Tüm Kategoriler
İLETİŞİME GEÇİN
SiC Modülü

Ana sayfa /  Ürünler  /  Bileşenler /  SiC Modülü

SiC Modülü

1200V 25mohm SiC MODÜL Motor sürücüleri
1200V 25mohm SiC MODÜL Motor sürücüleri

1200V 25mohm SiC MODÜL Motor sürücüleri

  • Giriş

Giriş

Menşei: Zhejiang
Marka Adı: Inventchip Technology
Model Numarası: IV1B12025HC1L
Sertifika: AEC-Q101


Özellikler

  • Yüksek blokaj voltajı ile düşük açık direnç

  • Düşük kapasitansla yüksek hızda anahtarlama

  • Yüksek çalışma eklem sıcaklığı kapasitesi

  • Çok hızlı ve dayanıklı içsel vücut diodu


Uygulamalar

  • Güneş Enerjisi Uygulamaları

  • UPS sistemi

  • Motorlu Sürücüler

  • Yüksek gerilimli DC/DC dönüştürücüler


Paket

image


image


Kesin Maksimum Değerler (TC=25°C farklı belirtilmedikçe)

Sembolik Parametre değer birim Test koşulları Not
VDS Drain-Source gerilimi 1200V VGS =0V, ID =200μA
VGSmax (DC) Maksimum DC voltajı -5 ila 22 V Statik (DC)
VGSmax (Spike) Maksimum pike gerilimi -10 ila 25 V <1% iş yükü, ve pul uzunluğu<200ns
VGSon Önerilen açma gerilimi 20±0.5 V
VGSoff Önerilen kapanma gerilimi -3.5 to -2 V
kimlik Drain akımı (sürekli) 74A VGS =20V, TC =25°C
50A VGS =20V, TC =94°C
IDM Dren akımı (puls) 185A SOA tarafından belirlenen puls genişliği Şekil 26
Ptot Toplam güç dağılımı 250W TC =25°C Şekil.24
TSTG Depolama sıcaklık aralığı -40 ila 150 °C
Tj Anahtarlama koşulları altında maksimum sanal birleşim sıcaklığı -40 ila 150 °C operasyon
-55 ile 175 °C Azaltılmış ömürle aralıksal


Termal veriler

Sembolik Parametre değer birim Not
Rθ(J-C) Birleşimden Kasa'ya Termal Direnç 0.5°C/W Şekil.25


Elektriksel Özellikler (TC=25°C farklı belirtilmedikçe)

Sembolik Parametre değer birim Test koşulları Not
Min. Tipik. Max.
IDSS Sıfır kapı gerilimi dren akımı 10200μA VDS =1200V, VGS =0V
IGSS Kapı sızıntı akımı 2±200 NA VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH Kapı eşik voltajı 3.2V VGS=VDS , ID =12mA Fig.9
2.3VGS=VDS , ID =12mA @ TC =150。C
ron Statik drain-kaynak açık direnci 2533VGS =20V, ID =40A @TJ =25。C Şek.4-7
36VGS =20V, ID =40A @TJ =150。C
Ciss Girdi Kapasitesi 5.5NF VDS=800V, VGS =0V, f=100kHZ , VAC =25mV Şek.16
Coss Çıkış Kapasitesi 285PF
Crss Ters transfer kapasitansı 20PF
Eoss Coss depolanan enerji 105μJ Şekil 17
Genel Merkezi Toplam kapı şarjı 240nC VDS =800V, ID =40A, VGS =-5 ila 20V Şekil 18
Qgs Kapı-kesen yük 50nC
Qgd Kapı-drain yükü 96nC
Rg Kapı giriş direnci 1.4Ω f=100kHZ
Eon Açma Anahtarlama Enerjisi 795μJ VDS =600V, ID =50A, VGS=-5 ila 20V, RG(ext)acık / RG(ext)kapalı =2.5Ω/1.43Ω, L=120μH Şekil.19-22
Eof Kapatma Anahtarlama Enerjisi 135μJ
Td ((on) Açma Gecikme Zamanı 15ns
- Evet. Kalkma zamanı. 4.1
Td ((off) Kapatma gecikme süresi 24
TF Sonbahar zamanı 17
LsCE Savrulan endüktansa 8.8nH


Ters Diode Özellikleri (TC=25°C farklı belirtilmedikçe)

Sembolik Parametre değer birim Test koşulları Not
Min. Tipik. Max.
VSD Diyot ileri voltajı 4.9V ISD =40A, VGS =0V Şekil.10- 12
4.5V ISD =40A, VGS =0V, TJ =150°C
trr Ters İyileşme Süresi 18ns VGS =-5V/+20V, ISD =50A, VR =600V, di/dt=14.29A/ns, RG(ext) =2.5Ω, L=120μH
Qrr Ters İyileşme Yükü 1068nC
IRRM Zirve tersi kurtarma akımı 96.3A


NTC Termistör Özellikleri

Sembolik Parametre değer birim Test koşulları Not
Min. Tipik. Max.
RNTC Rating direnci 5TNTC =25℃ Şekil.27
ΔR/R 25℃ deki Direnç Toleransı -55%
β25/50 Beta Değeri 3380k ±%1
Pmax Güç Dissipasyonu 5mW


Tipik Performans (eğriler)

image

image

image

image

image

image

image

image

image

image

image

image

image

         image


Paket Boyutları (mm)

image



NOTLAR


Daha fazla bilgi için lütfen IVCT Satış Ofisine başvurun.

Telif Hakkı©2022 InventChip Technology Co., Ltd. Tüm hakları saklıdır.

Bu belgedeki bilgiler, bildirim olmadan değişebilir.


İlgili Bağlantılar


http://www.inventchip.com.cn


İLGİLİ ÜRÜN