SiC MOSFET

650V 25mΩ ஜெனரேஷன் 2 வண்டிய மற்றும் SiC MOSFET

அறிமுகம்

அறிமுகம்

-Origin:	Zhejiang
Brand Name:	Inventchip Technology
Model Number:	IV2Q06025T4Z
Certification:	AEC-Q101

சுண்ணியங்கள்

இரண்டாம் பிரதியை கொண்ட SiC MOSFET தொழில்நுட்பம்
+18V கேட் தள்ளுப்படி
உயர் தடுப்பு வோல்ட்டுடனும் குறைந்த இயங்கு தோலையுடனும்
உயர் வேகமான மாற்றுச் செயல்பாடு குறைந்த தொகுதியுடன்
உயர் செயல் சந்திரக உணர்வு திறன்
மிகவும் வேகமான மற்றும் மாறிலியான உள் மூல மின்னோட்டி
குறித்த கேட்டு உள்ளீடு அழுத்து வடிவமைப்பு தளர்வை எளிதாக்கும்

விண்ணப்பங்கள்

மோட்டர் டிரைவர்கள்
சூரிய மாற்றுனர்கள்
கார் DC/DC மாற்றுனர்கள்
ஓட்டோமோBILE காம்பிரஸர் இன்வர்ட்டர்கள்
ஸ்விட்ச் மோட் பவர் ஸப்லைகள்

உருவமொத்தமாக:

அடிப்படை படத்தின் குறியீடு:

சர்வதேச அதிகபட்ச அளவுகள் (TC=25°C எல்லாவற்றிற்கும் முன்னதாக குறிப்பிடப்படாதவரை)

குறியீடு	அளவீடு	மதியமான மதிப்பு	பிரிவு	பரிந்துரைக்கும் நிபந்தனைகள்	NOTE
VDS	பாயின்-செய்தி வீதி வோல்ட்டு	650	V	VGS =0V, ID =100μA
VGSmax (DC)	அதிகபட்ச டிசாயர் வோல்டேஜ்	-5 முதல் 20	V	சரியான (DC)
VGSmax (ஸ்பைக்)	அதிகபட்ச முழுவெடிப்பு வோல்ட்டேஜ்	-10 முதல் 23	V	விளைவு அளவு<1%, மற்றும் பல்ஸ் அகலம்<200ns
VGSon	சராசரி இயங்குவதற்கான வோல்ட்டேஜ்	18±0.5	V
VGSoff	சராசரி முடிவுணர்வுக்கான வோல்ட்டேஜ்	-3.5 to -2	V
ID	தொடர்ச்சியான குளிர்த்தற்பொழுது திரவு மாறுமாறி	99	A	VGS =18V, TC =25°C	அம்சம். 23
		72	A	VGS =18V, TC =100°C
IDM	பல்ஸ் திரவு மாறுமாறி	247	A	SOA ஆல் புல்ஸ் அகலத்து மحدودம்	அம்சம். 26
PTOT	மொத்த திரவிய மீள்வீர்ப்பு	454	W	TC =25°C	அமைப்பு 24
Tstg	அதிகாலவெளி சூனியமாக்குவதற்கான சராசரி வெப்பநிலை	-55 முதல் 175	°C
TJ	செயல்படும் சந்திப் பெருமை	-55 முதல் 175	°C
TL	சோல்டர் பெருமை	260	°C	வேயில் சோல்டரிங் மட்டுமே அனுமதி, கேசு இருந்து 1.6mm தூரத்தில் 10s வரை

வெப்ப தரவு

குறியீடு	அளவீடு	மதியமான மதிப்பு	பிரிவு	NOTE
Rθ(J-C)	சந்திரகத்திலிருந்து முகப்புக்கு வெப்ப தோற்றம்	0.33	°C/W	அம்ச. 25

மின் த்ரைவு அம்சங்கள் (TC =25°C பொதுவாக தரப்படாத அல்லது குறிப்பிடப்படாதது)

