1700V 1000mΩ Yardımcı güç kaynakları SiC MOSFET

Özellikler

⚫ 2. Nesil SiC MOSFET Teknolojisi ile

+15~+18V kapı sürücüsü

⚫ Yüksek blokaj gerilimi ile düşük açık direnç

⚫ Düşük kapasitans ile hızlı anahtarlama

⚫ 175℃ çalışma birleşik sıcaklık yeteneği

⚫Ultra hızlı ve dayanıklı içsel gövde diyodu

⚫ Sürücü devre tasarımı kolaylaştıran Kelvin kapı girişi

Uygulamalar

⚫ Güneş enerjisi ters çevirici

⚫ Yardımcı güç kaynakları

⚫ Şalterli güç kaynakları

⚫ Akıllı sayacımlar

Taslak:

İşaretlemeye Ait Şema:

Kesin Maksimum Değerler (TC=25°C farklı belirtilmedikçe)

Sembolik	Parametre	değer	birim	Test koşulları	Not
VDS	Drain-Source gerilimi	1700	V	VGS=0V, ID=10μA
VGSmax (Geçiş)	Maksimum pike gerilimi	-10 ila 23	V	Duty cycle <1%, ve pulse width<200ns
VGSon	Önerilen açma gerilimi	15 to 18	V
VGSoff	Önerilen kapanma gerilimi	-5 to -2	V	Tipik değer -3.5V
kimlik	Drain akımı (sürekli)	6.3	A	VGS=18V, TC=25°C	Şek. 23
kimlik	Drain akımı (sürekli)	4.8	A	VGS=18V, TC=100°C	Şek. 23
IDM	Dren akımı (puls)	15.7	A	Pul uzunluğu SOA ve dinamik Rθ(J-C) tarafından sınırlıdır	Şek. 25, 26
ISM	Vücut diyod akımı (puls)	15.7	A	Pul uzunluğu SOA ve dinamik Rθ(J-C) tarafından sınırlıdır	Şek. 25, 26
Ptot	Toplam güç dağılımı	73	W	TC=25°C	Şek. 24
TSTG	Depolama sıcaklık aralığı	-55 ile 175	°C
Tj	Hareket noktası sıcaklığı	-55 ile 175	°C

Termal veriler

Sembolik	Parametre	değer	birim	Not
Rθ(J-C)	Birleşimden Kasa'ya Termal Direnç	2.05	°C/W	Şek. 25

Elektriksel Özellikler (TC=25°C farklı belirtilmedikçe)

Sembolik	Parametre	değer			birim	Test koşulları	Not
Sembolik	Parametre	Min.	Tipik.	Max.	birim	Test koşulları	Not
IDSS	Sıfır kapı gerilimi dren akımı		1	10	μA	VDS=1700V, VGS=0V
IGSS	Kapı sızıntı akımı			±100	NA	VDS=0V, VGS=-5~20V
VTH	Kapı eşik voltajı	1.8	3.0	4.5	V	VGS=VDS, ID=380uA	Şek. 8, 9
VTH	Kapı eşik voltajı		2.0		V	VGS=VDS, ID=380uA @ TJ=175°C	Şek. 8, 9
ron	Statik drain-kaynak açık direnci		700 1280	910	mΩ	VGS=18V, ID=1A @TJ=25°C @TJ=175°C	Şek. 4, 5, 6, 7
ron	Statik drain-kaynak açık direnci		950 1450	1250	mΩ	VGS=15V, ID=1A @TJ=25°C @TJ=175°C	Şek. 4, 5, 6, 7
Ciss	Girdi Kapasitesi		285		PF	VDS=1000V, VGS=0V, f=1MHz, VAC=25mV	Şek. 16
Coss	Çıkış Kapasitesi		15.3		PF
Crss	Ters transfer kapasitansı		2.2		PF
Eoss	Coss depolanan enerji		11		μJ		Şek. 17
Genel Merkezi	Toplam kapı şarjı		16.5		nC	VDS=1000V, ID=1A, VGS=-5 ile 18V	Şek. 18
Qgs	Kapı-kesen yük		2.7		nC
Qgd	Kapı-drain yükü		12.5		nC
Rg	Kapı giriş direnci		13		Ω	f=1MHz
Eon	Açma Anahtarlama Enerjisi		51.0		μJ	VDS=1000V, ID=2A, VGS=-3.5V ile 18V, RG(ext)=10Ω, L=2330μH Tj=25°C	Şek. 19, 20
Eof	Kapatma Anahtarlama Enerjisi		17.0		μJ
Td ((on)	Açma Gecikme Zamanı		4.8		ns
- Evet.	Kalkma zamanı.		13.2
Td ((off)	Kapatma gecikme süresi		12.0
TF	Sonbahar zamanı		66.8
Eon	Açma Anahtarlama Enerjisi		90.3		μJ	VDS=1000V, ID=2A, VGS=-3.5V ile 18V, RG(ext)=10Ω, L=2330μH Tj=175°C	Şek. 22
Eof	Kapatma Anahtarlama Enerjisi		22.0		μJ		Şek. 22

Ters Diode Özellikleri (TC=25°C farklı belirtilmedikçe)

Sembolik	Parametre	değer			birim	Test koşulları	Not
Sembolik	Parametre	Min.	Tipik.	Max.	birim	Test koşulları	Not
VSD	Diyot ileri voltajı		4.0		V	ISD=1A, VGS=0V	Şek. 10, 11, 12
VSD	Diyot ileri voltajı		3.8		V	ISD=1A, VGS=0V, TJ=175°C	Şek. 10, 11, 12
dir	Diode ileri akımı (sürekli)			11.8	A	VGS=-2V, TC=25°C
dir	Diode ileri akımı (sürekli)			6.8	A	VGS=-2V, TC=100°C
trr	Ters İyileşme Süresi		20.6		ns	VGS=-3.5V/+18V, ISD=2A, VR=1000V, RG(ext)=10Ω L=2330μH di/dt=5000A/μs
Qrr	Ters İyileşme Yükü		54.2		nC
IRRM	Zirve tersi kurtarma akımı		8.2		A