1700V 1000mΩ Помоћне поњиве SiC MOSFET

Karakteristike

⚫ Druga generacija tehnologije SiC MOSFET sa

+15~+18V upravljanjem vrata

⚫ Visok blokirajući napon sa niskim otporom uključivanja

⚫ Brzo prebacivanje sa niskom kapacitetom

⚫ Mogućnost rada uz temperaturu spojnice od 175℃

⚫ Ultra brza i čvrsta intrinziska telovna dioda

⚫ Kelvin ulaz za vrata olakšava dizajn vođenog kruga

Примене

⚫ Solarni inverteri

⚫ Pomorska napajanja

⚫ Napajanja na osnovu prebacivanja

⚫ Pamtne merilne uređaje

Pregled:

Oznaka dijagrama:

Apsolutne Maksimalne Ocene (TC=25°C osim ako nije drugačije navedeno)

Симбол	Parametri	vrednost	jedinica	Testni uslovi	Napomena
VDS	Napon između odvodnika i izvora	1700	V	VGS=0V, ID=10μA
VGSmax (Privremeno)	Maksimalni pikovni napon	-10 do 23	V	Тактични циклус <1%, и ширина импулса <200нс
VGSon	Препоручена напон за укључивање	15 до 18	V
VGSoff	Препоручена напон за исključivanje	-5 до -2	V	Типична вредност -3.5В
ИД	Струја на дрени (непрекидна)	6.3	А	VGS=18В, TC=25°C	Slika 23
ИД	Струја на дрени (непрекидна)	4.8	А	VGS=18V, TC=100°C	Slika 23
IDM	Struja na drenu (pulsirajući)	15.7	А	Dugotrajnost pulsa ograničena SOA i dinamičkim Rθ(J-C)	Slika 25, 26
ISM	Struja telovnog dioda (pulsirajući)	15.7	А	Dugotrajnost pulsa ograničena SOA i dinamičkim Rθ(J-C)	Slika 25, 26
Пtot	Ukupna disipacija snage	73	W	TC=25°C	Slika 24
ТСТГ	Raspon Temperatura Skladištenja	-55 do 175	°C
Tj	Тренутна температура у раздају	-55 do 175	°C

Термични подаци

Симбол	Parametri	vrednost	jedinica	Napomena
Rθ(J-C)	Termalna otpornost od spoja do omotača	2.05	°С/В	Slika. 25

Električne karakteristike (TC=25°C osim ako nije drugačije navedeno)

Симбол	Parametri	vrednost			jedinica	Testni uslovi	Napomena
Симбол	Parametri	Минут.	Tip.	Макс. -Макс.	jedinica	Testni uslovi	Napomena
IDSS	Struja drena pri nuli na vratu		1	10	= 0V	VDS=1700V, VGS=0V
IGSS	Struja curenja vrata			±100	nА	VDS=0V, VGS=-5~20V
VTH	(TH)	1.8	3.0	4.5	V	VGS=VDS, ID=380uA	Fig. 8, 9
VTH	(TH)		2.0		V	VGS=VDS, ID=380uA @ TJ=175°C	Fig. 8, 9
RON	Statički otpor između drena i izvora u režimu rada		700 1280	910	mΩ	VGS=18V, ID=1A @TJ=25°C @TJ=175°C	Fig. 4, 5, 6, 7
RON	Statički otpor između drena i izvora u režimu rada		950 1450	1250	mΩ	VGS=15V, ID=1A @TJ=25°C @TJ=175°C	Fig. 4, 5, 6, 7
Ciss	125 °C		285		PF	VDS=1000V, VGS=0V, f=1MHz, VAC=25mV	Slika 16
Coss	Излазна капацитета		15.3		PF
Crss	Kapacitivnost povratnog prenosa		2.2		PF
Eoss	Energija pohranjena u Coss		11		μJ		Slika 17
Qg	Ukupna napetost na štiti		16.5		nC	VDS=1000V, ID=1A, VGS=-5 do 18V	Slika 18
Qgs	Napetost između štita i izvora		2.7		nC
Qgd	Napetost između štita i drejna		12.5		nC
Rg	Ulazni otpor štita		13		О	f=1MHz
EON	Укључивање прелазне енергије		51.0		μJ	VDS=1000V, ID=2A, VGS=-3.5V do 18V, RG(ext)=10Ω, L=2330μH Tj=25°C	Fig. 19, 20
EOFF	Избацивање		17.0		μJ
td(on)	Vreme kašnjenja uključivanja		4.8		ns
tr	Vreme rasta		13.2
td(off)	Vreme kašnjenja isključivanja		12.0
Тф	Vreme opadanja		66.8
EON	Укључивање прелазне енергије		90.3		μJ	VDS=1000V, ID=2A, VGS=-3.5V do 18V, RG(ext)=10Ω, L=2330μH Tj=175°C	Fig. 22
EOFF	Избацивање		22.0		μJ		Fig. 22

Karakteristike obrnutog dioda (TC=25°C osim ako nije drugačije navedeno)

Симбол	Parametri	vrednost			jedinica	Testni uslovi	Napomena
Симбол	Parametri	Минут.	Tip.	Макс. -Макс.	jedinica	Testni uslovi	Napomena
VSD	1ms		4.0		V	ISD=1A, VGS=0V	Fig. 10, 11, 12
VSD	1ms		3.8		V	ISD=1A, VGS=0V, TJ=175°C	Fig. 10, 11, 12
je	Napredni diodni strujanje (kontinuirano)			11.8	А	VGS=-2V, TC=25°C
je	Napredni diodni strujanje (kontinuirano)			6.8	А	VGS=-2V, TC=100°C
тр	Времена повратка опоравка		20.6		ns	VGS=-3.5V/+18V, ISD=2A, VR=1000V, RG(ext)=10Ω L=2330μH di/dt=5000A/μs
Qrr	Наплата за обнову		54.2		nC
ИРРМ	Pikovni obrnuti strujni tok		8.2		А