குறியீடு	அளவீடு	மதியமான மதிப்பு			பிரிவு	பரிந்துரைக்கும் நிபந்தனைகள்	NOTE
குறியீடு	அளவீடு	சிறந்த	சாதாரண	அதிகபட்ச	பிரிவு	பரிந்துரைக்கும் நிபந்தனைகள்	NOTE
IDSS	சுழிய கதவு வீர்ச்சல் தண்டிய நிலை		3	100	μA	VDS =650V, VGS =0V
IGSS	கதவு மறைந்து குறைவு தாய்ப்பு			±100	nA	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	வாடை பரிமாற்று வோல்டேஜ்	1.8	2.8	4.5	V	VGS=VDS , ID =12mA	அமை. 8, 9
VTH	வாடை பரிமாற்று வோல்டேஜ்		2.0			VGS=VDS , ID =12mA @ TJ =175。C	அமை. 8, 9
RON	சரி நிலையிலான தண்ணை-செயலியின் அதிகாரம்		25	33	mΩ	VGS =18V, ID =40A @TJ =25°C	அமை. 4, 5, 6, 7
RON	சரி நிலையிலான தண்ணை-செயலியின் அதிகாரம்		38		mΩ	VGS =18V, ID =40A @TJ =175°C	அமை. 4, 5, 6, 7
சீஸ்	உள்ளூர் கொள்கைத்திறன்		3090		pF	VDS=600V, VGS =0V, f=1MHz, VAC=25mV	அம்சம். 16
கோஸ்	வெளியூர் கொள்கைத்திறன்		251		pF
Cress	திரும்ப மாற்று கேபசிடண்ஸ்		19		pF
Eoss	Coss சேமிப்பு எ너்ஜி		52		μJ		அ. 17
Qg	மொத்த கேட் சார்ஜ்		125		nC	VDS =400V, ID =40A, VGS =-3 முதல் 18V	அ. 18
Qgs	வாய்த்து-செயலியின் முக்கியமாக்கும் சார்ஜ்		35.7		nC
Qgd	வாய்த்து-திரளி சார்ஜ்		38.5		nC
Rg	வாய்த்து உள்ளீடு தோற்றமை		1.5		Ω	f=1MHz
EON	அனுப்புவதற்கான மாற்றுச் சூழல் எண்		218.8		μJ	VDS =400V, ID =40A, VGS =-3.5 முதல் 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=200μH TJ =25。C	படம். 19, 20
EOFF	அழிவு மாற்றுச் செயல்பாட்டின் ஆற்றல்		95.0		μJ
td(on)	துவக்க தாள் நேரம்		12.9		ns
tr	உயர்ந்த நேரம்		26.5
td(off)	அழுத்த நேரம்		23.2
tf	படிவு நேரம்		11.7
EON	அனுப்புவதற்கான மாற்றுச் சூழல் எண்		248.5		μJ	VDS =400V, ID =40A, VGS =-3.5 முதல் 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=200μH TJ =175。C	கோட்பாடு 22
EOFF	அழிவு மாற்றுச் செயல்பாட்டின் ஆற்றல்		99.7		μJ		கோட்பாடு 22

திருப்பு டையோட் அம்சங்கள் (TC =25°C பொதுவாக தரப்படாத அல்லது குறிப்பிடப்படாதது)

குறியீடு	அளவீடு	மதியமான மதிப்பு			பிரிவு	பரிந்துரைக்கும் நிபந்தனைகள்	NOTE
குறியீடு	அளவீடு	சிறந்த	சாதாரண	அதிகபட்ச	பிரிவு	பரிந்துரைக்கும் நிபந்தனைகள்	NOTE
VSD	டையோட் முன்னெண் வீதி		3.7		V	ISD =20A, VGS =0V	கோட்பாடு 10, 11, 12
VSD	டையோட் முன்னெண் வீதி		3.5		V	ISD =20A, VGS =0V, TJ =175°C	கோட்பாடு 10, 11, 12
trr	திருத்தும் திருப்பு நேரம்		32		ns	VGS =-3.5V/+18V, ISD =40A, VR =400V, RG(ext) =7.5Ω L=200μH di/dt=3000A/μs
Qrr	திருத்தும் திருப்பு வீச்சு		195.3		nC
IRRM	அதிக மாறுபட்ட திரும்ப நிலையான தற்பொருள்		20.2		A