1200V 30mΩ Gen2 Otomotiv SiC MOSFET Türkiye

Özellikler

Uygulamalar

Anahat:

görüntü

İşaretleme Şeması:

görüntü

Mutlak Maksimum Puanlar(aksi belirtilmedikçe TC=25°C)

sembol	Parametre	Özellik	birim	Test Koşulları	not
VDS	Drenaj-Kaynak voltajı	1200	V	VGS =0V, Kimlik =100μA
VGSmaks (DC)	Maksimum DC voltajı	-5 ila 20	V	Statik (DC)
VGSmax (Sivri Uç)	Maksimum ani voltaj	-10 ila 23	V	Görev döngüsü<%1 ve darbe genişliği<200ns
VGSon	Önerilen açma voltajı	18 0.5 ±	V
VGS kapalı	Önerilen kapatma voltajı	-3.5 ila -2	V
ID	Drenaj akımı (sürekli)	79	A	VGS =18V, TC =25°C	Şekil 23
		58	A	VGS =18V, TC =100°C
IDM	Drenaj akımı (darbeli)	198	A	Darbe genişliği SOA tarafından sınırlandırıldı	Şekil 26
PTOT	Toplam güç dağılımı	395	W	TC =25°C	Şekil 24
Tstg	Depolama sıcaklığı aralığı	-55 ila 175	° C
TJ	Çalışma bağlantı sıcaklığı	-55 ila 175	° C
TL	Lehim Sıcaklığı	260	° C	dalga lehimlemeye yalnızca kasadan 1.6 mm uzaktaki uçlarda 10 saniye boyunca izin verilir

Termal Veri

sembol	Parametre	Özellik	birim	not
Rθ(JC)	Bağlantı Noktasından Kasaya Termal Direnç	0.38	° C / W	Şekil 23

Elektriksel Özellikler(Aksi belirtilmedikçe TC =25。C)

sembol	Parametre	Özellik			birim	Test Koşulları	not
sembol	Parametre	Min.	Tip.	Maks.	birim	Test Koşulları	not
IDS	Sıfır geçit voltajı boşaltma akımı		5	100	μA	VDS =1200V, VGS =0V
IGSS	Kapı kaçak akımı			± 100	nA	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH KART	Kapı Eşik Voltajı	1.8	2.8	4.5	V	VGS=VDS, Kimlik =12mA	Şekil 8, 9
VTH KART	Kapı Eşik Voltajı		2.0			VGS=VDS, Kimlik =12mA @ TJ =175。C	Şekil 8, 9
RON	Statik drenaj kaynağı açık direnç		30	39	mΩ	VGS =18V, Kimlik =30A @TJ =25。C	Şekil 4, 5, 6, 7
			55		mΩ	VGS =18V, Kimlik =30A @TJ =175。C
			36	47	mΩ	VGS =15V, Kimlik =30A @TJ =25。C
			58		mΩ	VGS =15V, Kimlik =30A @TJ =175。C
cis	giriş kapasitansı		3000		pF	VDS=800V, VGS =0V, f=1MHz, VAC=25mV	Şekil 16
Kazak	Çıkış kapasitansı		140		pF
Kritik	Ters transfer kapasitansı		7.7		pF
Eoss	Cos depolanan enerji		57		μJ		Şekil 17
Qg	Toplam kapı ücreti		135		nC	VDS =800V, ID =40A, VGS =-3 ila 18V	Şekil 18
Sorular	Geçit kaynağı ücreti		36.8		nC
qgd	Kapı tahliye ücreti		45.3		nC
Rg	Kapı giriş direnci		2.3		Ω	f=1MHz
EON	Açma anahtarlama enerjisi		856.6		μJ	VDS =800V, ID =40A, VGS =-3.5 to 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=200μH TJ =25。C	Şekil 19, 20
EKAPALI	Kapatma anahtarlama enerjisi		118.0		μJ
td(açık)	Açılma gecikme süresi		15.4		ns
tr	Yükseliş zamanı		24.6
td(kapalı)	Kapanma gecikme süresi		28.6
tf	Düşme zamanı		13.6

Ters Diyot Özellikleri(Aksi belirtilmedikçe TC =25。C)

sembol	Parametre	Özellik			birim	Test Koşulları	not
sembol	Parametre	Min.	Tip.	Maks.	birim	Test Koşulları	not
VSD	Diyot ileri voltajı		4.2		V	ISD =30A, VGS =0V	Şekil 10, 11, 12
VSD	Diyot ileri voltajı		4.0		V	ISD =30A, VGS =0V, TJ =175。C	Şekil 10, 11, 12
tr	İyileşme süresini tersine çevir		54.8		ns	VGS=-3.5V/+18V, ISD =40A, VR =800V, RG(ext) =13Ω L=200μH di/dt=3000A/μs
kare	Ters kurtarma ücreti		470.7		nC
IRRM	Tepe ters kurtarma akımı		20.3		A