1700V 1000mΩ SiC MOSFET சூரிய உள்ளிடுவிடல்

-Origin:	Zhejiang
Brand Name:	Inventchip Technology
Model Number:	IV2Q171R0D7Z
Certification:	AEC-Q101 அறிமுகமாகிய

சுண்ணியங்கள்

• இரண்டாம் பிரதியை கொண்ட SiC MOSFET தொழில்நுட்பம் +15~+18V கேட் தள்ளுப்படி

• உயர் தடுப்பு வோல்ட்டுடனும் குறைந்த இயங்கு தோலையுடனும்

• உயர் வேகமான மாற்றுச் செயல்பாடு குறைந்த தொகுதியுடன்

• 175℃ இயங்கும் ஒட்டுச் சரிவு திறன்

• உலகளான மற்றும் மாநிலமான உள்ளீடான உடைமை டையோட்

• குறித்த கேட்டு உள்ளீடு அழுத்து வடிவமைப்பு தளர்வை எளிதாக்கும்

• AEC-Q101 அறிமுகமாகிய

விண்ணப்பங்கள்

• சூரிய மாற்றுனர்கள்

• சாதுகார மின்சார வழக்குகள்

• ஸ்விட்ச் மோட் பவர் ஸப்லைகள்

• சில்லறுத்தல் அளவிகள்

உருவமொத்தமாக:

 

அடிப்படை படத்தின் குறியீடு:

சர்வதேச அதிகபட்ச அளவுகள் (TC=25°C எல்லாவற்றிற்கும் முன்னதாக குறிப்பிடப்படாதவரை)

குறியீடு	அளவீடு	மதியமான மதிப்பு	பிரிவு	பரிந்துரைக்கும் நிபந்தனைகள்	NOTE
VDS	பாயின்-செய்தி வீதி வோல்ட்டு	1700	V	VGS =0V, ID =10μA
VGSmax (குறுக்கொளியான)	அதிகபட்ச முழுவெடிப்பு வோல்ட்டேஜ்	-10 முதல் 23	V	செயல்முறை விகிதம் <1%, மற்றும் பல்ஸ் அகலம் <200ns
VGSon	சராசரி இயங்குவதற்கான வோல்ட்டேஜ்	15 முதல் 18	V
VGSoff	சராசரி முடிவுணர்வுக்கான வோல்ட்டேஜ்	-5 முதல் -2	V	சாதாரண மதிப்பு -3.5V
ID	தொடர்ச்சியான குளிர்த்தற்பொழுது திரவு மாறுமாறி	6.3	A	VGS =18V, TC =25°C	அம்சம். 23
		4.8	A	VGS =18V, TC =100°C
IDM	பல்ஸ் திரவு மாறுமாறி	15.7	A	SOA மற்றும் இயந்திர ரீதியான Rθ(J-C) ஆல் துணை அளவு	அமைப்பு 25, 26
ISM	உடற் டையோட் தற்கோள் (துணையான)	15.7	A	SOA மற்றும் இயந்திர ரீதியான Rθ(J-C) ஆல் துணை அளவு	அமைப்பு 25, 26
PTOT	மொத்த திரவிய மீள்வீர்ப்பு	73	W	TC =25°C	அமைப்பு 24
Tstg	அதிகாலவெளி சூனியமாக்குவதற்கான சராசரி வெப்பநிலை	-55 முதல் 175	°C
TJ	செயல்படும் சந்திப் பெருமை	-55 முதல் 175	°C

வெப்ப தரவு

குறியீடு	அளவீடு	மதியமான மதிப்பு	பிரிவு	NOTE
Rθ(J-C)	சந்திரகத்திலிருந்து முகப்புக்கு வெப்ப தோற்றம்	2.05	°C/W	அம்ச. 25

மின் த்ரைவு அம்சங்கள் (TC =25°C என்று வேறு குறிப்புகள் இல்லை)

