1700V 1000mΩ SiC MOSFET Solarni inverteri

Mesto porekla:	Zhejiang
Ime brenda:	Inventchip Technology
Број модели:	IV2Q171R0D7Z
Certifikacija:	AEC-Q101 kvalifikovan

Karakteristike

• Tehnologija 2. generacije SiC MOSFET sa +15~+18V napajanjem vrata

• Visoka blokirajuća napetost sa niskim upalnom otporom

• Brzo prebacivanje sa niskom kapacitetom

• Mogućnost rada na spojnoj temperaturi od 175℃

• Ultra brza i robustna intrinziska dioda tela

• Kelvinov ulaz za pojasnjenje dizajna pogonske šeme

• AEC-Q101 kvalifikovan

Примене

• соларни инвертори

• Pomoćne napajne snabdevače

• Napajanja u prekidnom režimu rada

• Pametni merioni uređaji

Pregled:

 

Oznaka dijagrama:

Apsolutne Maksimalne Ocene (TC=25°C osim ako nije drugačije navedeno)

Симбол	Parametri	vrednost	jedinica	Testni uslovi	Napomena
VDS	Napon između odvodnika i izvora	1700	V	VGS =0V, ID =10μA
VGSmax (Privremeno)	Maksimalni pikovni napon	-10 do 23	V	Тактични циклус <1%, и ширина импулса <200нс
VGSon	Препоручена напон за укључивање	15 до 18	V
VGSoff	Препоручена напон за исključivanje	-5 до -2	V	Типична вредност -3.5В
ИД	Струја на дрени (непрекидна)	6.3	А	VGS =18V, TC =25°C	Slika 23
		4.8	А	VGS =18V, TC =100°C
IDM	Struja na drenu (pulsirajući)	15.7	А	Dugotrajnost pulsa ograničena SOA i dinamičkim Rθ(J-C)	Slika 25, 26
ISM	Struja telovnog dioda (pulsirajući)	15.7	А	Dugotrajnost pulsa ograničena SOA i dinamičkim Rθ(J-C)	Slika 25, 26
Пtot	Ukupna disipacija snage	73	W	TC =25°C	Slika 24
ТСТГ	Raspon Temperatura Skladištenja	-55 do 175	°C
Tj	Temperatura spojnog čvora	-55 do 175	°C

Термични подаци

Симбол	Parametri	vrednost	jedinica	Napomena
Rθ(J-C)	Termalna otpornost od spoja do omotača	2.05	°С/В	Slika. 25

Električne karakteristike (TC =25°C osim ako nije drugačije navedeno)

Симбол	Parametri	vrednost			jedinica	Testni uslovi	Napomena
		Минут.	Tip.	Макс. -Макс.
IDSS	Struja drena pri nuli na vratu		1	10	= 0V	VDS =1700V, VGS =0V
IGSS	Struja curenja vrata			±100	nА	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	(TH)	1.8	3.0	4.5	V	VGS =VDS , ID =380uA	Fig. 8, 9
			2.0		V	VGS =VDS , ID =380uA @ TJ =175°C
RON	Statički upornik između drena i izvora u režimu uključenja		700 1280	910	mΩ	VGS=18V, ID =1A @TJ =25°C @TJ =175°C	Fig. 4, 5, 6, 7
			950 1450	1250	mΩ	VGS=15V, ID =1A @TJ =25°C @TJ =175°C
Ciss	125 °C		285		PF	VDS =1000V, VGS =0V, f=1MHz, VAC=25mV	Slika 16
Coss	Излазна капацитета		15.3		PF
Crss	Kapacitivnost povratnog prenosa		2.2		PF
Eoss	Energija pohranjena u Coss		11		μJ		Slika 17
Qg	Ukupna napetost na štiti		16.5		nC	VDS =1000V, ID =1A, VGS =-5 do 18V	Slika 18
Qgs	Napetost između štita i izvora		2.7		nC
Qgd	Napetost između štita i drejna		12.5		nC
Rg	Ulazni otpor štita		13		О	f=1MHz
EON	Укључивање прелазне енергије		51.0		μJ	VDS =1000V, ID =2A, VGS =-3.5V do 18V, RG(ext) =10Ω, L=2330μH Tj=25°C	Fig. 19, 20
EOFF	Избацивање		17.0		μJ
td(on)	Vreme kašnjenja uključivanja		4.8		ns
tr	Vreme rasta		13.2
td(off)	Vreme kašnjenja isključivanja		12.0
Тф	Vreme opadanja		66.8
EON	Укључивање прелазне енергије		90.3		μJ	VDS =1000V, ID =2A, VGS =-3.5V do 18V, RG(ext) =10Ω, L=2330μH Tj=175°C	Fig. 22

Karakteristike obrnutog dioda (TC =25。C osim ako nije drugačije navedeno)

Симбол	Parametri	vrednost			jedinica	Testni uslovi	Napomena
		Минут.	Tip.	Макс. -Макс.
VSD	1ms		4.0		V	ISD =1A, VGS =0V	Fig. 10, 11, 12
			3.8		V	ISD =1A, VGS =0V, TJ =175. C
je	Napredni diodni strujanje (kontinuirano)			11.8	А	VGS =-2V, TC =25. C
				6.8	А	VGS =-2V, TC=100. C
тр	Времена повратка опоравка		20.6		ns	VGS=-3.5V/+18V, ISD =2A, VR =1000V, RG(ext)=10Ω L=2330μ H di/dt=5000A/μs
Qrr	Наплата за обнову		54.2		nC
ИРРМ	Pikovni obrnuti strujni tok		8.2		А

Tipičan izveden (krivulje)

 

Dimenzije paketa

Napomena:

1. Referentni paket: JEDEC TO263, variacija AD

2. Sve dimenzije su u mm

3. Predmet promene bez obaveštenja