1700V 1000mΩ Hjälpkraftförsörjning SiC MOSFET

Funktioner

⚫ 2:a generationens SiC MOSFET-teknik med

+15~+18V spänningsdrivning

⚫ Hög spänningsblockering med låg påmotstånd

⚫ Hög hastighetsswitching med låg kapacitet

⚫ Förmåga att operera vid 175℃ jonföreningstemperatur

⚫ Ultra snabb och robust inbyggd kroppsdiod

⚫ Kelvin-gate-ingång som förenklar drivrutninsdesign

Användning

⚫ Solinverter

⚫ Biståndsströmförnäring

⚫ Switchläge strömförsörjning

⚫ Smartmätare

Översikt:

Märkningsschema:

Absolut högsta kreditbetyg (TC=25°C om inte annat anges)

Symbol	Parameter	värde	enhet	Testförhållanden	Notera
VDS	Spännings skillnad mellan utgång och källa	1700	V	VGS=0V, ID=10μA
VGSmax (Tillfällig)	Maximal spänningspik	-10 till 23	V	Arbetscykel <1% och pulsbredd <200ns
VGSon	Rekommenderad släckspänning	15 till 18	V
VGSoff	Rekommenderad avstängningsspänning	-5 till -2	V	Typvärde -3,5V
id	Dränström (kontinuerlig)	6.3	A	VGS=18V, TC=25°C	Fig. 23
id	Dränström (kontinuerlig)	4.8	A	VGS=18V, TC=100°C	Fig. 23
IDM	Dränström (pulsad)	15.7	A	Pulslängd begränsad av SOA och dynamisk Rθ(J-C)	Fig. 25, 26
ISM	Kroppsdiodström (pulserad)	15.7	A	Pulslängd begränsad av SOA och dynamisk Rθ(J-C)	Fig. 25, 26
Ptot	Total effektförlust	73	W	TC=25°C	Fig. 24
TSTG	Lagrings temperaturintervall	-55 till 175	°C
Tj	Användningstemperatur vid kryssningsstationen	-55 till 175	°C

Termiska data

Symbol	Parameter	värde	enhet	Notera
Rθ(J-C)	Termisk motstånd från jonförening till kassa	2.05	°C/W	Fig. 25

Elektriska egenskaper (TC=25°C om inte annat anges)

Symbol	Parameter	värde			enhet	Testförhållanden	Notera
Symbol	Parameter	Min.	Typ.	Max.	enhet	Testförhållanden	Notera
IDSS	Nollgatspänning drafström		1	10	μA	VDS=1700V, VGS=0V
IGSS	Gate läckström			±100	NA	VDS=0V, VGS=-5~20V
VTH	Porttröskelspänning	1.8	3.0	4.5	V	VGS=VDS, ID=380uA	Fig. 8, 9
VTH	Porttröskelspänning		2.0		V	VGS=VDS, ID=380uA vid TJ=175°C	Fig. 8, 9
ron	Statisk drain-källmotstånd		700 1280	910	mΩ	VGS=18V, ID=1A vid TJ=25°C vid TJ=175°C	Fig. 4, 5, 6, 7
ron	Statisk drain-källmotstånd		950 1450	1250	mΩ	VGS=15V, ID=1A vid TJ=25°C vid TJ=175°C	Fig. 4, 5, 6, 7
Ciss	Inmatningskapacitet		285		PF	VDS=1000V, VGS=0V, f=1MHz, VAC=25mV	Fig. 16
Coss	Utgångskapacitet		15.3		PF
Crss	Omvänd överföringskapacitet		2.2		PF
Eoss	Coss lagrad energi		11		μJ		Fig. 17
Qg	Total spänningsladdning		16.5		nC	VDS=1000V, ID=1A, VGS=-5 till 18V	Fig. 18
Qgs	Spänningsladdning mellan grind och källa		2.7		nC
Qgd	Spänningsladdning mellan grind och drain		12.5		nC
Rg	Gatans ingångsmotstånd		13		Ω	f=1MHz
EON	Tändning av energi		51.0		μJ	VDS=1000V, ID=2A, VGS=-3,5V till 18V, RG(ext)=10Ω, L=2330μH Tj=25°C	Fig. 19, 20
EOFF	Avstängning av växlingsenergin		17.0		μJ
Td (på)	Tidsfördröjning för på-		4.8		N
t	Uppgångstid		13.2
Avstängning	Avstängningens fördröjningstid		12.0
TF	Hösttid		66.8
EON	Tändning av energi		90.3		μJ	VDS=1000V, ID=2A, VGS=-3,5V till 18V, RG(ext)=10Ω, L=2330μH Tj=175°C	Fig. 22
EOFF	Avstängning av växlingsenergin		22.0		μJ		Fig. 22

Omvänd diodkaraktäristik (TC=25°C om inte annat anges)

Symbol	Parameter	värde			enhet	Testförhållanden	Notera
Symbol	Parameter	Min.	Typ.	Max.	enhet	Testförhållanden	Notera
VSD	Diodens framåtspänning		4.0		V	ISD=1A, VGS=0V	Fig. 10, 11, 12
VSD	Diodens framåtspänning		3.8		V	ISD=1A, VGS=0V, TJ=175°C	Fig. 10, 11, 12
är	Diodeframåtsström (kontinuerlig)			11.8	A	VGS=-2V, TC=25°C
är	Diodeframåtsström (kontinuerlig)			6.8	A	VGS=-2V, TC=100°C
trr	Återställningstiden		20.6		N	VGS=-3.5V/+18V, ISD=2A, VR=1000V, RG(ext)=10Ω L=2330μH di/dt=5000A/μs
Qrr	Omvänd återvinningsavgift		54.2		nC
IRRM	Maximal reverseringsström		8.2		A