குறியீடு	அளவீடு	மதியமான மதிப்பு			பிரிவு	பரிந்துரைக்கும் நிபந்தனைகள்	NOTE
		சிறந்த	சாதாரண	அதிகபட்ச
IDSS	சுழிய கதவு வீர்ச்சல் தண்டிய நிலை		1	10	μA	VDS =1700V, VGS =0V
IGSS	கதவு மறைந்து குறைவு தாய்ப்பு			±100	nA	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	வாடை பரிமாற்று வோல்டேஜ்	1.8	3.0	4.5	V	VGS =VDS , ID =380uA	அமை. 8, 9
			2.0		V	VGS =VDS , ID =380uA @ TJ =175°C
RON	திரும்ப வீசல்-தூரத்தின் அண்மை இடைநிலை தோல்வி		700 1280	910	mΩ	VGS=18V, ID =1A @TJ =25°C @TJ =175°C	அமை. 4, 5, 6, 7
			950 1450	1250	mΩ	VGS=15V, ID =1A @TJ =25°C @TJ =175°C
சீஸ்	உள்ளூர் கொள்கைத்திறன்		285		pF	VDS =1000V, VGS =0V, f=1MHz, VAC=25mV	அம்சம். 16
கோஸ்	வெளியூர் கொள்கைத்திறன்		15.3		pF
Cress	திரும்ப மாற்று கேபசிடண்ஸ்		2.2		pF
Eoss	Coss சேமிப்பு எ너்ஜி		11		μJ		அ. 17
Qg	மொத்த கேட் சார்ஜ்		16.5		nC	VDS =1000V, ID =1A, VGS =-5 to 18V	அ. 18
Qgs	வாய்த்து-செயலியின் முக்கியமாக்கும் சார்ஜ்		2.7		nC
Qgd	வாய்த்து-திரளி சார்ஜ்		12.5		nC
Rg	வாய்த்து உள்ளீடு தோற்றமை		13		Ω	f=1MHz
EON	அனுப்புவதற்கான மாற்றுச் சூழல் எண்		51.0		μJ	VDS =1000V, ID =2A, VGS =-3.5V முதல் 18V, RG(ext) =10Ω, L=2330μH Tj=25°C	படம். 19, 20
EOFF	அழிவு மாற்றுச் செயல்பாட்டின் ஆற்றல்		17.0		μJ
td(on)	துவக்க தாள் நேரம்		4.8		ns
tr	உயர்ந்த நேரம்		13.2
td(off)	அழுத்த நேரம்		12.0
tf	படிவு நேரம்		66.8
EON	அனுப்புவதற்கான மாற்றுச் சூழல் எண்		90.3		μJ	VDS =1000V, ID =2A, VGS =-3.5V முதல் 18V, RG(ext) =10Ω, L=2330μH Tj=175°C	கோட்பாடு 22

திருப்பு டையோட் அம்சங்கள் (TC =25°C பொதுவாக தரப்படாத அல்லது குறிப்பிடப்படாதது)

குறியீடு	அளவீடு	மதியமான மதிப்பு			பிரிவு	பரிந்துரைக்கும் நிபந்தனைகள்	NOTE
		சிறந்த	சாதாரண	அதிகபட்ச
VSD	டையோட் முன்னெண் வீதி		4.0		V	ISD =1A, VGS =0V	கோட்பாடு 10, 11, 12
			3.8		V	ISD =1A, VGS =0V, TJ =175。C
என	திரளி முன்னெந்தல் தற்கோடி (தொடர்ச்சியாக)			11.8	A	VGS =-2V, TC =25。C
				6.8	A	VGS =-2V, TC=100。C
trr	திருத்தும் திருப்பு நேரம்		20.6		ns	VGS=-3.5V/+18V, ISD =2A, VR =1000V, RG(ext)=10Ω L=2330μ H di/dt=5000A/μs
Qrr	திருத்தும் திருப்பு வீச்சு		54.2		nC
IRRM	அதிக மாறுபட்ட திரும்ப நிலையான தற்பொருள்		8.2		A

சாதாரண திறன் (வளைவுருவங்கள்)

 

பேக்கேஜ் அளவுகள்

குறிப்பு:

1. பேக்கேஜ் குறிப்பு: JEDEC TO263, மாற்று AD

2. அனைத்து அளவுகளும் mm இல் உள்ளன

3. குறிப்பிட்ட மாற்றங்கள் அறிவிப்பினுள் இல்லாமல் ஏற்படலாம்