị	Điều kiện thử nghiệm	Ghi chú
VF	Điện áp thuận	1.48*	1.8*	V	IF = 20 A TJ =25°C	Hình 1
		2.1*	3.0*		IF = 20 A TJ =175°C
ir	Dòng điện ngược	10*	200*	μA	VR = 1200 V TJ =25°C	Hình 2
		45*	800*		VR = 1200 V TJ =175°C
C	Tổng dung lượng	1114*		PF	VR = 1 V, TJ = 25°C, f = 1 MHz	Hình 3
		100*			VR = 400 V, TJ = 25˚C, f = 1 MHz
		77*			VR = 800 V, TJ = 25˚C, f = 1 MHz
qc	Tổng điện tích dung lượng	107*		NC	VR = 800 V, TJ = 25°C, Qc = C(v)dv	Hình 4
ec	Năng lượng được lưu trữ bởi điện dung	31*		μJ	VR = 800 V, TJ = 25°C, Ec = C(v) ⋅vdv	Hình 5