Sve kategorije
UZMI KONTAKT
SiC MOSFET

Početna strana /  Proizvodi /  Komponente /  SiC MOSFET

SiC MOSFET

1200V 30mΩ Gen2 Automobilski SiC MOSFET
1200V 30mΩ Gen2 Automobilski SiC MOSFET

1200V 30mΩ Gen2 Automobilski SiC MOSFET

  • Uvod

Uvod
Mesto porekla: Zhejiang
Ime brenda: Inventchip Technology
Број модели: IV2Q12030D7Z
Certifikacija: AEC-Q101 kvalifikovan


Karakteristike

  • 2. generacija SiC MOSFET tehnologije sa +18V gate drive-om

  • Visoka blokirajuća napetost sa niskim upalnom otporom

  • Brzo prebacivanje sa niskom kapacitetom

  • Visoka sposobnost rada pri visokoj spojnoj temperaturi

  • Veoma brz i robustni intrinzični diodni element

  • Kelvinov ulaz za pojasnjenje dizajna pogonske šeme

Примене

  • Возачи мотора

  • соларни инвертори

  • Automobilski DC/DC konverteri

  • Automobilski kompresorski inverteri

  • Napajanja u prekidnom režimu rada


Pregled:

image

Oznaka dijagrama:

image

Apsolutne Maksimalne Ocene (TC=25°C osim ako nije drugačije navedeno)

Симбол Parametri vrednost jedinica Testni uslovi Napomena
VDS Napon između odvodnika i izvora 1200V VGS =0V, ID =100μA
VGSmax (DC) Maksimalna DC napetost -5 do 20 V Statički (DC)
VGSmax (Spik) Maksimalni pikovni napon -10 do 23 V Dutycycle<1%, i širina impulsa<200ns
VGSon Препоручена напон за укључивање 18±0.5 V
VGSoff Препоручена напон за исključivanje -3.5 do -2 V
ИД Струја на дрени (непрекидна) 79А VGS =18V, TC =25°C Slika 23
58А VGS =18V, TC =100°C
IDM Struja na drenu (pulsirajući) 198А Dužina pulsa ograničena SOA Slika 26
Пtot Ukupna disipacija snage 395W TC =25°C Slika 24
ТСТГ Raspon Temperatura Skladištenja -55 do 175 °C
Tj Temperatura spojnog čvora -55 do 175 °C
ТЛ Temperatura lepljenja 260°C talasno lepljenje dozvoljeno samo na kontaktna očilja, 1.6mm od omotača tokom 10 sekundi


Термични подаци

Симбол Parametri vrednost jedinica Napomena
Rθ(J-C) Termalna otpornost od spoja do omotača 0.38°С/В Slika 23


Električne karakteristike (TC =25。C osim ako nije drugačije navedeno)

Симбол Parametri vrednost jedinica Testni uslovi Napomena
Минут. Tip. Макс. -Макс.
IDSS Struja drena pri nuli na vratu 5100= 0V VDS =1200V, VGS =0V
IGSS Struja curenja vrata ±100 VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH (TH) 1.82.84.5V VGS=VDS , ID =12mA Fig. 8, 9
2.0VGS=VDS , ID =12mA @ TJ =175。C
RON Statički upornik između drena i izvora u režimu uključenja 3039VGS =18V, ID =30A @TJ =25。C Fig. 4, 5, 6, 7
55VGS =18V, ID =30A @TJ =175。C
3647VGS =15V, ID =30A @TJ =25。C
58VGS =15V, ID =30A @TJ =175。C
Ciss 125 °C 3000PF VDS=800V, VGS =0V, f=1MHz, VAC=25mV Slika 16
Coss Излазна капацитета 140PF
Crss Kapacitivnost povratnog prenosa 7.7PF
Eoss Energija pohranjena u Coss 57μJ Slika 17
Qg Ukupna napetost na štiti 135nC VDS =800V, ID =40A, VGS =-3 do 18V Slika 18
Qgs Napetost između štita i izvora 36.8nC
Qgd Napetost između štita i drejna 45.3nC
Rg Ulazni otpor štita 2.3О f=1MHz
EON Укључивање прелазне енергије 856.6μJ VDS =800V, ID =40A, VGS =-3.5 do 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=200μH TJ =25。C Fig. 19, 20
EOFF Избацивање 118.0μJ
td(on) Vreme kašnjenja uključivanja 15.4ns
tr Vreme rasta 24.6
td(off) Vreme kašnjenja isključivanja 28.6
Тф Vreme opadanja 13.6


Karakteristike obrnutog dioda (TC =25。C osim ako nije drugačije navedeno)

Симбол Parametri vrednost jedinica Testni uslovi Napomena
Минут. Tip. Макс. -Макс.
VSD 1ms 4.2V ISD =30A, VGS =0V Fig. 10, 11, 12
4.0V ISD =30A, VGS =0V, TJ =175°C
тр Времена повратка опоравка 54.8ns VGS=-3.5V/+18V, ISD =40A, VR =800V, RG(ext) =13Ω L=200μH di/dt=3000A/μs
Qrr Наплата за обнову 470.7nC
ИРРМ Pikovni obrnuti strujni tok 20.3А


Tipičan izveden (krivulje)

image

image

image

image

image

image

image

image

image


POVEZANI PROIZVOD