IV1B12013HA1L – 1200V 13mohm SiC MODÜLÜ Güneş Enerjisi Türkiye

Menşe Yeri:	Zhejiang
Marka adı:	Inventchip Teknolojisi
Model numarası:	IV1B12013HA1L
sertifikasyon:	AEC-Q101

Özellikler

• Düşük dirençle yüksek engelleme voltajı

• Düşük kapasitansla yüksek hızlı anahtarlama

• Yüksek çalışma bağlantı sıcaklığı kapasitesi

• Çok hızlı ve sağlam içsel vücut diyotu

Uygulamalar

• Güneş uygulamaları

• UPS sistemi

• Motor sürücüleri

• Yüksek gerilim DC/DC dönüştürücüler

paket

İşaretleme Diyagramı

Mutlak Maksimum Puanlar(Aksi belirtilmedikçe TC=25°C)

sembol	Parametre	Özellik	birim	Test Koşulları	not
VDS	Drenaj-Kaynak voltajı	1200	V
VGSmaks (DC)	Maksimum DC voltajı	-5 ila 22	V	Statik (DC)
VGSmax (Sivri Uç)	Maksimum ani voltaj	-10 ila 25	V	<%1 görev döngüsü ve darbe genişliği<200ns
VGSon	Önerilen açma voltajı	20 0.5 ±	V
VGS kapalı	Önerilen kapatma voltajı	-3.5 ila -2	V
ID	Drenaj akımı (sürekli)	96	A	VGS =20V, Th =50°C, Tvj≤150°C
		102	A	VGS =20V, Th =50°C, Tvj≤175°C
IDM	Drenaj akımı (darbeli)	204	A	Darbe genişliği SOA tarafından sınırlandırıldı	Fig.26
PTOT	Toplam güç dağılımı	210	W	Tvj≤150°C	Fig.24
Tstg	Depolama sıcaklığı aralığı	-40 ila 150	° C
TJ	Anahtarlama koşulları altında maksimum sanal bağlantı sıcaklığı	-40 ila 150	° C	Çalışma
		-55 ila 175	° C	Kısa ömürlü aralıklı

Termal Veri

sembol	Parametre	Özellik	birim	not
Rθ(JH)	Bağlantı Noktasından Soğutucuya Termal Direnç	0.596	° C / W	Fig.25

Elektriksel Özellikler(Aksi belirtilmedikçe TC=25°C)

sembol	Parametre	Özellik			birim	Test Koşulları	not
		Min.	Tip.	Maks.
IDS	Sıfır geçit voltajı boşaltma akımı		10	200	μA	VDS =1200V, VGS =0V
IGSS	Kapı kaçak akımı			± 200	nA	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH KART	Kapı Eşik Voltajı	1.8	3.2	5	V	VGS=VDS, Kimlik =24mA	Fig.9
			2.3			VGS=VDS, Kimlik =24mA @ TC =150。C
RON	Statik drenaj kaynağı direnci		12.5	16.3	mΩ	VGS =20V, Kimlik =80A @TJ =25。C	Şekil 4-7
			18		mΩ	VGS =20V, Kimlik =80A @TJ =150。C
cis	giriş kapasitansı		11		nF	VDS=800V, VGS =0V, f=100kHZ, VAC =25mV	Fig.16
Kazak	Çıkış kapasitansı		507		pF
Kritik	Ters transfer kapasitansı		31		pF
Eoss	Cos depolanan enerji		203		μJ		Fig.17
Qg	Toplam kapı ücreti		480		nC	VDS =800V, ID =80A, VGS =-5 ila 20V	Fig.18
Sorular	Geçit kaynağı ücreti		100		nC
qgd	Kapı tahliye ücreti		192		nC
Rg	Kapı giriş direnci		1.0		Ω	f=100kHz
EON	Açma anahtarlama enerjisi		783		μJ	VDS =600V, ID =60A, VGS=-5 to 20V, RG(ext)on/ RG(ext)off =2.5Ω/1.43Ω, L=120μH	Şekil 19-22
EKAPALI	Kapatma anahtarlama enerjisi		182		μJ
td(açık)	Açılma gecikme süresi		30		ns
tr	Yükseliş zamanı		5.9
td(kapalı)	Kapanma gecikme süresi		37
tf	Düşme zamanı		21
LsCE	Kaçak endüktans		7.6		nH

Ters Diyot Özellikleri(Aksi belirtilmedikçe TC=25°C)

sembol	Parametre	Özellik			birim	Test Koşulları	not
		Min.	Tip.	Maks.
VSD	Diyot ileri voltajı		4.9		V	ISD =80A, VGS =0V	Şekil 10-12
			4.5		V	ISD =80A, VGS =0V, TJ =150°C
tr	İyileşme süresini tersine çevir		17.4		ns	VGS =-5V/+20V, ISD =60A, VR =600V, di/dt=13.28A/ns, RG(ext) =2.5Ω, L=120μH
kare	Ters kurtarma ücreti		1095		nC
IRRM	Tepe ters kurtarma akımı		114		A

NTC Termistör Özellikleri

sembol	Parametre	Özellik			birim	Test Koşulları	not
		Min.	Tip.	Maks.
RNTC	Anma Direnci		5		kÊ	TNTC =25°C	Fig.27
ΔR/R	25°C'de Direnç Toleransı	-5		5	%
β25/50	Beta Değeri		3380		K	±% 1
Pmaks	Güç dağılımı		5		mW

Tipik Performans (eğriler)

         

Paket Boyutları (mm)