SiC SBD

1200V 40A Bils SiC Schottky-diode

Introduktion

Introduktion

Ursprungsort:	Zhejiang
Varumärkesnamn:	Inventchip Technology
Modellnummer:	IV1D12040U3Z
Certifiering:	AEC-Q101 kvalificerad

Minsta packningsmängd:	450st
Pris:
Förpackningsuppgifter:
Leveranstid:
Betalningsvillkor:
Leveransförmåga:

Funktioner

Maximal spänningsföreningstemperatur 175°C
Hög överströmskapacitet
Noll återställningsström i omvänd riktning
Noll framåt återställningspåtryckning
höghögfrekvent drift
Temperatur oberoende switchningsbeteende
Positiv temperaturkoefficient på VF
AEC-Q101 kvalificerad

Användning

Bilinverterings Frihetsdioder
Laddstationer för elbilar
Vienna 3-fas PFC
Solenergi förstärkning
Spänningsförsörjning i switchläge

Översikt

Märkningsdiagram

Absolut högsta kreditbetyg (TC=25°C om inte annat anges)

Symbol	Parameter	värde	enhet
VRRM	Omvänd spänning (upprepad pekspänning)	1200	V
VDC	DC-blockerande spänning	1200	V
IF	Framåtström (kontinuerlig) @Tc=25°C	54*	A
	Framåtström (kontinuerlig) @Tc=135°C	28*	A
	Framåtström (kontinuerlig) @Tc=151°C	20*	A
IFSM	Spänningssurge, icke-repetitiv framåtström sinus halvboj @Tc=25°C tp=10ms	140*	A
IFRM	Spänningssurge, repetitiv framåtström (Frekvens=0.1Hz, 100 cyklar) sinus halvboj @Tamb =25°C tp=10ms	115*	A
Ptot	Total effektförlust @ Tc=25°C	272*	W
	Total effektförlust @ Tc=150°C	45*
	I2t värde @Tc=25°C tp=10ms	98*	A2s
TSTG	Lagrings temperaturintervall	-55 till 175	°C
Tj	Driftande nötknyppestemperaturspann	-55 till 175	°C

*Per ben

Stress över de värden som anges i tabellen för maximala värden kan skada enheten. Om någon av dessa gränser överstigs bör inget antas om enhetens funktionalitet, skada kan inträffa och pålitligheten kan påverkas.

funktionalitet bör inte anses garanterad, skada kan inträffa och pålitligheten kan påverkas.

Elektriska egenskaper

Symbol	Parameter	Typ.	Max.	enhet	Testförhållanden	Notera
VF	Framspänning	1.48*	1.8*	V	IF = 20 A TJ =25°C	Fig. 1
		2.1*	3.0*		IF = 20 A TJ =175°C
Ir	Omvänd ström	10*	200*	μA	VR = 1200 V TJ =25°C	Fig. 2
		45*	800*		VR = 1200 V TJ =175°C
C	Total kapacitet	1114*		PF	VR = 1 V, TJ = 25°C, f = 1 MHz	Fig. 3
		100*			VR = 400 V, TJ = 25˚C, f = 1 MHz
		77*			VR = 800 V, TJ = 25˚C, f = 1 MHz
QC	Total kapacitetsladning	107*		nC	VR = 800 V, TJ = 25°C, Qc = C(v)dv	Fig. 4
ec	Kapacitetslagrad energi	31*		μJ	VR = 800 V, TJ = 25°C, Ec = C(v) ⋅vdv	Fig. 5