Найкращі 3 застосунки SiC MOSFET у автомобільній промисловості?

Електромобілі останні кілька років набирають популярності завдяки своєму екологічному дизайну. У будь-якому разі, електрокари все ще стикаються з проблемами низької дистанції подорожування та довгого часу зарядки. SiC MOSFETи мають потенціал вирішення цих проблем та відкриття нової ери технологій електромобілів.

Транзистори MOSFET на основі SiC — це нове покоління електронних приладів потужності, які пропонують кращі показники за порівнянням з силіконовими альтернативами у термінах напруги, частоти, ефективності та температури. Транзистори MOSFET на основі SiC можуть значно поліпшити ефективність перетворення та продуктивність потужності в електромобілі завдяки здатності працювати на вищих частотах і температурах. Іншими словами, транзистори MOSFET на основі SiC можуть відкрити шлях для електрокарів, які заряджуються швидше і їдуть швидше/ефективніше за рахунок зменшення негативних впливів, таких як вимоги до охолодження.

Тим не менш, транзистори MOSFET на основі SiC не використовуються лише в електромобілях. Ця технологія також призначенна для отримання дивідендів у гібридних авто, які поєднують двигуни внутрішнього згоряння з електродвигунами для підвищеної паливної ефективності. Збільшуючи потужнісну щільність приводів двигунів і покращуючи системи зарядки/розрядки батареї за допомогою транзисторів MOSFET на основі SiC, гібридні автомобілі можуть поліпшуватися за ефективністю та продуктивністю. Ці інновації мають призвести до покращення паливної економічності та зменшення викидів вуглецю протягом всього життєвого циклу для гібридних транспортних засобів.

Окрім гібридів, старіші автомобілі з двигунами внутрішнього згоряння — одні з найбільших викидників парникових газів сьогодні — можуть досягти покращень шляхом інтеграції SiC MOSFET. SiC MOSFET можуть підвищити ефективність систем приводу, що призведе до збільшення економії палива, дозволяючи традиційним автомобілям зменшувати викиди на глобальному рівні. Крім того, SiC MOSFET у допоміжних системах, таких як електричне кермування та кондиціонування повітря, також можуть сприяти більш високій економії палива та зменшенню викидів вуглецю.

Тихо про майбутнє, технологія автономного управління встановлює незупинну хвилю у автомобільній промисловості - обіцяючи перевагу або обмеження електронних приладів дуже високої ефективності та надійності. Цей перехід буде проводитися за допомогою транзисторів SiC MOSFET або Електронних Приладів для автономних транспортних засобів, що прискорили розвиток автомобільної галузі. Тим часом, транзистори SiC MOSFET дозволяють більш високе напругу і потужність, зменшують втрати при комутації та покращують теплову продуктивність, роблячи автономне управління безпечнішим.

У кінці кінців, висока адопція SiC MOSFET'ів у електричних/гібридних/автономних транспортних засобах має зіграти значну роль у зменшенні глобальних викидів вуглецю та збільшенні дистанції їзди/економічності палива. Ринок автомобілів швидко наближається до точки неповернення, де виробники спішать створювати енергоефективні та дружні до середовища транспортні засоби. Вирішення цих проблем є важливим для досягнення майбутнього, де транспортні засоби будуть екологічними та надійними, що робить технологію SiC MOSFET найкращою.