1200V 40mΩ Gen2 Automobilski SiC MOSFET

Karakteristike

Примене

Pregled:

Oznaka dijagrama:

Apsolutne Maksimalne Ocene (TC=25°C osim ako nije drugačije navedeno)

Симбол	Parametri	vrednost	jedinica	Testni uslovi	Napomena
VDS	Napon između odvodnika i izvora	1200	V	VGS =0V, ID =100μA
VGSmax (Privremeno)	Maksimalni privremeni napon	-10 do 23	V	Dutycycle<1%, i širina impulsa<200ns
VGSon	Препоручена напон за укључивање	15 до 18	V
VGSoff	Препоручена напон за исključivanje	-5 до -2	V	Tipično -3.5V
ИД	Струја на дрени (непрекидна)	65	А	VGS =18V, TC =25°C	Slika 23
ИД	Струја на дрени (непрекидна)	48	А	VGS =18V, TC =100°C	Slika 23
IDM	Struja na drenu (pulsirajući)	162	А	Dugotrajnost pulsa ograničena SOA i dinamičkim Rθ(J-C)	Slika 25, 26
ISM	Struja telovnog dioda (pulsirajući)	162	А	Dugotrajnost pulsa ograničena SOA i dinamičkim Rθ(J-C)	Slika 25, 26
Пtot	Ukupna disipacija snage	375	W	TC =25°C	Slika 24
ТСТГ	Raspon Temperatura Skladištenja	-55 do 175	°C
Tj	Temperatura spojnog čvora	-55 do 175	°C
ТЛ	Temperatura lepljenja	260	°C	talasno lepljenje dozvoljeno samo na kontaktna očilja, 1.6mm od omotača tokom 10 sekundi

Термични подаци

Симбол	Parametri	vrednost	jedinica	Napomena
Rθ(J-C)	Termalna otpornost od spoja do omotača	0.4	°С/В	Slika. 25

Električne karakteristike (TC =25°C osim ako nije drugačije navedeno)

Симбол	Parametri	vrednost			jedinica	Testni uslovi	Napomena
Симбол	Parametri	Минут.	Tip.	Макс. -Макс.	jedinica	Testni uslovi	Napomena
IDSS	Struja drena pri nuli na vratu		5	100	= 0V	VDS =1200V, VGS =0V
IGSS	Struja curenja vrata			±100	nА	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	(TH)	1.8	2.8	4.5	V	VGS =VDS , ID =9mA	Fig. 8, 9
VTH	(TH)		2.1			VGS =VDS , ID =9mA @ TJ =175。C	Fig. 8, 9
RON	Statički upornik između drena i izvora u režimu uključenja		40	52	mΩ	VGS =18V, ID =20A @TJ =25。C	Fig. 4, 5, 6, 7
			75		mΩ	VGS =18V, ID =20A @TJ =175。C
			50	65	mΩ	VGS =15V, ID =20A @TJ =25。C
			80		mΩ	VGS =15V, ID =20A @TJ =175。C
Ciss	125 °C		2160		PF	VDS=800V, VGS =0V, f=1MHz, VAC=25mV	Slika 16
Coss	Излазна капацитета		100		PF
Crss	Kapacitivnost povratnog prenosa		5.8		PF
Eoss	Energija pohranjena u Coss		40		μJ		Slika 17
Qg	Ukupna napetost na štiti		110		nC	VDS =800V, ID =30A, VGS =-3 do 18V	Slika 18
Qgs	Napetost između štita i izvora		25		nC
Qgd	Napetost između štita i drejna		59		nC
Rg	Ulazni otpor štita		2.1		О	f=1MHz
EON	Укључивање прелазне енергије		446.3		μJ	VDS =800V, ID =30A, VGS =-3.5 do 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=200μH TJ =25。C	Fig. 19, 20
EOFF	Избацивање		70.0		μJ
td(on)	Vreme kašnjenja uključivanja		9.6		ns
tr	Vreme rasta		22.1
td(off)	Vreme kašnjenja isključivanja		19.3
Тф	Vreme opadanja		10.5
EON	Укључивање прелазне енергије		644.4		μJ	VDS =800V, ID =30A, VGS =-3.5 do 18V, RG(ext) =3.3Ω,L=200μH TJ =175。C	Fig. 22
EOFF	Избацивање		73.8		μJ		Fig. 22

Karakteristike obrnutog dioda (TC =25。C osim ako nije drugačije navedeno)

Симбол	Parametri	vrednost			jedinica	Testni uslovi	Napomena
Симбол	Parametri	Минут.	Tip.	Макс. -Макс.	jedinica	Testni uslovi	Napomena
VSD	1ms		4.2		V	ISD =20A, VGS =0V	Fig. 10, 11, 12
VSD	1ms		4.0		V	ISD =20A, VGS =0V, TJ =175。C	Fig. 10, 11, 12
je	Napredni diodni strujanje (kontinuirano)			63	А	VGS =-2V, TC =25. C
je	Napredni diodni strujanje (kontinuirano)			36	А	VGS =-2V, TC=100. C
тр	Времена повратка опоравка		42.0		ns	VGS=-3.5V/+18V, ISD =30A, VR =800V, RG(ext) =10Ω L=200μH di/dt=3000A/μs
Qrr	Наплата за обнову		198.1		nC
ИРРМ	Pikovni obrnuti strujni tok		17.4		А