Alla kategorier
KONTAKTA OSS
SiC Modul

Hemsida /  Produkter  /  Komponenter /  SiC Modul

SiC Modul

1200V 25mohm SiC MODUL Motorstyrare
1200V 25mohm SiC MODUL Motorstyrare

1200V 25mohm SiC MODUL Motorstyrare

  • Introduktion

Introduktion

Ursprungsort: Zhejiang
Varumärkesnamn: Inventchip Technology
Modellnummer: IV1B12025HC1L
Certifiering: AEC-Q101


Funktioner

  • Hög spärrspänning med låg påstånd

  • Hög hastighetsskalning med låg kapacitet

  • Hög driftsamarbets temperaturförmåga

  • Mycket snabb och robust inbyggd diod


Användning

  • Solar applikationer

  • upps-system

  • Motordrivare

  • Högspänning DC/DC-omvandlare


Förpackning

image


image


Absolut högsta kreditbetyg (TC=25°C om inte annat anges)

Symbol Parameter värde enhet Testförhållanden Notera
VDS Spännings skillnad mellan utgång och källa 1200V VGS =0V, ID =200μA
VGSmax (DC) Maximal DC-spenning -5 till 22 V Statisk (DC)
VGSmax (Spik) Maximal spänningspik -10 till 25 V <1% dutycykel, och pulsbredd <200ns
VGSon Rekommenderat tändspänning 20±0.5 V
VGSoff Rekommenderad avstängningsvoltage -3,5 till -2 V
id Dränström (kontinuerlig) 74A VGS =20V, TC =25°C
50A VGS =20V, TC =94°C
IDM Dränström (pulsad) 185A Pulslängd begränsad av SOA Fig.26
Ptot Total effektförlust 250W TC =25°C Fig.24
TSTG Lagrings temperaturintervall -40 till 150 °C
Tj Maximal virtuell spänningslednings temperatur under schaklingsvillkor -40 till 150 °C operation
-55 till 175 °C Intermittent med minskad livslängd


Termiska data

Symbol Parameter värde enhet Notera
Rθ(J-C) Termisk motstånd från jonförening till kassa 0.5°C/W Fig.25


Elektriska egenskaper (TC=25°C om inte annat anges)

Symbol Parametr värde enhet Testförhållanden Notera
Min. Typ. Max.
IDSS Nollgatspänning drafström 10200μA VDS =1200V, VGS =0V
IGSS Gate läckström 2±200 NA VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH Porttröskelspänning 3.2V VGS=VDS , ID =12mA Fig.9
2.3VGS=VDS , ID =12mA @ TC =150。C
ron Statisk drain-källa på-motstånd 2533VGS =20V, ID =40A @TJ =25。C Fig.4-7
36VGS =20V, ID =40A @TJ =150。C
Ciss Inmatningskapacitet 5.5NF VDS=800V, VGS =0V, f=100kHZ , VAC =25mV Fig.16
Coss Utgångskapacitet 285PF
Crss Omvänd överföringskapacitet 20PF
Eoss Coss lagrad energi 105μJ Fig.17
Qg Total spänningsladdning 240nC VDS =800V, ID =40A, VGS =-5 till 20V Fig.18
Qgs Spänningsladdning mellan grind och källa 50nC
Qgd Spänningsladdning mellan grind och drain 96nC
Rg Gatans ingångsmotstånd 1.4Ω f=100kHZ
EON Tändning av energi 795μJ VDS =600V, ID =50A, VGS=-5 till 20V, RG(ext) på/ RG(ext) av =2.5Ω/1.43Ω, L=120μH Fig.19-22
EOFF Avstängning av växlingsenergin 135μJ
Td (på) Tidsfördröjning för på- 15N
t Uppgångstid 4.1
Avstängning Avstängningens fördröjningstid 24
TF Hösttid 17
LsCE Strömavtryck 8.8nH


Omvänd diodkaraktäristik (TC=25°C om inte annat anges)

Symbol Parameter värde enhet Testförhållanden Notera
Min. Typ. Max.
VSD Diodens framåtspänning 4.9V ISD =40A, VGS =0V Fig.10- 12
4.5V ISD =40A, VGS =0V, TJ =150°C
trr Återställningstiden 18N VGS =-5V/+20V, ISD =50A, VR =600V, di/dt=14.29A/ns, RG(ext) =2.5Ω, L=120μH
Qrr Omvänd återvinningsavgift 1068nC
IRRM Maximal reverseringsström 96.3A


NTC-termistor egenskaper

Symbol Parameter värde enhet Testförhållanden Notera
Min. Typ. Max.
RNTC Nominellt motstånd 5TNTC = 25℃ Fig. 27
ΔR/R Motståndstolerans vid 25℃ -55%
β25/50 Beta-värde 3380k ±1%
Pmax Effektbegränsning 5mW


Typisk prestanda (kurvor)

image

image

image

image

image

image

image

image

image

image

image

image

image

         image


Komponentdimensioner (mm)

image



ANMÄRKNINGAR


För mer information, vänligen kontakta IVCT:s Försäljningskontor.

Upphovsrätt©2022 InventChip Technology Co., Ltd. Alla rättigheter förbehålls.

Informationen i detta dokument är ämnesatt att ändras utan förvarning.


Relaterade Länkar


http://www.inventchip.com.cn


RELATERAD PRODUKT