1200V 30mΩ Gen2 Otomotiv SiC MOSFET

Özellikler

Uygulamalar

Taslak:

İşaretlemeye Ait Şema:

Kesin Maksimum Değerler (TC=25°C aksi belirtilmedikçe)

Sembolik	Parametre	değer	birim	Test koşulları	Not
VDS	Drain-Source gerilimi	1200	V	VGS =0V, ID =100μA
VGSmax (DC)	Maksimum DC voltajı	-5 to 20	V	Statik (DC)
VGSmax (Spike)	Maksimum pike gerilimi	-10 ila 23	V	Duty cycle<1%, ve pul uzunluğu<200ns
VGSon	Önerilen açma gerilimi	18±0.5	V
VGSoff	Önerilen kapanma gerilimi	-3.5 to -2	V
kimlik	Drain akımı (sürekli)	79	A	VGS =18V, TC =25°C	Şek. 23
		58	A	VGS =18V, TC =100°C
IDM	Dren akımı (puls)	198	A	SOA tarafından belirlenen puls genişliği	Şek. 26
Ptot	Toplam güç dağılımı	395	W	TC =25°C	Şek. 24
TSTG	Depolama sıcaklık aralığı	-55 ile 175	°C
Tj	Çalışma birleşim sıcaklığı	-55 ile 175	°C
TL	Kaynar sıcaklık	260	°C	dalgalandırma kaynatması sadece bacaklarda izin verilir, vücuttan 1.6mm uzakta 10 s için

Termal veriler

Sembolik	Parametre	değer	birim	Not
Rθ(J-C)	Birleşimden Kasa'ya Termal Direnç	0.38	°C/W	Şek. 23

Elektriksel Özellikler (TC =25。C belirtilen aksi takdirde)

Sembolik	Parametre	değer			birim	Test koşulları	Not
Sembolik	Parametre	Min.	Tipik.	Max.	birim	Test koşulları	Not
IDSS	Sıfır kapı gerilimi dren akımı		5	100	μA	VDS =1200V, VGS =0V
IGSS	Kapı sızıntı akımı			±100	NA	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	Kapı eşik voltajı	1.8	2.8	4.5	V	VGS=VDS , ID =12mA	Şek. 8, 9
VTH	Kapı eşik voltajı		2.0			VGS=VDS , ID =12mA @ TJ =175。C	Şek. 8, 9
ron	Statik drain-kaynak açık direnci		30	39	mΩ	VGS =18V, ID =30A @TJ =25。C	Şek. 4, 5, 6, 7
			55		mΩ	VGS =18V, ID =30A @TJ =175。C
			36	47	mΩ	VGS =15V, ID =30A @TJ =25。C
			58		mΩ	VGS =15V, ID =30A @TJ =175。C
Ciss	Girdi Kapasitesi		3000		PF	VDS=800V, VGS =0V, f=1MHz, VAC=25mV	Şek. 16
Coss	Çıkış Kapasitesi		140		PF
Crss	Ters transfer kapasitansı		7.7		PF
Eoss	Coss depolanan enerji		57		μJ		Şek. 17
Genel Merkezi	Toplam kapı şarjı		135		nC	VDS =800V, ID =40A, VGS =-3 ila 18V	Şek. 18
Qgs	Kapı-kesen yük		36.8		nC
Qgd	Kapı-drain yükü		45.3		nC
Rg	Kapı giriş direnci		2.3		Ω	f=1MHz
Eon	Açma Anahtarlama Enerjisi		856.6		μJ	VDS =800V, ID =40A, VGS =-3.5 ila 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=200μH TJ =25。C	Şek. 19, 20
Eof	Kapatma Anahtarlama Enerjisi		118.0		μJ
Td ((on)	Açma Gecikme Zamanı		15.4		ns
- Evet.	Kalkma zamanı.		24.6
Td ((off)	Kapatma gecikme süresi		28.6
TF	Sonbahar zamanı		13.6

Ters Diode Özellikleri (TC =25。C belirtilen aksi takdirde)

Sembolik	Parametre	değer			birim	Test koşulları	Not
Sembolik	Parametre	Min.	Tipik.	Max.	birim	Test koşulları	Not
VSD	Diyot ileri voltajı		4.2		V	ISD =30A, VGS =0V	Şek. 10, 11, 12
VSD	Diyot ileri voltajı		4.0		V	ISD =30A, VGS =0V, TJ =175。C	Şek. 10, 11, 12
trr	Ters İyileşme Süresi		54.8		ns	VGS=-3.5V/+18V, ISD =40A, VR =800V, RG(ext) =13Ω L=200μH di/dt=3000A/μs
Qrr	Ters İyileşme Yükü		470.7		nC
IRRM	Zirve tersi kurtarma akımı		20.3		A